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短波紅外InGaAs探測器輻照特性研究

短波紅外InGaAs探測器輻照特性研究

定 價:¥23.50

作 者: 黃星 著
出版社: 安徽師范大學出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

ISBN: 9787567646070 出版時間: 2020-12-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 106 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  本書圍繞短波紅外InGaAs探測器的航天遙感應用,采用微波反射法提取了InGaAs吸收層的少子壽命,研究了不同鈍化方法的短波紅外InGaAs探測器的低頻噪聲,并利用g-r噪聲的溫度特性提取了PECVD鈍化器件的缺陷能級,為短波紅外InGaAs探測器在太空質(zhì)子、電子和γ射線等輻照下正常工作提供保障。

作者簡介

  黃星,安慶師范大學物理與電氣工程學院講師,畢業(yè)于中國科學院上海技術物理研究所,主要研究領域為短波紅外光電探測器。公開發(fā)表論文四篇,其中SCI收錄兩篇,EI收錄一篇,中文核心收錄一篇。參與***課題一項。第一發(fā)明人授權專利一項。

圖書目錄

第一章 引言
第一節(jié) 紅外探測器的發(fā)展及其航天遙感應用
一、紅外探測器的發(fā)展
二、紅外探測器的航天遙感應用
第二節(jié) 航天遙感用半導體器件的輻照效應
一、空間輻照環(huán)境
二、半導體器件的輻照效應
第三節(jié) 航天應用短波紅外InGaAs探測器的發(fā)展
第四節(jié) 研究目的和主要內(nèi)容
第二章 理論基礎
第一節(jié) 光電器件的輻照效應理論
一、輻照對半導體的基本損傷機制
二、輻照效應對光電器件特性的影響
第二節(jié) 光電探測器的低頻噪聲理論
第三節(jié) μ-PCD提取材料少子壽命理論基礎
第四節(jié) 小結
第三章 短波紅外InGaAs探測器器件物理研究
第一節(jié) 概述
一、μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
二、延伸波長InGaAs器件的低頻噪聲研究
第二節(jié) μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
一、實驗
二、結果與討論
第三節(jié) 延伸波長In0.83Ga0.17As探測器的低頻噪聲研究
一、實驗
二、兩種不同鈍化方式探測器的1/f噪聲特性比較
三、利用器件g-r噪聲特性提取缺陷能級
第四節(jié) 小結
第四章 短波紅外InGaAs探測器的γ輻照效應
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實驗
一、器件制備
二、輻照和測試
第三節(jié) 晶格匹配InGaAs探測器的γ輻照效應
一、非原位測試
二、原位測試
第四節(jié) 延伸波長InGaAs探測器的γ輻照效應
第五節(jié) 小結
第五章 延伸波長InGaAs探測器的質(zhì)子輻照效應
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實驗
第三節(jié) 結果與討論
一、輻照對器件暗電流的影響
二、輻照對器件低頻噪聲的影響
三、輻照對材料PL譜的影響
四、輻照對器件探測率和量子效率的影響
第四節(jié) 小結
第六章 總結與展望
第一節(jié) 總結
一、利用μ-PCD測試提取In0.53Ga0.47As材料的少子壽命
二、延伸波長In0.83Ga0.12As探測器的低頻噪聲特性
三、短波紅外InGaAs探測器的γ輻照效應
四、In0.83Ga0.17As材料和器件的質(zhì)子輻照效應
第二節(jié) 展望
一、利用μ-PCD提取In0.53Ga0.47As材料少子壽命的研究有待完善
二、利用器件g-r噪聲提取缺陷能級的準確性問題
三、對輻照損傷微觀機理的研究有待深入
四、抗輻照加固工作有待開展
參考文獻

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