國(guó)之重器出版工程衛(wèi)星充放電效應(yīng)環(huán)境模擬方法

定　價(jià)：￥89.00

作　者：	李得天,楊生勝,秦曉剛,柳青,馮展祖著
出版社：	北京理工大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787568268288	出版時(shí)間：	2019-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	351	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書全面、系統(tǒng)地介紹了衛(wèi)星充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)，主要內(nèi)容有：充放電效應(yīng)材料特性參數(shù)測(cè)試方法，包括二次電子發(fā)射系數(shù)、光電子、本征電導(dǎo)率、輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率、介電常數(shù)及介電強(qiáng)度；表面充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)，主要包括表面充放電效應(yīng)、引起表面充放電效應(yīng)的空間環(huán)境、表面充放電效應(yīng)模擬試驗(yàn)設(shè)備、電離層等離子體充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)、磁暴等離子體充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)、極光等離子體環(huán)境充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)、人為等離子體環(huán)境充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)；深層介質(zhì)充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)，主要包括深層介質(zhì)充放電效應(yīng)及其對(duì)應(yīng)的空間環(huán)境、現(xiàn)有深層介質(zhì)充放電效應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備、電子束流測(cè)量技術(shù)、介質(zhì)內(nèi)部電荷/電場(chǎng)分布測(cè)試技術(shù)、深層介質(zhì)放電脈沖特性試驗(yàn)技術(shù)；二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)，主要包括高壓太陽(yáng)電池二次放電機(jī)理、高壓部件SADA二次放電機(jī)理、高壓太陽(yáng)電池二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)、高能電子輻照誘發(fā)的SADA二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)；衛(wèi)星充放電效應(yīng)電磁脈沖干擾試驗(yàn)技術(shù)，主要包括衛(wèi)星帶電放電、放電注入模擬源、空間靜電放電耦合方法、空間充放電效應(yīng)耦合測(cè)試技術(shù)、衛(wèi)星部件充放電效應(yīng)干擾試驗(yàn)。

作者簡(jiǎn)介

　　李得天，研究員，理學(xué)博士，博士生導(dǎo)師，國(guó)際宇航科學(xué)院院士，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，國(guó)防“973”項(xiàng)目首席科學(xué)家，國(guó)家“863”計(jì)劃主題專家，科技部創(chuàng)新人才推進(jìn)計(jì)劃重點(diǎn)領(lǐng)域創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人，國(guó)家國(guó)際聯(lián)合研究中心學(xué)術(shù)帶頭人，國(guó)家有突出貢獻(xiàn)中青年專家，入選國(guó)家百千萬(wàn)人才工程和第三批國(guó)家“萬(wàn)人計(jì)劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。現(xiàn)任中國(guó)真空學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、中國(guó)宇航學(xué)會(huì)電推進(jìn)專委會(huì)副主任、中國(guó)宇航學(xué)會(huì)計(jì)量與測(cè)試專委會(huì)副主任、中國(guó)計(jì)量測(cè)試學(xué)會(huì)常務(wù)理事兼真空計(jì)量專委會(huì)主任、真空技術(shù)與物理國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室常務(wù)副主任、《真空與低溫》期刊主編等職。獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)1項(xiàng)，省部級(jí)科技獎(jiǎng)23項(xiàng)，榮獲何梁何利“科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”、“中國(guó)真空科技成就獎(jiǎng)”、“航天創(chuàng)新獎(jiǎng)”、“航天貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”等，享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼。發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇，出版著作6部。

