半導體干法刻蝕技術（原書第2版）

定　價：￥89.00

作　者：	[日] 野尻一男
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111742029	出版時間：	2024-01-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》是一本全面系統(tǒng)的干法刻蝕技術論著。針對干法刻蝕技術，在內容上涵蓋了從基礎知識到最新技術，使初學者能夠了解干法刻蝕的機理，而無需復雜的數(shù)值公式或方程?！栋雽w干法刻蝕技術（原書第2版）》不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋?！栋雽w干法刻蝕技術（原書第2版）》討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。

作者簡介

　　野尻一男，1973年于群馬大學工學部電子工學科本科畢業(yè)，1975年于群馬大學工學研究科碩士畢業(yè)。1975年加入日立制作所，在半導體事業(yè)部從事CVD、器件集成、干法刻蝕的研究開發(fā)；特別是對ECR等離子刻蝕和充電損傷進行了開創(chuàng)性研究；作為技術開發(fā)領域的領導者，他還擔任過多個管理職位。2000年加入泛林集團日本公司并擔任董事兼CTO。2019年，獨立并作為 Nanotech Research 的代表提供技術和管理咨詢。1989年因“磁場微波等離子體刻蝕技術的開發(fā)及實用化”獲得大河內紀念獎；1994年因“低溫干法刻蝕設備的開發(fā)”獲得日本機械工業(yè)振興會通產(chǎn)大臣獎；獲得2019年度DPS西澤獎。

圖書目錄

譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章半導體集成電路的發(fā)展與干法刻蝕技術
1.1　干法刻蝕的概述
1.2　干法刻蝕的評價參數(shù)
1.3　干法刻蝕在 LSI的高度集成中的作用
參考文獻
第2章干法刻蝕的機理
2.1　等離子體基礎知識
2.1.1　什么是等離子體
2.1.2　等離子體的物理量
2.1.3　等離子體中的碰撞反應過程
2.2　離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為
2.2.1　離子鞘和 Vdc
2.2.2　離子鞘層中的離子散射
2.3　刻蝕工藝的設置方法
2.3.1　干法刻蝕的反應過程
2.3.2　各向異性刻蝕的機理
2.3.3　側壁保護工藝
2.3.4　刻蝕速率
2.3.5　選擇比
2.3.6　總結
參考文獻
第3章各種材料刻蝕
3.1　柵極刻蝕
3.1.1　多晶硅的柵極刻蝕
3.1.2　CD的晶圓面內均勻性控制
3.1.3　WSi2/多晶硅的柵極刻蝕
3.1.4　W/WN/多晶硅的柵極刻蝕
3.1.5　Si襯底刻蝕
3.2　SiO2刻蝕
3.2.1　SiO2刻蝕機理
3.2.2　SiO2刻蝕的關鍵參數(shù)
3.2.3　SAC刻蝕
3.2.4　側墻刻蝕
3.3　布線刻蝕
3.3.1　Al布線刻蝕
3.3.2　Al布線的防后腐蝕處理技術
3.3.3　其他布線材料的刻蝕
3.4　總結
參考文獻
第4章干法刻蝕設備
4.1　干法刻蝕設備的歷史
4.2　桶式等離子體刻蝕機
4.3　CCP等離子體刻蝕機
4.4　磁控管 RIE
4.5　ECR等離子體刻蝕機
4.6　ICP等離子體刻蝕機
4.7　干法刻蝕設備實例
4.8　靜電卡盤
4.8.1　靜電卡盤的種類及吸附原理
4.8.2　晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第 5章　干法刻蝕損傷
5.1　Si表面層引入的損傷
5.2　電荷積累損傷
5.2.1　電荷積累損傷的評估方法
5.2.2　產(chǎn)生電荷積累的機理
5.2.3　各種刻蝕設備的電荷積累評估及其降低方法
5.2.4　等離子體處理中柵氧化膜擊穿的機理
5.2.5　因圖形導致的柵氧化膜擊穿
5.2.6　溫度對柵氧化膜擊穿的影響
5.2.7　基于器件設計規(guī)則的電荷積累損傷對策
參考文獻
第6章　新的刻蝕技術
6.1　Cu大馬士革刻蝕
6.2　Low-k刻蝕
6.3　使用多孔 Low-k的大馬士革布線
6.4　金屬柵極 /High-k刻蝕
6.5　FinFET刻蝕
6.6　多重圖形化
6.6.1　SADP
6.6.2　SAQP
6.7　用于 3D NAND/DRAM的高深寬比孔刻蝕技術
6.8　用于 3D IC的刻蝕技術
參考文獻
第 7章　原子層刻蝕（ALE）
7.1　ALE的原理
7.2　ALE的特性
7.2.1　Si、GaN和 W的 ALE工藝順序
7.2.2　自限性反應
7.2.3　去除步驟中 EPC的離子能量依賴性
7.2.4　表面平坦度
7.3　ALE的協(xié)同效應
7.4　影響 EPC和濺射閾值的參數(shù)
7.5　SiO2 ALE
7.6　總結
參考文獻
第 8章　未來的挑戰(zhàn)和展望
8.1　干法刻蝕技術革新
8.2　今后的課題和展望
8.3　工程師的準備工作
參考文獻