碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用（原書(shū)第2版）

定　價(jià)：￥168.00

作　者：	[日] 松波弘之，大谷昇，木本恒暢，中村孝等著
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	半導(dǎo)體與集成電路關(guān)鍵技術(shù)叢書(shū)
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111705161	出版時(shí)間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	396	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽(yù)教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實(shí)力派教授木本恒暢和企業(yè)實(shí)力代表羅姆株式會(huì)社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭，集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表，在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，撰寫(xiě)了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn)，以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實(shí)用型專(zhuān)業(yè)指導(dǎo)書(shū)。書(shū)中從理論面到技術(shù)面層次分明、清晰易懂地展開(kāi)觀點(diǎn)論述，內(nèi)容覆蓋碳化硅材料和器件從制造到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈，不僅表述了碳化硅各環(huán)節(jié)的科學(xué)原理，還介紹了各種相關(guān)的工藝技術(shù)。本書(shū)對(duì)推動(dòng)我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有積極意義，適合功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備、應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和投資領(lǐng)域人士閱讀，也可作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級(jí)學(xué)生的理想選修教材。

作者簡(jiǎn)介

　　松波弘之 1962年畢業(yè)于京都大學(xué)工學(xué)部，1970年獲得工學(xué)博士，1976—1977年擔(dān)任美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)客座副教授，1983年擔(dān)任京都大學(xué)教授，2003年退休后擔(dān)任京都大學(xué)名譽(yù)教授。專(zhuān)業(yè)：半導(dǎo)體材料工程學(xué)。大谷昇 1984年完成東京工業(yè)大學(xué)物理學(xué)碩士課程，2008年擔(dān)任日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)教授。專(zhuān)業(yè)：碳化硅半導(dǎo)體材料的晶體生長(zhǎng)以及缺陷物理學(xué)。木本恒暢 1986年畢業(yè)于京都大學(xué)工學(xué)部。1988年進(jìn)入住友電氣工業(yè)公司伊丹研究所工作。2006年至今，擔(dān)任京都大學(xué)教授。專(zhuān)業(yè)：半導(dǎo)體材料，器件。中村孝 1990年進(jìn)入羅姆公司，進(jìn)行大規(guī)模集成電路的工藝開(kāi)發(fā)。1996年獲得京都大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位。2003年至今，從事碳化硅功率器件開(kāi)發(fā)工作。