圖書目錄

第 1章　緒論 001
1．1　衛(wèi)星充放電效應(yīng)概念、影響因素及危害　003
1．1．1　衛(wèi)星充放電效應(yīng)的基本概念　003
1．1．2　衛(wèi)星充放電效應(yīng)的影響因素　006
1．1．3　衛(wèi)星充放電效應(yīng)的危害　008
1．2　衛(wèi)星充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀　017
1．2．1　國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀概述　017
1．2．2　發(fā)展趨勢(shì)　022
第　2章充放電效應(yīng)材料特性參數(shù)測(cè)試方法　025
2．1　二次電子發(fā)射特性測(cè)試　028
2．1．1　二次電子發(fā)射　028
2．1．2　二次電子發(fā)射系數(shù)　029
2．1．3　二次電子發(fā)射系數(shù)與入射角的關(guān)系　030
2．1．4　二次電子發(fā)射系數(shù)與入射能量的關(guān)系　030
2．1．5　二次電子發(fā)射系數(shù)與材料表面電位的關(guān)系　033
2．1．6　二次電子發(fā)射系數(shù)與表面粗糙度的關(guān)系　034
2．1．7　二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)試　035
2．2　光電子發(fā)射特性測(cè)試　044
2．2．1　光電效應(yīng)　044
2．2．2　光電子發(fā)射　044
2．2．3　材料表面吸收率與光子波長(zhǎng)的關(guān)系　046
2．2．4　入射光頻率對(duì)光電子產(chǎn)生的影響　047
2．2．5　光電子發(fā)射的影響因素　048
2．2．6　光照對(duì)尖端放電的影響　050
2．2．7　光電子發(fā)射測(cè)試　051
2．3　本征電導(dǎo)率特性測(cè)試　053
2．3．1　材料的本征電導(dǎo)率　053
2．3．2　材料電導(dǎo)率與表面電位的關(guān)系　054
2．3．3　電荷衰減法本征電導(dǎo)率測(cè)試　055
2．4　輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率特性測(cè)試　059
2．4．1　輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率的形成過程　059
2．4．2　輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率的分類　060
2．4．3　輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率測(cè)試方法　062
2．4．4　輻射誘導(dǎo)電導(dǎo)率測(cè)試　064
2．5　材料電氣特性測(cè)試　069
2．5．1　測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)　069
2．5．2　介質(zhì)材料擊穿特性　070
2．5．3　介電常數(shù)測(cè)試　076
2．5．4　介質(zhì)材料介電強(qiáng)度特性測(cè)試　077
第3章　表面充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　079
3．1　表面充放電效應(yīng)　081
3．1．1　空間帶電粒子的軌道限制理論　082
3．1．2　柴爾德朗繆爾空間電荷限制理論　083
3．1．3　真空沿面閃絡(luò)放電　084
3．1．4　不等量帶電放電　086
3．1．5　吹離放電　090
3．2　表面充放電環(huán)境及效應(yīng)　092
3．2．1　LEO軌道充放電環(huán)境及效應(yīng)　093
3．2．2　PEO軌道充放電環(huán)境及效應(yīng)　099
3．2．3　GEO軌道充放電環(huán)境及效應(yīng)　103
3．3　表面充放電效應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備　112
3．4　電離層等離子體充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　119
3．4．1　電離層等離子體環(huán)境模擬　119
3．4．2　低溫等離子體測(cè)量技術(shù)　122
3．5　磁暴等離子體充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　127
3．5．1　磁暴等離子體環(huán)境模擬　127
3．5．2　表面電荷測(cè)試技術(shù)　132
3．5．3　表面電位測(cè)試技術(shù)　135
3．5．4　材料表面充放電特性測(cè)試　137
3．5．5　表面靜電放電脈沖特性測(cè)試　159
3．6　極光等離子體環(huán)境充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　168
3．6．1　極光充放電環(huán)境模擬　168
3．6．2　尾區(qū)充放電效應(yīng)試驗(yàn)　169
