CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)（第三版）

定　價(jià)：￥129.00

作　者：	（美）Phillip E.Allen（菲利普-E. 艾倫）
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121452123	出版時(shí)間：	2023-03-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)是CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)課程的經(jīng)典教材，從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā)，結(jié)合豐富的實(shí)踐與教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)的原理和技術(shù)以及容易被忽略的問(wèn)題進(jìn)行論述。全書(shū)共8章，主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí)、CMOS技術(shù)、器件模型及主要模擬電路的原理和設(shè)計(jì)，包括CMOS子電路、放大器、運(yùn)算放大器及高性能運(yùn)算放大器、比較器等。本書(shū)通過(guò)大量實(shí)例闡述設(shè)計(jì)原理，將理論與實(shí)踐融為一體，提供了大量習(xí)題與部分習(xí)題解答。同時(shí)針對(duì)許多工業(yè)界人士的需求和問(wèn)題進(jìn)行了分析和解釋。

作者簡(jiǎn)介

　　Phillip E. Allen，佐治亞理工學(xué)院電氣與計(jì)算機(jī)工程榮譽(yù)教授，IEEE會(huì)士。1970年獲得堪薩斯大學(xué)電氣工程博士學(xué)位，曾與勞倫斯利弗莫爾實(shí)驗(yàn)室、Delco、德州儀器、洛克希德和斯倫貝謝油井服務(wù)等多家公司合作。曾任教于內(nèi)華達(dá)大學(xué)里諾分校、堪薩斯大學(xué)、加州大學(xué)圣巴巴拉分校和德州農(nóng)工大學(xué)，具有豐富的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)。Phillip E. Allen，佐治亞理工學(xué)院電氣與計(jì)算機(jī)工程榮譽(yù)教授，IEEE會(huì)士。1970年獲得堪薩斯大學(xué)電氣工程博士學(xué)位，曾與勞倫斯利弗莫爾實(shí)驗(yàn)室、Delco、德州儀器、洛克希德和斯倫貝謝油井服務(wù)等多家公司合作。曾任教于內(nèi)華達(dá)大學(xué)里諾分校、堪薩斯大學(xué)、加州大學(xué)圣巴巴拉分校和德州農(nóng)工大學(xué)，具有豐富的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)。

圖書(shū)目錄

第1章緒論 1
1．1 模擬集成電路設(shè)計(jì) 1
1．2 字符、符號(hào)和術(shù)語(yǔ) 5
1．3 模擬信號(hào)處理 7
1．4 模擬VLSI混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)舉例 8
1．5 小結(jié) 12
習(xí)題 13
參考文獻(xiàn) 14

第2章 CMOS技術(shù) 15
2．1 基本MOS半導(dǎo)體制造工藝 15
2．2 pn結(jié) 27
2．3 MOS晶體管 32
2．4 無(wú)源元件 37
2．5 關(guān)于CMOS技術(shù)的其他考慮 42
2．6 小結(jié) 48
習(xí)題 49
參考文獻(xiàn) 52

第3章 CMOS器件模型 54
3．1 簡(jiǎn)單的MOS管大信號(hào)模型 (SPICE LEVEL 1) 54
3．2 其他MOS管大信號(hào)模型的參數(shù) 61
3．3 MOS管的小信號(hào)模型 70
3．4 計(jì)算機(jī)仿真模型 73
3．5 亞閾區(qū)MOS管模型 78
3．6 MOS電路的SPICE仿真 79
3．7 小結(jié) 87
習(xí)題 87
參考文獻(xiàn) 91
第4章模擬CMOS子電路 92
4．1 MOS開(kāi)關(guān) 92
4．2 MOS二極管/有源電阻 101
4．3 電流漏和電流源 103
4．4 電流鏡 111
4．5 基準(zhǔn)電流和電壓 118
4．6 與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn) 125
4．7 小結(jié) 138
4．8 設(shè)計(jì)性習(xí)題 138
習(xí)題 139
參考文獻(xiàn) 149

第5章 CMOS放大器 150
5．1 反相器 150
5．2 差分放大器 160
5．3 共源共柵放大器 175
5．4 電流放大器 185
5．5 輸出放大器 189
5．6 小結(jié) 198
習(xí)題 198
參考文獻(xiàn) 210

第6章 CMOS運(yùn)算放大器 211
6．1 CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 211
6．2 運(yùn)算放大器的補(bǔ)償 219
6．3 兩級(jí)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 231
6．4 兩級(jí)運(yùn)算放大器的電源抑制比 244
6．5 共源共柵運(yùn)算放大器 249
6．6 運(yùn)算放大器的仿真和測(cè)量 264
6．7 小結(jié) 274
習(xí)題 275
參考文獻(xiàn) 284
第7章高性能CMOS運(yùn)算放大器 285
7．1 緩沖運(yùn)算放大器 286
7．2 高速 / 高頻CMOS運(yùn)算放大器 299
7．3 差分輸出運(yùn)算放大器 310
7．4 微功耗運(yùn)算放大器 320
7．5 低噪聲運(yùn)算放大器 327
7．6 低電壓運(yùn)算放大器 337
7．7 小結(jié) 350
習(xí)題 351
參考文獻(xiàn) 355

第8章比較器 357
8．1 比較器的特性 357
8．2 兩級(jí)開(kāi)環(huán)比較器 360
8．3 其他開(kāi)環(huán)比較器 372
8．4 開(kāi)環(huán)比較器性能的改進(jìn) 374
8．5 離散時(shí)間比較器 383
8．6 高速比較器 389
8．7 小結(jié) 393
習(xí)題 393
參考文獻(xiàn) 397

附錄A 模擬電路設(shè)計(jì)的電路分析 398
附錄B 集成電路版圖 407
附錄C CMOS器件性能 426
附錄D 二階系統(tǒng)的時(shí)域和頻域關(guān)系 445