固態(tài)表面界面與薄膜（第6版精）

定　價：￥128.00

作　者：	（德）漢斯·呂斯
出版社：	高等教育出版社
叢編項：	材料科學經(jīng)典著作選譯
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787040478549	出版時間：	2019-03-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：	585	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《固態(tài)表面、界面與薄膜（第6版）/材料科學經(jīng)典著作選譯》從實驗和理論兩方面探討了表面與界面的物理問題。除了探討真正意義上的固態(tài)表面與界面的制備技術外，還重點探討了界面的結(jié)構、振動態(tài)及電學性質(zhì)的基本物理模型，也涉及表面吸附與薄膜層狀生長的基本問題。由于現(xiàn)代微電子學的重要性，《固態(tài)表面、界面與薄膜（第6版）/材料科學經(jīng)典著作選譯》還特別強調(diào)了半導體界面和異質(zhì)結(jié)的電學性質(zhì)。在實驗方面，《固態(tài)表面、界面與薄膜（第6版）/材料科學經(jīng)典著作選譯》的另一大特點是通過一系列“附錄”的形式講述了超高真空、電子光學、表面譜學和界面電學等表征技術方面的基礎知識，為讀者提供了快速、全面了解現(xiàn)代各種表面、界面表征技術的重要信息。在早期版本中，表面和薄膜的制備，原子結(jié)構、形貌，振動態(tài)與電子輸運性質(zhì)以及吸附的基礎知識均被論及。表面和界面的電子態(tài)、半導體空間電荷層和異質(zhì)結(jié)等內(nèi)容由于在現(xiàn)代信息技術和納米結(jié)構研究中的重要性也被重點論述。第六版增加了特殊的章節(jié)，重點描述界面和薄膜的集體耦合行為，例如超導電性和磁學，而磁學的討論中又包括了巨磁阻和自旋矩傳輸機理等重要內(nèi)容，這兩部分內(nèi)容在信息技術中均具有重要價值。此外還首次討論了自旋軌道耦合對于表面態(tài)的影響，也討論了近來研究較熱的、對自旋電子學具有重要價值的拓撲絕緣體材料，專門論述了滿足嚴格定義的自旋取向的新型拓撲保護表面態(tài)，尤其是補充了在早期版本中被忽略的一些重要的、成熟的實驗技術，例如X射線衍射（XRD）、各向異性反射光譜（RAS）等。

作者簡介

　　漢斯·呂斯，1940年出生于德國亞琛，分別于1965年、1968年在亞琛科技大學獲得物理學學士、博士學位。1974—1986年，先后在IBM托馬斯·沃森研究中心（美國）、巴黎大學（法國）、艾克斯一馬賽大學（法國）、摩德納大學（意大利）作為客座科學家和訪問學者工作。1980年，獲得物理學教授職稱，2000年，同時成為亞琛科技大學的電子工程學教授。1988年，擔任德國于利希研究中心生物／納米系統(tǒng)研究所主任。2006—2007年，同時擔任于利希研究中心關鍵技術部主任。由于在新型半導體納米結(jié)構領域獨特的貢獻，獲得德國真空技術學會的魯?shù)婪颉ぱ趴藸柂?；此外，憑借在德國一斯洛伐克科技合作中的貢獻，獲得斯洛伐克科學院紀念獎。由于他杰出的科學工作以及具有全球影響力的教科書Solid surfaces，Interfaces and Thin Films的出版，被授予法國上阿爾薩斯大學榮譽博士稱號。研究方向主要是半導體界面和納米結(jié)構物理學以及量子電子學等領域。