3．7　人為等離子體環(huán)境充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　172
3．7．1　人為等離子體特性測(cè)試　173
3．7．2　人為等離子體對(duì)空間等離子體環(huán)境的影響　176
3．7．3　人為等離子體對(duì)衛(wèi)星表面電位的影響　176
3．7．4　人為等離子體充放電效應(yīng)試驗(yàn)　177
第4章　深層介質(zhì)充放電效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)　181
4．1　深層介質(zhì)充放電效應(yīng)　183
4．1．1　高能帶電粒子與介質(zhì)材料相互作用過程　183
4．1．2　高能電子輻射下電荷沉積及電荷輸運(yùn)　186
4．1．3　深層介質(zhì)放電　187
4．2　深層介質(zhì)充放電環(huán)境及其效應(yīng)　191
4．2．1　地球輻射帶　191
4．2．2　高能電子分布特征　194
4．2．3　空間電子環(huán)境模型　197
4．3　深層介質(zhì)充放電效應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備　200
4．4　電子束流測(cè)量技術(shù)　203
4．4．1　法拉第筒測(cè)試技術(shù)　203
4．4．2　高能電子束流測(cè)試技術(shù)　208
4．5　介質(zhì)內(nèi)部電荷/電場(chǎng)分布測(cè)試技術(shù)　210
4．5．1　電聲脈沖法　210
4．5．2　介質(zhì)內(nèi)部電荷測(cè)試　211
4．6　深層介質(zhì)放電脈沖特性試驗(yàn)技術(shù)　217
4．6．1　懸浮導(dǎo)體樣品深層介質(zhì)放電脈沖特性　219
4．6．2　電纜樣品深層介質(zhì)放電脈沖特性試驗(yàn)　222
4．6．3　FR4樣品深層介質(zhì)放電試驗(yàn)　224
第5章　二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)　229
5．1　高壓太陽(yáng)電池二次放電機(jī)理　233
5．1．1　太陽(yáng)電池陣結(jié)構(gòu)　233
5．1．2　高壓太陽(yáng)電池介質(zhì)材料放電　234
5．1．3　高壓太陽(yáng)電池金屬放電　235
5．1．4　高壓太陽(yáng)電池二次放電　236
5．2　高壓部件SADA二次放電機(jī)理　242
5．2．1　SADA高壓部件帶電特性　242
5．2．2　SADA二次放電　244
5．3　高壓太陽(yáng)電池二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)　246
5．3．1　太陽(yáng)電池電流收集增強(qiáng)效應(yīng)　246
5．3．2　太陽(yáng)電池陣電流收集測(cè)試方法　247
5．3．3　太陽(yáng)電池陣電流收集測(cè)試試驗(yàn)　247
5．3．4　低軌道太陽(yáng)電池二次放電試驗(yàn)　248
5．3．5　高軌道二次放電模擬試驗(yàn)　252
5．4　高能電子輻照誘發(fā)的SADA二次放電模擬試驗(yàn)技術(shù)　256
5．4．1　試驗(yàn)系統(tǒng)　256
5．4．2　SADA充電平衡電位測(cè)試　256
5．4．3　SADA靜電放電特性測(cè)試　258
第6章　衛(wèi)星充放電效應(yīng)電磁脈沖干擾試驗(yàn)技術(shù)　261
6．1　衛(wèi)星帶電放電　263
6．1．1　放電類型　263
6．1．2　放電電流脈沖　264
6．1．3　典型的空間靜電放電參數(shù)　266
6．2　放電注入模擬源　267
6．2．1　電弧放電源　267
6．2．2　容性放電源　275
6．3　空間靜電放電耦合方法　279
6．3．1　電場(chǎng)耦合　279
6．3．2　磁場(chǎng)耦合　280
6．3．3　輻射耦合　281
6．4　空間充放電效應(yīng)耦合測(cè)試技術(shù)　282
6．4．1　表面靜電放電耦合測(cè)試技術(shù)　282
6．4．2　深層介質(zhì)放電耦合測(cè)試技術(shù)　284
6．4．3　輻射場(chǎng)測(cè)試技術(shù)　290
6．4．4　單點(diǎn)尖端放電測(cè)試技術(shù)　290
6．4．5　結(jié)構(gòu)電流測(cè)試技術(shù)　290
6．4．6　整星放電測(cè)試技術(shù)　291
6．4．7　器件級(jí)空間靜電放電測(cè)試技術(shù)　294
6．5　衛(wèi)星部件充放電效應(yīng)干擾試驗(yàn)　298
6．5．1　電路板放電注入試驗(yàn)　298
6．5．2　電纜放電注入試驗(yàn)　301
6．5．3　典型單機(jī)電路表面充放電脈沖注入試驗(yàn)　302
6．5．4　深層介質(zhì)放電對(duì)星內(nèi)單機(jī)影響的注入試驗(yàn)　306
6．5．5　深層介質(zhì)放電對(duì)器件注入試驗(yàn)　308
參考文獻(xiàn)　319
索引　333