星載大功率磁性器件微放電抑制技術(shù)及其應(yīng)用

定　價(jià)：￥98.00

作　者：	李韻，謝貴柏，李軍，李斌，李小軍等
出版社：	北京理工大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787576312461	出版時(shí)間：	2022-05-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	236	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　\"本書(shū)結(jié)合中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院近十年來(lái)在衛(wèi)星微波部件微放電效應(yīng)研究領(lǐng)域豐富的工程經(jīng)驗(yàn)和扎實(shí)的理論基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了磁性材料表面二次電子發(fā)射特性、衛(wèi)星磁性器件微放電效應(yīng)抑制技術(shù)的發(fā)展歷史、外現(xiàn)狀和技術(shù)難點(diǎn)，闡述了基于表面處理技術(shù)、石墨烯和原子層沉積技術(shù)的微放電抑制作用原理與方法，探討了星載磁性器件微放電機(jī)理、抑制技術(shù)和進(jìn)展，并展望了未來(lái)的技術(shù)發(fā)展方向，兼顧理論性和工程實(shí)用性，并具有相應(yīng)的技術(shù)深度。本書(shū)主要面向空間微波技術(shù)領(lǐng)域、衛(wèi)星電子與通信系統(tǒng)專(zhuān)業(yè)研究人員和工程人員，亦可作為電磁場(chǎng)、材料、半導(dǎo)體等領(lǐng)域研究人員參考資料，或者高等院校航天學(xué)院相關(guān)專(zhuān)業(yè)研究生的教學(xué)參考書(shū)。\"

作者簡(jiǎn)介

　　\"李韻，博士，研究員，任職于中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院空間微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，入選青年拔尖人才、陜西省“特支計(jì)劃”青年拔尖人才、中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司青年拔尖人才、航天五院杰出青年人才等；主持自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、青年基金、軍科委基礎(chǔ)加強(qiáng)計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目子課題、重點(diǎn)預(yù)研基金等課題10余項(xiàng)；獲陜西省技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、陜西省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)科技進(jìn)步獎(jiǎng)、中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司杰出青年獎(jiǎng)等多項(xiàng)省部級(jí)科技獎(jiǎng)項(xiàng)和個(gè)人獎(jiǎng)項(xiàng)；發(fā)表專(zhuān)業(yè)論文50余篇，授權(quán)和受理發(fā)明專(zhuān)利48項(xiàng)，出版專(zhuān)著2部、譯著2部。謝貴柏，博士，工程師，任職于中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院，長(zhǎng)期從事低維納米材料與科學(xué)及其空間微波領(lǐng)域應(yīng)用新技術(shù)與物理研究，承擔(dān) 自然科學(xué)青年基金等；獲航天五院杰出青年人才計(jì)劃支持，獲中國(guó)航天科技集團(tuán)青年五小成果一等獎(jiǎng)、陜西省國(guó)防科技發(fā)明獎(jiǎng)；以作者及共同發(fā)表SCI論文20余篇，申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)。\"

圖書(shū)目錄

第1章緒論
1.1 概述
1.2 基本概念
1.2.1 二次電子倍增效應(yīng)
1.2.2 二次電子發(fā)射特性
1.2.3 電子源
1.2.4 二次電子發(fā)射模型
1.2.5 微放電閾值
1.2.6 單載波、多載波、調(diào)制波微放電
1.3 星載介質(zhì)微放電數(shù)值模擬技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)史與技術(shù)難點(diǎn)
1.4 星載介質(zhì)微放電抑制技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)史與技術(shù)難點(diǎn)
1.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章金屬二次電子發(fā)射特性實(shí)驗(yàn)與模擬
2.1 概述
2.2 金屬二次電子發(fā)射測(cè)量及理論模型
2.2.1 金屬材料二次電子測(cè)量原理與平臺(tái)
2.2.2 基于Vaughan 模型的二次電子發(fā)射特性模擬
2.2.3 基于Furman模型的SEE模擬
2.3 表面形貌對(duì)金屬二次電子發(fā)射影響的實(shí)驗(yàn)與理論研究
2.3.1 隨機(jī)粗糙起伏SEE特性實(shí)驗(yàn)和模型擬合研究
2.3.2 表面微孔隙SEE特性實(shí)驗(yàn)和模型擬合研究
2.4 金屬表面形貌對(duì)微放電影響數(shù)值模擬研究
2.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章磁性介質(zhì)二次電子發(fā)射特性模擬與實(shí)驗(yàn)
3.1 概述
3.2 介質(zhì)二次電子發(fā)射測(cè)量及理論模型
3.2.1 介質(zhì)材料二次電子測(cè)量平臺(tái)與原理
3.2.2 基于Vaughan模型的鐵氧體SEE模擬
3.3 磁性介質(zhì)表面混合電磁場(chǎng)分布研究
3.4 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)二次電子發(fā)射特性模擬研究
3.4.1 介質(zhì)表面微結(jié)構(gòu)中電子軌跡追蹤算法
3.4.2 二次電子發(fā)射模擬中的坐標(biāo)變換
3.4.3 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)SEY的蒙特卡洛模擬結(jié)果
3.5 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)SEY實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章基于表面處理技術(shù)的微放電抑制技術(shù)研究
4.1 概述
4.2 基于表面陷阱結(jié)構(gòu)的抑制技術(shù)研究
4.3 基于表面低SEY材料鍍膜的抑制技術(shù)研究
4.4 基于表面復(fù)合處理的抑制技術(shù)研究
4.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章石墨烯在星載大功率微波器件微放電抑制中的應(yīng)用研究
5.1 概述
5.2 石墨烯的二次電子發(fā)射特性研究
5.3 微波部件表面石墨烯鍍膜技術(shù)研究
5.4 基于石墨烯鍍膜的二次電子發(fā)射抑制新方法研究