圖書(shū)目錄

目錄
推薦序一
推薦序二
譯者序
原書(shū)前言
原書(shū)編委會(huì)成員
原書(shū)作者名單
第1章碳化硅（SiC）技術(shù)的進(jìn)展
1.1發(fā)展的歷史背景
1.2臺(tái)階控制外延生長(zhǎng)模式的發(fā)明（SiC技術(shù)的大突破）
1.3SiC襯底結(jié)晶的研發(fā)進(jìn)展
1.4運(yùn)用于功率半導(dǎo)體的前景
1.5肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)化
1.6晶體管的產(chǎn)業(yè)化
1.7功率器件模塊
第2章SiC的特征
第3章SiC單晶的晶體生長(zhǎng)技術(shù)
3.1SiC晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)
3.2升華法
3.2.1使用升華法生長(zhǎng)大尺寸SiC晶體
3.2.2RAF生長(zhǎng)法
3.3液相法
3.3.1通過(guò)添加金屬溶媒的SiC單晶液相生長(zhǎng)
3.3.2在六方晶襯底上進(jìn)行3C-SiC液相生長(zhǎng)
3.3.3MSE法
3.4氣相法
3.4.1氣體生長(zhǎng)法
3.4.2Si襯底上生長(zhǎng)3C-SiC厚膜
3.5SiC晶體生長(zhǎng)工藝的仿真模擬技術(shù)
3.5.1升華法生長(zhǎng)單晶的仿真模擬
3.5.2橫向熱壁CVD生長(zhǎng)模擬
第4章SiC單晶襯底加工技術(shù)
4.1SiC單晶多線切割
4.1.1加工設(shè)備以及工具
4.1.2各種加工方式的優(yōu)缺點(diǎn)
4.2SiC單晶襯底的研磨技術(shù)
4.2.1粗加工
4.2.2精加工
4.2.3雙面CMP
4.3SiC單晶的新加工法
4.3.1CARE法
4.3.2放電加工法
第5章SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)
5.1SiC外延生長(zhǎng)的基礎(chǔ)
5.2SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的進(jìn)展
5.2.1SiC外延層的高品質(zhì)化
5.2.2SiC外延層的高速生長(zhǎng)
5.3有關(guān)SiC外延生長(zhǎng)中晶體缺陷的研究
5.3.1擴(kuò)展缺陷
5.3.2點(diǎn)缺陷
專(zhuān)欄：石墨烯
第6章SiC的表征技術(shù)
6.1SiC的物理性質(zhì)評(píng)價(jià)
6.1.1光致發(fā)光
6.1.2拉曼散射評(píng)估
6.1.3霍爾效應(yīng)
6.1.4載流子壽命測(cè)量
6.2SiC的缺陷評(píng)估
6.2.1采用化學(xué)刻蝕評(píng)估位錯(cuò)
6.2.2X射線形貌法下的位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)缺陷等的評(píng)估
6.2.3深能級(jí)評(píng)估
6.2.4電子自旋共振（ESR）下的點(diǎn)缺陷評(píng)估
專(zhuān)欄：晶圓成像評(píng)估
ⅩⅤⅠⅠⅩⅤⅠⅠⅠ第7章SiC的工藝技術(shù)
7.1離子注入
7.1.1維持SiC表面平坦化
7.1.2低電阻n型區(qū)的形成
7.1.3低電阻p型區(qū)的形成
7.1.4離子注入的Al與B的分布控制
7.2刻蝕
7.2.1反應(yīng)等離子體刻蝕
7.2.2高溫刻蝕
7.2.3濕法刻蝕
7.2.4刻蝕形狀的控制
7.3柵極絕緣層
7.3.1MOS界面基礎(chǔ)與界面物理性質(zhì)評(píng)估法
7.3.2熱氧化膜
7.3.3沉積氧化膜
7.3.4高相對(duì)介電常數(shù)絕緣膜
7.4電極
7.4.1歐姆電極
7.4.2肖特基電極
專(zhuān)欄：MEMS
第8章器件
8.1器件設(shè)計(jì)
8.1.1漂移層的設(shè)計(jì)與導(dǎo)通電阻
8.1.2器件的功率損耗
8.2模擬實(shí)驗(yàn)
8.2.1功率器件的等比例縮小和巴利加優(yōu)值
8.2.2SiC功率器件模擬的收斂問(wèn)題
8.2.3SiC的碰撞電離系數(shù)的各向異性
8.2.4SiC器件的終端結(jié)構(gòu)
8.3二極管
8.3.1pn結(jié)二極管
8.3.2肖特基勢(shì)壘二極管
8.4單極型晶體管
8.4.1DMOSFET
8.4.2溝槽MOSFET
8.4.3DACFET
8.4.4IEMOSFET
8.4.5JFET
8.4.6嵌入溝槽型SiC JFET
8.4.7SIT
8.5雙極型晶體管
8.5.1BJT
8.5.2晶閘管，GCT
8.6高輸出功率、高頻率器件
8.6.1晶體管
8.6.2二極管
專(zhuān)欄：絕緣柵雙極型晶體管
第9章SiC應(yīng)用系統(tǒng)
9.1SiC器件在電路工藝上的應(yīng)用
9.1.1SiC功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域以及電路設(shè)計(jì)
9.1.2電路小型化的SiC功率器件應(yīng)用
9.1.3SiC功率器件在電路上的應(yīng)用實(shí)例
9.2在逆變電路上的應(yīng)用（1）：通用逆變器
9.2.1通用逆變器主要結(jié)構(gòu)
9.2.2逆變器單元設(shè)計(jì)、試制示例
9.3在逆變電路上的應(yīng)用（2）：車(chē)載逆變器
9.3.1車(chē)載逆變器的構(gòu)成
9.3.2車(chē)載逆變器對(duì)功率半導(dǎo)體性能的要求以及
對(duì)SiC的期待
9.3.3SiC逆變器的車(chē)載實(shí)例
9.3.4車(chē)載SiC逆變器今后的研究課題
9.4在逆變電路上的應(yīng)用（3）：鐵路用逆變器
9.4.1鐵路用逆變器與功率器件
9.4.2鐵路用逆變器的電路結(jié)構(gòu)
9.4.3鐵路用逆變器上的SiC器件應(yīng)用
9.5在逆變電路上的應(yīng)用（4）：電力用逆變器
9.5.1使用SiC二極管的混合結(jié)構(gòu)逆變器與電力穩(wěn)定裝置
9.5.2SiC MOSFET構(gòu)成的太陽(yáng)能電池并網(wǎng)用三相逆變器
9.5.3帶有應(yīng)對(duì)瞬時(shí)電壓下降功能的負(fù)荷平衡裝置用
高過(guò)載三相全SiC逆變器
專(zhuān)欄：高耐熱模塊
ⅩⅠⅩⅩⅩ第10章各領(lǐng)域SiC應(yīng)用前景
10.1新能源汽車(chē)
10.1.1汽車(chē)行業(yè)的外部環(huán)境
10.1.2豐田HV的過(guò)去、現(xiàn)在和將來(lái)
10.1.3最新HV
10.1.4對(duì)SiC產(chǎn)業(yè)今后的期待
10.2太陽(yáng)能發(fā)電
10.2.1光伏逆變器
10.2.2對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的期待
10.3電源，UPS
10.3.1直流電源
10.3.2UPS
10.4鐵路
10.4.1鐵路列車(chē)半導(dǎo)體電力變換裝置概要
10.4.2鐵路電氣化方式
10.4.3主電路用逆變器
10.4.4交流電氣化區(qū)域的主電路
10.4.5SIV
10.4.6變電站
10.4.7市場(chǎng)規(guī)模
10.4.8SiC化的動(dòng)向
10.5家電
10.5.1家電領(lǐng)域的電力使用
10.5.2電力電子家電的變遷及SiC的萌芽
10.5.3家電的逆變器與功率半導(dǎo)體
10.5.4SiC器件的前景
10.6電力
10.6.1功率半導(dǎo)體器件的電力系統(tǒng)適用實(shí)例及SiC適用效果
10.6.2智能電網(wǎng)