不同形貌GaN納米線制備技術(shù)

定　價(jià)：￥72.00

作　者：	崔真，李恩玲，王含笑
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787502495954	出版時(shí)間：	2023-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	161	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書共分10章，主要內(nèi)容包括塔形、鉛筆形、三維分支結(jié)構(gòu)、Se摻雜、螺旋形、直和繩形、竹葉形GaN納米線的制備工藝與性能測(cè)試及制備工藝對(duì)GaN納米線取向的影響，此外，還介紹了BN包覆GaN納米線和InN包覆GaN納米線的制備及表征。本書內(nèi)容涉及物理、化學(xué)、材料和電子信息等多個(gè)領(lǐng)域的相關(guān)知識(shí)，每章內(nèi)容融會(huì)貫通、分類敘述，講述了不同形貌GaN納米線的制備技術(shù)及制備工藝的影響。本書可供電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、光電信息工程、物理學(xué)類專業(yè)本科生、研究生及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《不同形貌GaN納米線制備技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

1 緒論
1.1 引言
1.2 納米材料簡(jiǎn)介
1.2.1 納米材料概述
1.2.2 納米材料的特性
1.3 GaN材料性質(zhì)
1.3.1 物理性質(zhì)
1.3.2 化學(xué)性質(zhì)
1.3.3 電學(xué)性質(zhì)
1.3.4 光學(xué)性質(zhì)
1.4 GaN納米線的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法
1.4.3 氫化物輸運(yùn)氣相外延生長(zhǎng)法
1.4.4 模板限制生長(zhǎng)法
1.4.5 激光燒蝕法
1.4.6 氧化物輔助生長(zhǎng)法
1.4.7 化學(xué)氣相沉積法
1.4.8 溶膠-凝膠法
1.5 納米線的生長(zhǎng)機(jī)制
1.5.1 氣-液-固機(jī)制
1.5.2 氣-固機(jī)制
1.6 場(chǎng)發(fā)射簡(jiǎn)介
1.6.1 功函數(shù)
1.6.2 場(chǎng)增強(qiáng)因子
1.6.3 場(chǎng)發(fā)射陰極材料研究進(jìn)展
1.7 GaN納米材料研究進(jìn)展
1.7.1 GaN材料實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展
1.7.2 GaN材料理論研究進(jìn)展
1.7.3 GaN納米材料場(chǎng)發(fā)射研究進(jìn)展
1.8 GaN納米材料表征與性能測(cè)試
1.8.1 掃描電子顯微鏡
1.8.2 X射線衍射
1.8.3 透射電子顯微鏡和選區(qū)電子衍射
1.8.4 光致發(fā)光譜
1.8.5 X射線光電子能譜技術(shù)
參考文獻(xiàn)
2 塔形和鉛筆形GaN納米線的制備及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN納米線的制備
2.2.1 塔形GaN納米線的制備過(guò)程
2.2.2 工藝條件對(duì)制備塔形GaN納米線的影響
2.2.3 塔形GaN納米線XRD表征
2.2.4 塔形GaN納米線SEM表征
2.2.5 塔形GaN納米線TEM表征
2.2.6 塔形GaN納米線生長(zhǎng)機(jī)理分析
2.3 塔形GaN納米線性能測(cè)試
2.3.1 塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析
2.3.2 塔形GaN納米線拉曼光譜分析
2.3.3 塔形GaN納米線場(chǎng)發(fā)射性能分析