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電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)

電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)

定 價(jià):¥118.00

作 者: 姜小明,郭國聰 著
出版社: 科學(xué)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787030723536 出版時(shí)間: 2022-06-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 186 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)是一門以研究固體中電子結(jié)構(gòu)及其性質(zhì)為目的的晶體學(xué)實(shí)驗(yàn)科學(xué),結(jié)合了晶體學(xué)實(shí)驗(yàn)方法和電子結(jié)構(gòu)的量子理論,是一門交叉學(xué)科,是當(dāng)前晶體學(xué)研究前沿領(lǐng)域之一。材料的本征性能主要由其電子結(jié)構(gòu)決定。電子結(jié)構(gòu)可采用電子密度、電子波函數(shù)或電子密度矩陣描述,其中電子密度的傅里葉變換(結(jié)構(gòu)因子)可通過散射實(shí)驗(yàn)測(cè)定,因此,材料電子密度可以通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試獲得,稱為實(shí)驗(yàn)電子密度。而且,通過建立合適的理論模型,采用一定的精修技術(shù),可進(jìn)一步重構(gòu)出材料的實(shí)驗(yàn)電子波函數(shù)或?qū)嶒?yàn)電子密度矩陣,用于材料物化性能的計(jì)算?!峨娮咏Y(jié)構(gòu)晶體學(xué)》主要介紹采用散射方法(主要是X射線單晶衍射,也包括極化中子衍射和康普頓散射)研究晶體材料的實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)(包括實(shí)驗(yàn)電子密度、實(shí)驗(yàn)電子波函數(shù)或?qū)嶒?yàn)電子密度矩陣)的相關(guān)理論和精修技術(shù),主要包括散射實(shí)驗(yàn)、原子熱振動(dòng)分析、電子結(jié)構(gòu)理論模型、精修重構(gòu)及拓?fù)浞治鲋猩婕暗幕纠碚?,并?duì)電子結(jié)構(gòu)測(cè)試儀器(X射線單晶衍射儀)與電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)的應(yīng)用做了基本介紹。

