短波紅外InGaAs探測(cè)器輻照特性研究

第一章 引言
第一節(jié) 紅外探測(cè)器的發(fā)展及其航天遙感應(yīng)用
一、紅外探測(cè)器的發(fā)展
二、紅外探測(cè)器的航天遙感應(yīng)用
第二節(jié) 航天遙感用半導(dǎo)體器件的輻照效應(yīng)
一、空間輻照環(huán)境
二、半導(dǎo)體器件的輻照效應(yīng)
第三節(jié) 航天應(yīng)用短波紅外InGaAs探測(cè)器的發(fā)展
第四節(jié) 研究目的和主要內(nèi)容
第二章 理論基礎(chǔ)
第一節(jié) 光電器件的輻照效應(yīng)理論
一、輻照對(duì)半導(dǎo)體的基本損傷機(jī)制
二、輻照效應(yīng)對(duì)光電器件特性的影響
第二節(jié) 光電探測(cè)器的低頻噪聲理論
第三節(jié) μ-PCD提取材料少子壽命理論基礎(chǔ)
第四節(jié) 小結(jié)
第三章 短波紅外InGaAs探測(cè)器器件物理研究
第一節(jié) 概述
一、μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
二、延伸波長(zhǎng)InGaAs器件的低頻噪聲研究
第二節(jié) μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
一、實(shí)驗(yàn)
二、結(jié)果與討論
第三節(jié) 延伸波長(zhǎng)In0.83Ga0.17As探測(cè)器的低頻噪聲研究
一、實(shí)驗(yàn)
二、兩種不同鈍化方式探測(cè)器的1／f噪聲特性比較
三、利用器件g-r噪聲特性提取缺陷能級(jí)
第四節(jié) 小結(jié)
第四章 短波紅外InGaAs探測(cè)器的γ輻照效應(yīng)
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實(shí)驗(yàn)
一、器件制備
二、輻照和測(cè)試
第三節(jié) 晶格匹配InGaAs探測(cè)器的γ輻照效應(yīng)
一、非原位測(cè)試
二、原位測(cè)試
第四節(jié) 延伸波長(zhǎng)InGaAs探測(cè)器的γ輻照效應(yīng)
第五節(jié) 小結(jié)
第五章 延伸波長(zhǎng)InGaAs探測(cè)器的質(zhì)子輻照效應(yīng)
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實(shí)驗(yàn)
第三節(jié) 結(jié)果與討論
一、輻照對(duì)器件暗電流的影響
二、輻照對(duì)器件低頻噪聲的影響
三、輻照對(duì)材料PL譜的影響
四、輻照對(duì)器件探測(cè)率和量子效率的影響
第四節(jié) 小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
第一節(jié) 總結(jié)
一、利用μ-PCD測(cè)試提取In0.53Ga0.47As材料的少子壽命
二、延伸波長(zhǎng)In0.83Ga0.12As探測(cè)器的低頻噪聲特性
三、短波紅外InGaAs探測(cè)器的γ輻照效應(yīng)
四、In0.83Ga0.17As材料和器件的質(zhì)子輻照效應(yīng)
第二節(jié) 展望
一、利用μ-PCD提取In0.53Ga0.47As材料少子壽命的研究有待完善
二、利用器件g-r噪聲提取缺陷能級(jí)的準(zhǔn)確性問(wèn)題
三、對(duì)輻照損傷微觀(guān)機(jī)理的研究有待深入
四、抗輻照加固工作有待開(kāi)展
參考文獻(xiàn)