氮化鎵電力電子器件原理與應(yīng)用

定　價(jià)：￥69.00

作　者：	秦海鴻，荀倩，張英，嚴(yán)仰光著
出版社：	北京航空航天大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購(gòu)買這本書可以去

京東 (￥69.00)

ISBN：	9787512431904	出版時(shí)間：	2020-03-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	270	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《氮化鎵電力電子器件原理與應(yīng)用》介紹了氮化鎵半導(dǎo)體電力電子器件的原理、特性和應(yīng)用，概括了這一領(lǐng)域近十年來(lái)的主要研究進(jìn)展。內(nèi)容包括：多種類型氮化鎵器件的原理與特性、典型氮化鎵器件的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)方法、氮化鎵基變換器的擴(kuò)容方法、氮化鎵器件在不同領(lǐng)域和不同變換器中的應(yīng)用實(shí)例分析，以及氮化鎵基變換器的性能制約因素和關(guān)鍵問(wèn)題?！兜夒娏﹄娮悠骷砼c應(yīng)用》可作為高等院校電力電子技術(shù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及新能源技術(shù)等專業(yè)的本科生、研究生和教師的參考書，也可供從事氮化鎵半導(dǎo)體器件研制和測(cè)試的工程技術(shù)人員，以及應(yīng)用氮化鎵半導(dǎo)體器件研制高性能電力電子變換器的工程技術(shù)人員參考。

作者簡(jiǎn)介

　　秦海鴻，男，博士，副教授，研究方向：新能源電力電子變換技術(shù)、電動(dòng)飛機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)、寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)。參與及承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、面上項(xiàng)目、863項(xiàng)目、973項(xiàng)目、教育部博士點(diǎn)基金、上海市教委基金、航空廠所及相關(guān)企業(yè)合作項(xiàng)目等多項(xiàng)課題研究任務(wù)。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇。出版專著《多電飛機(jī)的電氣系統(tǒng)》（“十二五”工信部規(guī)劃專著）、《碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用》、《氮化鎵電力電子器件原理與應(yīng)用》、《混合勵(lì)磁電機(jī)的結(jié)構(gòu)與原理》及研究生精品教材《現(xiàn)代交流調(diào)速技術(shù)》。在職學(xué)習(xí)及工作經(jīng)歷包括：2009-2010，美國(guó)馬里蘭大學(xué)高級(jí)訪問(wèn)學(xué)者；2010-2013，南自通華電器集團(tuán)企業(yè)博士后；2014年，成飛工程實(shí)踐暑期進(jìn)修；2018年，西飛工程實(shí)踐暑期進(jìn)修；2019-2020，英國(guó)諾丁漢大學(xué)國(guó)家公派訪問(wèn)學(xué)者。擔(dān)任南京航空航天大學(xué)“新能源發(fā)電大學(xué)生示范主題創(chuàng)新區(qū)”負(fù)責(zé)人，獲得南京航空航天大學(xué)校級(jí)教學(xué)成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)2次、校級(jí)教學(xué)優(yōu)秀二等獎(jiǎng)2次、校級(jí)微課建設(shè)團(tuán)隊(duì)比賽一等獎(jiǎng)1次、江蘇省微課競(jìng)賽二等獎(jiǎng)、南京航空航天大學(xué)“十二五本科教學(xué)建設(shè)先鋒”榮譽(yù)稱號(hào)、國(guó)防科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)1次；擔(dān)任江蘇省電子學(xué)會(huì)電源專業(yè)委員會(huì)秘書長(zhǎng)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員、以及IEEE Transactions on Power Electronics，《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》、《南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào)》、《電源學(xué)報(bào)》等期刊的審稿專家。

