應(yīng)變硅納米MOS器件輻照效應(yīng)及加固技術(shù)

1緒論（1）

11引言（2）

12MOS器件輻照效應(yīng)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀（6）

121國外研究現(xiàn)狀（6）

122國內(nèi)研究現(xiàn)狀（9）

13本書章節(jié)安排（11）


2應(yīng)變Si技術(shù)及MOS器件輻照效應(yīng)產(chǎn)生機理（13）

21應(yīng)變Si技術(shù)（14）

211應(yīng)變硅MOSFET性能增強機理（14）

212應(yīng)變引入機制（16）

22MOS器件電離效應(yīng)（21）

221MOS器件電離效應(yīng)（21）

222MOS器件總劑量損傷機制（22）

23MOS器件單粒子效應(yīng)（25）

231單粒子效應(yīng)電荷淀積機理（27）

232單粒子效應(yīng)電荷收集機理（27）

233單粒子瞬態(tài)效應(yīng)模型（30）

24本章小結(jié)（31）


3單軸應(yīng)變Si納米溝道MOS器件設(shè)計與制造（33）

31應(yīng)變Si材料（34）

311應(yīng)變Si材料的能帶結(jié)構(gòu)（34）

312載流子遷移率的增強機制（35）

32單軸應(yīng)變Si納米溝道MOS器件設(shè)計（37）

321SiN薄膜致應(yīng)變器件性能仿真（37）

322納米級應(yīng)變MOS器件工藝參數(shù)優(yōu)化（40）

33單軸應(yīng)變Si納米MOS器件制造（44）

331單軸應(yīng)變Si納米溝道MOS器件制造工藝及實物樣品（45）

332單軸應(yīng)變Si納米溝道MOS器件測試結(jié)果與分析（50）

34本章小結(jié)（52）


4應(yīng)變Si MOS器件γ射線總劑量輻照損傷機制（53）

41輻照損傷效應(yīng)總體分析（54）

411移位損傷效應(yīng)（54）

412電離損傷效應(yīng)（55）

42應(yīng)變Si MOS器件γ射線輻照損傷的物理過程（56）

421電子空穴對的產(chǎn)生能量（57）

422初始的空穴逃脫（57）

423空穴的輸運（58）

424深空穴陷落和退火（59）

425輻照引入的界面陷阱（60）

43本章小結(jié)（61）


5單軸應(yīng)變Si納米MOS器件總劑量輻照閾值電壓模型（63）

51總劑量γ射線輻照實驗（64）

52γ射線總劑量輻照MOS器件損傷機制（71）

521總劑量輻照閾值電壓模型（73）

522總劑量輻照溝道電流模型（79）

523模型結(jié)果討論與驗證（80）

53總劑量X射線輻照實驗（87）

54本章小結(jié)（90）


6總劑量輻照對單軸應(yīng)變Si納米MOS器件柵電流的研究（91）

61總劑量輻照熱載流子柵電流模型（92）

611總劑量輻照熱載流子柵電流增強機制（92）

612熱載流子柵電流模型（94）

613結(jié)果與討論（96）

62總劑量輻照隧穿柵電流模型（101）

621總劑量輻照柵隧穿電流（101）

622結(jié)果與討論（108）

63總劑量輻照下襯底熱載流子效應(yīng)（112）

631襯底熱載流子電流模型的建立（113）

632總劑量輻照下襯底電流的仿真分析（115）

633總劑量輻照下襯底電流的結(jié)果與討論（116）

64本章小結(jié)（118）


7單軸應(yīng)變結(jié)構(gòu)對Si NMOS器件單粒子瞬態(tài)影響研究（119）

71單軸應(yīng)變Si NMOS器件仿真模型（120）

72氮化硅膜的能量阻擋模型建立（123）

73不同氮化硅膜厚度下的單粒子瞬態(tài)（125）

731電離損傷參數(shù)提?。?25）

732不同氮化硅膜厚度下的單粒子瞬態(tài)研究（126）

74雙極效應(yīng)研究（127）

741單個NMOS器件雙極放大效應(yīng)研究（127）

742反相器鏈的雙極效應(yīng)研究（130）

75不同重離子能量下的單粒子瞬態(tài)（134）

751電離損傷參數(shù)提?。?34）

752不同重離子能量下的單粒子瞬態(tài)研究（135）

76本章小結(jié)（136）


8應(yīng)變Si NMOS器件單粒子效應(yīng)及加固技術(shù)研究（137）

82MOS器件單粒子瞬態(tài)效應(yīng)研究（140）

821器件結(jié)構(gòu)及物理模型（140）

822仿真結(jié)果與分析（141）

83總劑量輻照對單粒子瞬態(tài)效應(yīng)影響（147）

831總劑量效應(yīng)模型參數(shù)提取（147）

832總劑量效應(yīng)與單粒子效應(yīng)耦合仿真（148）

84U形溝槽新型加固器件結(jié)構(gòu)（151）

841新型加固結(jié)構(gòu)（151）

842新型加固器件結(jié)構(gòu)對單粒子瞬態(tài)效應(yīng)的影響（154）

843漏極擴展加固結(jié)構(gòu)（157）

844源極擴展加固結(jié)構(gòu)（158）

85兩種加固結(jié)構(gòu)的仿真（159）

851漏極擴展結(jié)構(gòu)仿真（159）

852源極擴展結(jié)構(gòu)仿真（162）

853兩種結(jié)構(gòu)的對比和討論（164）

86本章小結(jié)（166）


9總結(jié)與展望（167）

參考文獻（171）