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當(dāng)前位置: 首頁(yè)出版圖書科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)一般工業(yè)技術(shù)GaN量子阱光電探測(cè)器中單電子態(tài)的數(shù)值計(jì)算

GaN量子阱光電探測(cè)器中單電子態(tài)的數(shù)值計(jì)算

GaN量子阱光電探測(cè)器中單電子態(tài)的數(shù)值計(jì)算

定 價(jià):¥66.00

作 者: 哈斯花,朱俊
出版社: 吉林大學(xué)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787576809152 出版時(shí)間: 2023-01-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁(yè)數(shù): 195 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  本書總結(jié)作者十余年來一直從事Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)的理論研究結(jié)果,詳細(xì)介紹在有效質(zhì)量近似框架下基于GaN量子阱光電探測(cè)器中單電子態(tài)的數(shù)值計(jì)算方法、理論模型和計(jì)算數(shù)據(jù)分析。全書一共分為六章。 章和第二章重點(diǎn)介紹Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料及其量子阱結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和性質(zhì)。第三章討論GaN量子阱中的電子態(tài)及其受到極化電場(chǎng)、二維電子(空穴)氣、外電場(chǎng)以及電聲子相互作用的具體影響。第四章介紹GaN單量子阱和雙量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)。第五章詳細(xì)介紹GaN量子阱中的激子態(tài)及電聲子相互作用等問題。第六章通過量子阱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化,分別介紹非對(duì)稱單量子阱、外電場(chǎng)調(diào)制下的單量子阱、耦合雙量子阱和插入納米凹槽的臺(tái)階量子阱研究電子的子帶間躍遷的光學(xué)吸收問題和動(dòng)力學(xué)性質(zhì)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《GaN量子阱光電探測(cè)器中單電子態(tài)的數(shù)值計(jì)算》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

章 Ⅲ族氮化物的基本性質(zhì)
1.1 晶體結(jié)構(gòu)
1.2 能帶結(jié)構(gòu)
1.3 缺陷和雜質(zhì)
參考文獻(xiàn)
第二章 GaN量子阱的基本性質(zhì)
2.1 帶階
2.2 應(yīng)變
2.3 極化電場(chǎng)
2.4 電子氣屏蔽效應(yīng)
2.5 電聲子相互作用
參考文獻(xiàn)
第三章 GaN量子阱中的電子態(tài)
3.1 引言
3.2 理論計(jì)算模型
3.3 極化電場(chǎng)對(duì)量子阱中電子和空穴本征態(tài)的影響
3.4 電子-空穴氣屏蔽影響下應(yīng)變量子阱中電子和空穴的本征態(tài)
3.5 外電場(chǎng)下應(yīng)變量子阱中電子與空穴的本征態(tài)
3.6 電聲子相互作用對(duì)量子阱中電子本征態(tài)的影響
3.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第四章 GaN量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)
4.1 引言
4.2 理論計(jì)算模型
4.3 單量子阱情形
4.4 雙量子阱情形
4.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第五章 GaN量子阱中的激子態(tài)
5.1 引言
5.2 理論模型
5.3 閃鋅礦[001]取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.4 閃鋅礦[111]取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.5 纖鋅礦[0001]取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第六章 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.1 引言
6.2 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.3 GaN量子阱中電子的聲子輔助子帶間躍遷
6.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄

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