圖書目錄

第1章緒論
1．1 高性能電力電子裝置的發(fā)展要求
1．2 Si基電力電子器件的限制
1．3 GaN材料特性
1．4 GaN基電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展
1．4．1 不同結(jié)構(gòu)的GaN器件
1．4．2 不同類型的GaN器件
參考文獻(xiàn)
第2章 GaN器件的原理與特性
2．1 GaN基二極管的特性與參數(shù)
2．1．1 通態(tài)特性及其參數(shù)
2．1．2 阻斷特性及其參數(shù)
2．1．3 關(guān)斷過(guò)程及其參數(shù)
2．2 常通型GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．2．1 穩(wěn)態(tài)特性及其參數(shù)
2．2．2 開(kāi)關(guān)特性及其參數(shù)
2．2．3 常通型GaN HEMT的電流崩塌現(xiàn)象
2．3 Cascode GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．3．1 工作原理和模態(tài)
2．3．2 特性及其參數(shù)
2．4 增強(qiáng)型GaN HEMT的特性與參數(shù)
2．4．1 工作模態(tài)
2．4．2 低壓eGaN HEMT的特性及參數(shù)
2．4．3 高壓eGaN HEMT的特性及參數(shù)
2．5 GaN GIT的特性與參數(shù)
2．5．1 通態(tài)特性及其參數(shù)
2．5．2 開(kāi)關(guān)特性及其參數(shù)
2．5．3 驅(qū)動(dòng)特性及其參數(shù)
2．6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 GaN器件驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
3．1 GaN HEMq、的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與要求
3．1．1 驅(qū)動(dòng)芯片
3．1．2 驅(qū)動(dòng)參數(shù)
3．1．3 布局設(shè)計(jì)
3．1．4 輔助功能電路
3．2 常通型GaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
3．2．1 常通型GaN HEMT的單電源驅(qū)動(dòng)電路
3．2．2 常通型GaN HEMT的諧振型驅(qū)動(dòng)電路
3．3 Cascode GaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
3．3．1 Cascode GaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
3．3．2 Cascode GaN HEMT電壓振蕩抑制方法
3．4 eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
3．4．1 低壓eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
3．4．2 高壓eGaN HEMT的驅(qū)動(dòng)電路
3．5 GaN GIT的驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)
3．5．1 GaN GIT的驅(qū)動(dòng)電路要求
3．5．2 帶加速電容的單電源驅(qū)動(dòng)電路
3．5．3 無(wú)容式驅(qū)動(dòng)電路
3．6 GaN器件短路特性與保護(hù)
3．6．1 GaN器件短路特性與機(jī)理分析
3．6．2 GaN器件與Si和SiC器件短路特性對(duì)比
3．7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 GaN基變換器擴(kuò)容方法
4．1 eGaN器件的并聯(lián)
4．1．1 器件參數(shù)不匹配對(duì)均流的影響
4．1．2 電路參數(shù)不匹配對(duì)均流的影響
4．1．3 并聯(lián)均流控制方法
4．2 Cascode GaN HEMT器件的并聯(lián)
4．2．1 均流影響因素分析
4．2．2 電流振蕩機(jī)理
4．2．3 Cascode GaN HEMT器件的并聯(lián)均流方法
4．3 GaN／Si可控器件混合并聯(lián)
4．4 GaN基變換器并聯(lián)
4．4．1 交錯(cuò)并聯(lián)GaN基變換器
4．4．2 內(nèi)置交錯(cuò)并聯(lián)橋臂的GaN基變換器
4．4．3 器件并聯(lián)和變換器并聯(lián)優(yōu)化設(shè)計(jì)
4．5 GaN基多電平變換器
4．6 GaN基變換器的組合擴(kuò)容
4．7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 GaN器件在電力電子變換器中的應(yīng)用
5．1 GaN器件在典型領(lǐng)域中的應(yīng)用
5．1．1 GaN器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
5．1．2 GaN器件在無(wú)線電能傳輸領(lǐng)域的應(yīng)用
5．1．3 GaN器件在光伏發(fā)電領(lǐng)域的應(yīng)用
5．1．4 GaN器件在照明領(lǐng)域的應(yīng)用
5．1．5 GaN器件在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用
5．1．6 GaN器件在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用
5．2 GaN器件在不同種類變換器中的應(yīng)用
5．2．1 GaN基DC／DC變換器
5．2．2 GaN基AC／DC變換器
5．2．3 GaN基DC／AC變換器
5．3 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 GaN基變換器的性能制約因素與關(guān)鍵問(wèn)題
6．1 GaN器件高速開(kāi)關(guān)限制因素
6．1．1 寄生電感的影響
6．1．2 寄生電容的影響
6．1．3 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)能力的影響
6．1．4 電壓和電流的測(cè)試問(wèn)題
6．1．5 長(zhǎng)電纜電壓反射問(wèn)題
6．1．6 EMI問(wèn)題
6．2 GaN基電路的PCB優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)
6．3 GaN集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)
6．3．1 傳統(tǒng)分立驅(qū)動(dòng)
6．3．2 GaN集成驅(qū)動(dòng)
6．3．3 GaN集成驅(qū)動(dòng)實(shí)例分析
6．4 GaN器件的散熱設(shè)計(jì)技術(shù)
6．4．1 GaN器件的典型封裝形式
6．4．2 GaN器件的熱傳輸路徑
6．4．3 PCB散熱設(shè)計(jì)考慮
6．5 多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計(jì)
6．5．1 變換器現(xiàn)有設(shè)計(jì)方法存在的不足
6．5．2 GaN基變換器參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)思路
6．6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)