半導(dǎo)體器件物理

出版說明
前言
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第1章　半導(dǎo)體特性
  1.1　半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
    1.1.1　晶體的結(jié)構(gòu)
    1.1.2　晶體的各向異性
  1.2　半導(dǎo)體的電性能
    1.2.1　溫度和半導(dǎo)體
    1.2.2　雜質(zhì)和半導(dǎo)體
    1.2.3　光照和半導(dǎo)體
    1.2.4　其他因素和半導(dǎo)體
  1.3　半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
    1.3.1　電子的共有化運(yùn)動
    1.3.2　電子狀態(tài)和能帶
  1.4　半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷
    1.4.1　半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和雜質(zhì)能級
    1.4.2　半導(dǎo)體中的缺陷和缺陷能級
  1.5　載流子的運(yùn)動
    1.5.1　載流子濃度與費(fèi)米能級位置的關(guān)系
    1.5.2　本征半導(dǎo)體的載流子濃度
    1.5.3　雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
    1.5.4　載流子的漂移運(yùn)動
    1.5.5　載流子的擴(kuò)散運(yùn)動
1.6　非平衡載流子
  1.6.1　非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合
  1.6.2　非平衡載流子的壽命
  1.6.3　復(fù)合理論
1.7　習(xí)題
第2章　P-N結(jié)
　2.1　P-N　結(jié)及其能帶圖
  　2.1.1　P-N　結(jié)的形成和雜質(zhì)分布
  　2.1.2　p-N　結(jié)的能帶圖
  　2.1.3　P-N　結(jié)的載流子分布
　2.2　平衡P-N結(jié)
  　2.2.1　空間電荷區(qū)和接觸電勢差
 　 2.2.2　空間電荷區(qū)的電場和電位分布
　……
第3章 晶體管的直流特性
第4章 晶體管的頻率特性與功率特性
第5章 晶體管的開關(guān)特性
第6章 雙極型晶體管的設(shè)計
第7章 半導(dǎo)體表面特性及mos電容
第8章 mos場效應(yīng)晶體管的基本特性
第9章 mos功率場效應(yīng)晶體管
第10章 小尺寸mos器件的特點
附錄
參考文獻(xiàn)