碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術

定　價：￥99.00

作　者：	高遠，陳橋梁著
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111681755	出版時間：	2021-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業(yè)界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiC MOSFET參數(shù)的解讀、測試及應用，雙脈沖測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。

作者簡介

　　現(xiàn)任泰科天潤半導體技術有限公司應用測試中心主任。主要從事功率半導體器件特性測試、評估及其在功率變換器上應用的關鍵技術的研究工作，致力于碳化硅功率器件市場應用的推廣，被領先的測試解決方案提供商泰克科技聘為電源功率器件領域外部專家。2012年和2015年分別于西安交通大學獲學士和碩士學位，發(fā)表學術論文5篇，出版專著《碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術》。

圖書目錄

電力電子新技術系列圖書序言
序
前言
第1章功率半導體器件基礎1
1.1Si功率器件1
1.1.1Si功率二極管1
1.1.2Si功率MOSFET5
1.1.3Si IGBT9
1.2SiC功率器件12
1.2.1SiC半導體材料特性12
1.2.2SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀15
參考文獻25
延伸閱讀26
第2章SiC MOSFET參數(shù)的解讀、測試及應用29
2.1最大值29
2.1.1擊穿電壓29
2.1.2熱阻抗31
2.1.3最大耗散功率和最大漏極電流32
2.1.4安全工作域33
2.2靜態(tài)特性35
2.2.1傳遞特性和閾值電壓35
2.2.2輸出特性和導通電阻35
2.2.3體二極管和第三象限導通特性38
2.3動態(tài)特性39
2.3.1結電容39
2.3.2開關特性40
2.3.3柵電荷47
2.4參數(shù)測試48
2.4.1I-V特性測試48
2.4.2結電容測試50
2.4.3柵電荷測試53
2.4.4測試設備53
2.5FOM值55
2.6器件建模與仿真58
2.7器件損耗計算63
2.7.1損耗計算方法63
2.7.2仿真軟件66
參考文獻68
延伸閱讀70
第3章雙脈沖測試技術75
3.1功率變換器換流模式75
3.2雙脈沖測試基礎79
3.2.1雙脈沖測試原理79
3.2.2雙脈沖測試參數(shù)設定82
3.2.3雙脈沖測試平臺85
3.3測量挑戰(zhàn)90
3.3.1示波器90
3.3.2電壓探頭104
3.3.3電流傳感器115
3.3.4時間偏移118
3.3.5寄生參數(shù)121
3.4雙脈沖測試設備126
參考文獻130
延伸閱讀132
第4章SiC器件與Si器件特性對比135
4.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET135
4.1.1靜態(tài)特性135
4.1.2動態(tài)特性137
4.2SiC MOSFET和Si IGBT145
4.2.1傳遞特性145
4.2.2輸出特性145
4.2.3動態(tài)特性146
4.2.4短路特性152
4.3SiC二極管和Si二極管154
4.3.1導通特性154
4.3.2反向恢復特性155
延伸閱讀162
第5章高di/dt的影響與應對——關斷電壓過沖163
5.1關斷電壓過沖的影響因素163
5.2應對措施1——回路電感控制165
5.2.1回路電感與局部電感165
5.2.2PCB線路電感167
5.2.3器件封裝電感168
5.3應對措施2——去耦電容170
5.3.1電容器基本原理170
5.3.2去耦電容基礎172
5.3.3小信號模型分析176
5.4應對措施3——降低關斷速度184
參考文獻186
延伸閱讀187
第6章高dv/dt的影響與應對——crosstalk188
6.1crosstalk基本原理188
6.1.1開通crosstalk189
6.1.2關斷crosstalk191
6.2關鍵影響因素194
6.2.1等效電路分析194
6.2.2實驗測試方案與結果195
6.3應對措施1——米勒鉗位200
6.3.1晶體管型米勒鉗位200
6.3.2IC集成有源米勒鉗位202
6.4應對措施2——驅動回路電感控制206
6.4.1驅動回路電感對米勒鉗位的影響206
6.4.2封裝集成206
參考文獻212
延伸閱讀213
第7章高dv/dt的影響與應對——共模電流214
7.1信號通路共模電流214
7.1.1功率變換器中的共模電流214
7.1.2信號通路共模電流特性217
7.2應對措施1——高CMTI驅動芯片219
7.3應對措施2——高共模阻抗223
7.3.1減小隔離電容223
7.3.2共模電感224
7.4應對措施3——共模電流疏導225
7.4.1Y電容225
7.4.2并行供電226
7.4.3串聯(lián)式驅動電路227
7.5差模干擾測量227
7.5.1常規(guī)電壓探頭227
7.5.2電源軌探頭229
參考文獻235
延伸閱讀236
第8章共源極電感的影響與應對238
8.1共源極電感238
8.1.1共源極電感及其影響238
8.1.2開爾文源極封裝241
8.2對比測試方案242
8.2.1傳統(tǒng)對比測試方案242
8.2.24-in-4和4-in-3對比測試方案244
8.3對開關過程的影響245
8.3.1開通過程245
8.3.2關斷過程249
8.3.3開關能量與dVDS/dt253
8.4對crosstalk的影響257
8.4.1開通crosstalk257
8.4.2關斷crosstalk261
參考文獻265
延伸閱讀266
第9章驅動電路設計267
9.1驅動電路基礎267
9.1.1驅動電路架構與發(fā)展267
9.1.2驅動電路各功能模塊269
9.2驅動電阻取值275
9.3驅動電壓280
9.3.1SiC MOSFET對驅動電壓的要求280
9.3.2關斷負電壓的提供281
9.4驅動級特性的影響283
9.4.1 輸出峰值電流283
9.4.2BJT和MOSFET電流Boost284
9.4.3米勒斜坡下的驅動能力287
9.5信號隔離傳輸292
9.5.1隔離方式292
9.5.2安規(guī)與絕緣295
9.6短路保護300
9.6.1短路保護的檢測方式301
9.6.2DESAT短路保護303
參考文獻306
延伸閱讀309