作者簡介

暫缺《電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)》作者簡介

圖書目錄

目錄
序一
序二
前言
第1章 電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)概述 1
1.1 引言 1
1.2 電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)的發(fā)展歷史 4
1.2.1 X射線晶體學(xué)和量子力學(xué)的開端 4
1.2.2 實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)研究的萌芽時(shí)期 5
1.2.3 贗原子模型的發(fā)展 5
1.2.4 實(shí)驗(yàn)電子密度矩陣模型的發(fā)展 8
1.2.5 實(shí)驗(yàn)電子波函數(shù)模型的發(fā)展 10
1.2.6 電子衍射研究電子結(jié)構(gòu)技術(shù)的發(fā)展 12
1.3 電子結(jié)構(gòu)的描述 13
1.3.1 電子密度 13
1.3.2 殘余密度 14
1.3.3 差分密度 15
1.3.4 電子波函數(shù)與密度矩陣 17
參考文獻(xiàn) 19
第2章 電子密度函數(shù)的第一性原理計(jì)算 27
2.1 引言 27
2.2 從頭計(jì)算方法的基本框架與假設(shè) 28
2.3 密度矩陣與密度函數(shù) 29
2.3.1 基本定義 29
2.3.2 電子密度 30
2.3.3 動(dòng)量密度 31
2.4 Hartree-Fock(HF)和Kohn-Sham(KS)方法 33
2.4.1 基本理論框架 33
2.4.2 HF與KS方程的周期性解 35
2.4.3 晶態(tài)密度矩陣與密度函數(shù)的計(jì)算 36
2.4.4 贗勢(shì) 37
2.4.5 基組 38
參考文獻(xiàn) 39
第3章 電子結(jié)構(gòu)的拓?fù)渲笜?biāo)與性質(zhì) 40
3.1 引言 40
3.2 分子中的拓?fù)湓臃治觥?1
3.2.1 電子密度的拓?fù)涿枋觥?1
3.2.2 梯度矢量場(chǎng)與拓?fù)湓印?3
3.2.3 鍵路徑與分子拓?fù)鋱D 44
3.2.4 拉普拉斯量 45
3.2.5 拓?fù)浠瘜W(xué)鍵性質(zhì) 45
3.2.6 拓?fù)湓有再|(zhì) 49
3.3 化學(xué)相互作用分析 54
3.3.1 源函數(shù) 54
3.3.2 電子局域函數(shù) 55
3.3.3 約化密度梯度函數(shù) 58
3.4 密度矩陣的粗?;c能量劃分 58
3.4.1 密度矩陣在實(shí)空間中的劃分 59
3.4.2 能量劃分 62
3.4.3 電子布居統(tǒng)計(jì) 65
3.5 限制空間劃分 66
3.5.1 *-限制空間劃分 67
3.5.2 限制電子布居分析 69
3.5.3 準(zhǔn)連續(xù)分布 70
3.5.4 電子局域指標(biāo) 70
3.6 分子間相互作用能 74
3.6.1 實(shí)驗(yàn)電子密度的相互作用能 74
3.6.2 靜電相互作用的贗原子表示 76
3.6.3 非靜電相互作用 78
3.6.4 晶格能 79
3.6.5 實(shí)驗(yàn)電荷分析獲得相互作用能 81
參考文獻(xiàn) 81
第4章 電子結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)測(cè)試原理 84
4.1 引言 84
4.2 熱振動(dòng)分析 87
4.2.1 晶格動(dòng)力學(xué) 87
4.2.2 原子位移參數(shù) 89
4.2.3 剛性片段分析 92
4.2.4 中子衍射輔助分析 94
4.3 散射實(shí)驗(yàn) 95
4.3.1 X射線衍射 95
4.3.2 極化中子衍射 96
4.3.3 康普頓散射 97
4.4 實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)的精修算法 98
4.4.1 *小二乘法 98
4.4.2 *大熵法 103
參考文獻(xiàn) 106
第5章 贗原子模型 107
5.1 引言 107
5.2 獨(dú)立原子模型 108
5.3 Kappa模型 108
5.4 多極模型 109
5.4.1 多極球諧函數(shù) 110
5.4.2 實(shí)球諧密度函數(shù) 111
5.4.3 徑向分布函數(shù) 112
5.4.4 多極模型框架 113
5.4.5 非球形原子散射因子 113
5.4.6 芯電子層擴(kuò)展的多極模型 115
5.5 自旋密度模型 115
5.5.1 純自旋貢獻(xiàn) 116
5.5.2 自旋和軌道貢獻(xiàn) 118
5.5.3 非共線磁性 119
5.5.4 電子密度與自旋密度的組合精修 119
5.6 其他電子密度模型 120
5.6.1 X射線原子軌道模型(XAO) 120
5.6.2 X射線分子軌道模型(XMO) 126
5.6.3 分子軌道布居模型(MOON) 133
參考文獻(xiàn) 134
第6章 密度矩陣模型 136
6.1 引言 136
6.2 密度矩陣模型 136
6.2.1 密度矩陣的定義 136
6.2.2 密度矩陣的局域模型 137
6.3 密度矩陣與散射實(shí)驗(yàn)的關(guān)聯(lián) 139
6.3.1 動(dòng)態(tài)散射因子 139
6.3.2 靜態(tài)結(jié)構(gòu)因子 140
6.3.3 彈性散射 140
6.3.4 非彈性散射 141
6.4 密度矩陣的重構(gòu)與精修 143
6.4.1 貝葉斯理論方法 143
6.4.2 不同類型數(shù)據(jù)的組合精修 144
6.4.3 單電子約化密度矩陣(1-RDM)的精修 146
6.4.4 結(jié)構(gòu)因子與康普頓輪廓數(shù)據(jù)的組合精修 147
6.4.5 自旋分辨的1-RDM精修 148
參考文獻(xiàn) 152
第7章 電子波函數(shù)模型 153
7.1 引言 153
7.2 X射線限制波函數(shù)(XCW)模型 154
7.2.1 數(shù)學(xué)框架 154
7.2.2 Hirshfeld原子精修 155
7.2.3 X射線限制波函數(shù)精修 159
7.2.4 開殼層體系方法 162
7.2.5 相對(duì)論效應(yīng)的處理 163
7.3 X射線限制極局域分子軌道(XC-ELMO)方法 164
7.3.1 極局域分子軌道的定義 164
7.3.2 實(shí)驗(yàn)限制極局域分子軌道精修 166
參考文獻(xiàn) 168
第8章 實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)的測(cè)試儀器與應(yīng)用 170
8.1 引言 170
8.2 用于實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)測(cè)試的X射線單晶衍射儀 170
8.2.1 X射線源 170
8.2.2 測(cè)角儀 172
8.2.3 X射線探測(cè)器 172
8.2.4 低溫系統(tǒng) 172
8.2.5 激光器外場(chǎng)設(shè)備 173
8.3 實(shí)驗(yàn)電子結(jié)構(gòu)測(cè)試要點(diǎn) 173
8.3.1 單晶樣品 173
8.3.2 測(cè)試過程 174
8.3.3 數(shù)據(jù)校正 174
8.3.4 電子結(jié)構(gòu)精修質(zhì)量檢查 175
8.4 電子結(jié)構(gòu)晶體學(xué)的潛在應(yīng)用 177
參考文獻(xiàn) 179
索引 182

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