低維形態(tài)樣品組合材料芯片高通量制備技術(shù)與示范應(yīng)用

　　本書重點(diǎn)介紹薄膜、厚膜及粉體樣品組合材料芯片高通量制備技術(shù)及其應(yīng)用示范，內(nèi)容依托國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目“低維組合材料芯片高通量制備及快速篩選關(guān)鍵技術(shù)與裝備”（2016YFB0700200），同時(shí)增加了國(guó)內(nèi)外相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的研究進(jìn)展、應(yīng)用案例和專利分析。本書技術(shù)內(nèi)容11章：基于物理氣相沉積的薄膜組合材料芯片高通量制備技術(shù)，基于化學(xué)氣相沉積的薄膜厚膜組合材料芯片高通量制備技術(shù)，基于多源噴涂/光定向電泳沉積厚膜組合材料芯片高通量制備技術(shù)，基于外場(chǎng)加熱結(jié)合的多通道并行合成粉體組合材料芯片制備技術(shù)，以及基于多通道微反應(yīng)器的微納粉體組合材料芯片制備技術(shù)。此外，在第12章專門對(duì)比分析國(guó)內(nèi)外高通量制備技術(shù)與裝備的專利特點(diǎn)和專利布局，對(duì)制定我國(guó)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略具有參考價(jià)值。

暫缺《低維形態(tài)樣品組合材料芯片高通量制備技術(shù)與示范應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介