20世紀(jì)70年代，一些生產(chǎn)商意識到，鐵氧體磁盤上能夠容納的信息量已接近極限。為此，硬盤驅(qū)動器生產(chǎn)商開始研究薄膜磁盤技術(shù)，希望能夠在鋁金屬上應(yīng)用磁性金屬的超薄薄膜，以延續(xù)磁盤磁錄密度一直以來的改善幅度。薄膜涂層的應(yīng)用隨后在集成電路行業(yè)得到了高度發(fā)展，但在磁盤上的應(yīng)用仍面臨巨大的挑戰(zhàn)。專家預(yù)計(jì)，薄膜磁盤技術(shù)的先驅(qū)企業(yè)（如IBM公司、數(shù)據(jù)控制公司、數(shù)字設(shè)備公司、存儲技術(shù)公司（StorageTechnology）和Ampex公司）在這項(xiàng)技術(shù)上均花費(fèi)了超過8年的時(shí)間和50余萬美元的資金。在1984年表現(xiàn)較為活躍的生產(chǎn)商當(dāng)中，大約有2/3在1984至1986年間推出了帶薄膜磁盤的硬盤驅(qū)動器。這其中，絕大多數(shù)企業(yè)都是成熟的行業(yè)主導(dǎo)企業(yè)。只有很少一部分新興企業(yè)試圖在它們的初始產(chǎn)品中使用薄膜磁盤技術(shù)，而且大多數(shù)都在進(jìn)入硬盤驅(qū)動器行業(yè)后不久便倒閉。

這一模式在薄膜磁頭出現(xiàn)時(shí)表現(xiàn)得尤為明顯。早在1965年，鐵氧體磁頭制造商就預(yù)見到這項(xiàng)技術(shù)的改善空間已越來越?。坏?981年，許多制造商認(rèn)為，該項(xiàng)技術(shù)的精確度即將到達(dá)極限，研究人員開始轉(zhuǎn)向薄膜技術(shù)。這種技術(shù)首先將金屬薄膜濺射到記錄磁頭上，然后用光刻技術(shù)來蝕刻電磁體，其工藝水平要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于鐵氧技術(shù)。事實(shí)再次證明技術(shù)突破總是舉步維艱。寶來公司（1976）、IBM公司（1979）和其他成熟企業(yè)成為首批成功地將薄膜磁頭應(yīng)用到硬盤驅(qū)動器的企業(yè)。在1982至1986年這段時(shí)期，約有60家公司進(jìn)入了硬盤驅(qū)動器行業(yè)，其中只有4家公司（所有這4家公司都在商業(yè)上遭遇了失?。﹪L試在其初始產(chǎn)品中使用薄膜磁頭，并以此作為產(chǎn)品的一個(gè)性能優(yōu)勢。其他所有新興企業(yè)（甚至是旗幟鮮明地以性能為導(dǎo)向的公司，例如邁拓公司和康諾外部設(shè)備有限公司（ConnerPeripherals，簡稱康諾公司）都認(rèn)為，在采用薄膜技術(shù)之前最好還是先使用常規(guī)的鐵氧體磁頭，然后再發(fā)展薄膜技術(shù)。

就像薄膜磁盤一樣，薄膜磁頭的推廣也需要長期的投資，而且也只有成熟大型企業(yè)才能負(fù)擔(dān)得起這筆費(fèi)用。IBM公司和它的競爭對手都花費(fèi)了超過1億美元來開發(fā)薄膜磁頭。下一代磁阻磁頭技術(shù)的研發(fā)再次重復(fù)了這一模式：硬盤驅(qū)動器行業(yè)規(guī)模最大的企業(yè)（IBM公司、希捷公司和昆騰公司）引領(lǐng)了這一次技術(shù)變革。

成熟企業(yè)不僅是研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)大、復(fù)雜度高，且售價(jià)昂貴的組件技術(shù)（例如薄膜磁頭和磁盤）的主要?jiǎng)?chuàng)新力量，而且還引領(lǐng)了硬盤驅(qū)動器行業(yè)發(fā)展史上幾乎每一次延續(xù)性創(chuàng)新。即使是在相對簡單的創(chuàng)新（例如運(yùn)行長度限制記錄碼，它的出現(xiàn)使硬盤驅(qū)動器從雙倍密度磁盤過渡到三倍密度磁盤）中，成熟企業(yè)也是成功的創(chuàng)新先驅(qū)，而新興企業(yè)則是這些技術(shù)的追隨者。這種情況同樣適用于延續(xù)既定改善軌道的結(jié)構(gòu)性創(chuàng)新――例如14英寸和25英寸溫切斯特硬盤。在這方面，成熟企業(yè)總是領(lǐng)先于新興企業(yè)。