我進入東京通信工業(yè)，就開始按計劃著手進行半導體器件的基礎研究——PN接觸的一個問題，就是要把P型到N型的半導體接觸面，或者說是把阻擋層盡量做薄，這是一項挑戰(zhàn)極限的研究工作。如果能達到10納米那么薄，就有可能觀測到量子力學所說的隧道電流了。不純物的濃度越高，接觸面就會越薄。

另一方面，那陣子公司正在制造的高周波晶體管，不純物濃度就很高。實際上，濃度越高，高周波的特性就越好。但是這種情況下，如果濃度過高，隧道電流一旦開始產(chǎn)生，晶體管的作用就會喪失。我由此判斷，無論是立足科學的立場，還是立足技術(shù)的立場，突破隧道電流的極限都是最重要的課題。就這樣，研究計劃得以確立。

這種情況下，要在保證鍺結(jié)晶高品質(zhì)的同時提高不純物濃度，做來相當不容易。結(jié)晶的質(zhì)地如果下降，就無法獲得理想的電氣特性了。

經(jīng)過了一年的艱苦奮戰(zhàn)，經(jīng)歷了種種實驗失敗之后，“機遇女神”終于微笑著向我伸出了橄欖枝。