圖書目錄

第1章表面、界面物理：定義及其重要性
附錄Ⅰ 超高真空（UHV）技術
附錄Ⅱ 粒子光學和光譜學的基礎
問題
第2章嚴格定義的表面、界面及薄膜的制備
2．1 需要超高真空的原因
2．2 UHV條件下的材料界面解理
2．3 離子轟擊與退火
2．4 蒸發(fā)與分子束外延（MBE）
2．5 利用化學反應外延生長膜
附錄Ⅲ 俄歇電子能譜（AES）
附錄Ⅳ 二次離子質(zhì)譜（SIMS）
問題
第3章表面、界面和薄膜的形貌與結(jié)構
3．1 表面應力、表面能和宏觀形狀
3．2 弛豫、重構和缺陷
3．3 二維點陣、超結(jié)構和倒易空間
3．3．1 表面點陣和超結(jié)構
3．3．2 二維倒易點陣列
3．4 固一固界面結(jié)構模型
3．5 薄膜的形核和生長
3．5．1 薄膜生長的模型
3．5．2 形核的“毛細模型
3．6 薄膜生長研究：實驗方法和結(jié)果
附錄Ⅴ 掃描電子顯微鏡（SEM）和微探針技術
附錄Ⅵ 掃描隧道顯微鏡（STM）
附錄Ⅶ 表面擴展X射線吸收精細結(jié)構（SEXAFS）
問題
第4章表面和薄膜散射
4．1 表面散射運動學理論
4．2 低能電子衍射的運動學理論
4．3 從LEED圖中能知道什么
4．4 動力學LEED理論和結(jié)構分析
4．4．1 匹配公式化
4．4．2 多重散射理論體系
4．4．3 結(jié)構分析
4．5 非彈性表面散射實驗的運動學理論
4．6 非彈性電子散射的電介質(zhì)理論
4．6．1 固體散射
4．6．2 表面散射
4．7 薄表面層的介電散射
4．8 一些低能電子在表面非彈性散射的實驗例子
4．9 顆粒散射的經(jīng)典限制條件
4．10 原子碰撞的守恒定律：表面化學分析
4．11 盧瑟福背散射（RBS）：通道和阻塞
附錄Ⅷ 低能電子衍射（LEED）和反射高能電子衍射（RHEED）
附錄Ⅸ X射線衍射（XRD）對薄膜特性的描述
附錄Ⅹ 電子能量損失譜（EELS）
問題
第5章表面聲子
5．1 線性鏈上的“表面”晶格振動的存在
5．2 擴展到具有表面的三維固體
5．3 瑞利波
5．4 作為高頻過濾器的瑞利波的應用
5．5 表面一聲子（等離子體激元）極化子
5．6 實驗和實際計算的散射曲線
附錄Ⅺ 原子和分子束散射
問題
第6章表面電子態(tài)
6．1 近自由電子模型中半無限鏈的表面電子態(tài)
6．2 三維晶體表面態(tài)及其帶電特征
6．2．1 本征表面態(tài)
6．2．2 非本征表面態(tài)
6．3 光電發(fā)射理論
6．3．1 概述
6．3．2 角積分的光電發(fā)射
6．3．3 體與表面態(tài)發(fā)射
6．3．4 初始態(tài)的對稱性和選擇定則
6．3．5 多體方面
6．4 一些金屬表面態(tài)能帶結(jié)構
6．4．1 類s和類p表面態(tài)
6．4．2 類d表面態(tài)
6．4．3 空表面態(tài)和像勢表面態(tài)
6．5 半導體的表面態(tài)
6．5．1 元素半導體
6．5．2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6．5．3 Ⅲ族氮化物
6．5．4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
6．6 表面態(tài)自旋軌道耦合
6．6．1 在二維電子氣中的自旋軌道耦合
6．6．2 Au和半金屬表面自旋分裂表面態(tài)
6．6．3 拓撲絕緣體表面態(tài)
附錄Ⅻ 光電發(fā)射和逆光電發(fā)射
問題
第7章半導體界面的空間電荷層
7．1 空間電荷層的定義與分類
7．2 肖特基耗盡空間電荷層
7．3 弱空間電荷層
7．4 高度簡并半導體的空間電荷層
7．5 空間電荷層與費米能級釘扎的一般情況
7．6 量子化聚集與反型層
7．7 特殊界面及其表面勢
7．8 硅MOS場效應晶體管
7．9 磁場導致的量子效應
7．10 二維等離子體激元
附錄Ⅷ 光學表面技術
問題
第8章金屬一半導體結(jié)和半導體異質(zhì)結(jié)
8．1 決定固一固界面電子結(jié)構的一般原理
8．2 金屬一半導體界面的金屬誘導間隙態(tài)
8．3 在半導體異質(zhì)結(jié)界面的VIGS
8．4 界面態(tài)的結(jié)構與化學性質(zhì)依賴的模型
8．5 金屬一半導體結(jié)與半導體異質(zhì)結(jié)構的應用
8．5．1 肖特基勢壘
8．5．2 半導體異質(zhì)結(jié)和調(diào)制摻雜
8．5．3 高電子遷移率場效應晶體管（HEMT）
8．6 在半導體界面二維電子氣的量子效應
附錄ⅪⅤ 肖特基勢壘高度與能帶遷移的電子學測量
問題
第9章界面處的集體現(xiàn)象：超導電性和鐵磁性
9．1 在界面的超導電性
9．1．1 基本表述
9．1．2 超導電性的基礎
9．1．3 Andreev反射
9．1．4 貫穿正常導體一超導體界面輸運現(xiàn)象的簡單模型
9．2 具有彈道傳輸行為的約瑟夫森結(jié)
9．2．1 約瑟夫森效應
9．2．2 約瑟夫森電流和Andreev能級
9．2．3 亞簡諧能隙結(jié)構
9．3 超導體一半導體2DEG一超導約瑟夫森結(jié)的實驗例證
9．3．1 Nb一2DEG—Nb結(jié)的制備
9．3．2 通過Nb一2DEG—Nb結(jié)的臨界電流
9．3．3 電流載荷區(qū)
9．3．4 非平衡載流子的超流控制
9．4 表面與薄膜內(nèi)的鐵磁性
9．4．1 鐵磁性的能帶模型
9．4．2 降維體系的鐵磁理論
9．5 磁量子阱態(tài)
9．6 磁性層間耦合
9．7 巨磁阻和自旋轉(zhuǎn)矩機制
9．7．1 巨磁阻（GMR）
9．7．2 磁各向異性和磁疇
9．7．3 自旋轉(zhuǎn)矩效應：磁開關器件
附錄ⅩⅤ 磁光特性：克爾效應
附錄ⅩⅥ 自旋極化掃描隧道顯微鏡（sP—sTM）
問題
第10章固體表面的吸附現(xiàn)象
10．1 物理吸附
10．2 化學吸附
10．3 吸附物導致功函數(shù)變化
10．4 吸附層的二維相轉(zhuǎn)變
10．5 吸附動力學
附錄ⅩⅦ 解吸附技術
附錄ⅩⅧ 用于功函數(shù)變化與半導體界面研究的開爾文探針和光電發(fā)射測量
問題
參考文獻
第1章
第2章
第3章
第4章
第5章
第6章
第7章
第8章
第9章
第10章
中英文名詞對照表