模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)（第2版）

定　價(jià)：￥138.00

作　者：	（美）畢查德·拉扎維（Behzad,Razavi）
出版社：	西安交通大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	國(guó)外名校最新教材精選
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787569309928	出版時(shí)間：	2018-12-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	724	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)是模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)方面的經(jīng)典教材，介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)，著重講解該技術(shù)的新進(jìn)展和設(shè)計(jì)實(shí)例，從MOSFET器件的基本物理特性開(kāi)始，逐章分析CMOS放大單元電路、差分放大器、頻率響應(yīng)、噪聲、反饋放大器與穩(wěn)定性、運(yùn)算放大器、電壓基準(zhǔn)源與電流基源、離散時(shí)間系統(tǒng)、差分電路及反饋系統(tǒng)中的非線性、振蕩器和鎖相環(huán)等基礎(chǔ)模擬電路的分析與設(shè)計(jì)。本書(shū)還介紹了集成電路的基本制造工藝、版圖和封裝設(shè)計(jì)的基本原則。本書(shū)自出版以來(lái)得到了國(guó)內(nèi)外讀者的好評(píng)和青睞，被許多國(guó)際知名大學(xué)選為教科書(shū)。同時(shí)，由于原著者在世界知名公司的豐富研究經(jīng)歷，使本書(shū)也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　畢查德·拉扎維，美國(guó)加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校電氣工程學(xué)院教授，獲獎(jiǎng)無(wú)數(shù)的作家、研究人員、教師。他的研究領(lǐng)域包括無(wú)線收發(fā)機(jī)、寬帶數(shù)據(jù)通信電路、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。他還是IEEE的院士、IEEE講師，被公認(rèn)為國(guó)際固體電路會(huì)議（ISSCC）近50年中10位作者之一。在模擬電路、射頻、高速電路的分析和設(shè)計(jì)領(lǐng)域，他已經(jīng)出版了7本經(jīng)典巨著。

圖書(shū)目錄

第2版譯者序
第1版譯者序
第2版前言
第1版前言
第2版致謝
第1版致謝
作者簡(jiǎn)介
第1章模擬電路設(shè)計(jì)緒論
1．1 模擬電路的重要性
1．1．1 信號(hào)的檢測(cè)與處理
1．1．2 數(shù)字信號(hào)傳輸中的模擬設(shè)計(jì)
1．1．3 需求旺盛的模擬設(shè)計(jì)
1．1．4 模擬設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
1．2 研究模擬集成電路的重要性
1．3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1．4 本書(shū)的特點(diǎn)
1．5 電路設(shè)計(jì)的抽象級(jí)別
第2章 MOS器件物理基礎(chǔ)
2．1 基本概念
2．1．1 MOSFET開(kāi)關(guān)
2．1．2 MOSFET的結(jié)構(gòu)
2．1．3 MOS符號(hào)
2．2 MOS的I-V特性
2．2．1 閾值電壓
2．2．2 I-V特性的推導(dǎo)
2．2．3 MOSFET的跨導(dǎo)
2．3 二級(jí)效應(yīng)
2．4 MOS器件模型
2．4．1 MOS器件版圖
2．4．2 MOS器件電容
2．4．3 MOS小信號(hào)模型
2．4．4 MOS SPICE模型
2．4．5 NMOS與PMOS器件的比較
2．4．6 長(zhǎng)溝道器件與短溝道器件的比較
2．5 附錄A：鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）
2．6 附錄B：用作電容器的MOS器件的特性
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第3章單級(jí)放大器
3．1 應(yīng)用
3．2 概述
3．3 共源級(jí)
3．3．1 采用電阻作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．2 采用二極管連接型器件作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．3 采用電流源作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．4 有源負(fù)載的共源級(jí)
3．3．5 工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級(jí)
3．3．6 帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)
3．4 源跟隨器
3．5 共柵級(jí)
3．6 共源共柵級(jí)
3．6．1 折疊式共源共柵
3．7 器件模型的選擇
習(xí)題
第4章差動(dòng)放大器
4．1 單端與差動(dòng)的工作方式
4．2 基本差動(dòng)對(duì)
4．2．1 定性分析
4．2．2 定量分析
4．2．3 帶源極負(fù)反饋的差動(dòng)對(duì)
4．3 共模響應(yīng)
4．4 MOS為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)
4．5 吉爾伯特單元
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第5章電流鏡與偏置技術(shù)
5．1 基本電流鏡
5．2 共源共柵電流鏡
……
第6章放大器的頻率特性
第7章噪聲
第8章反饋
第9章運(yùn)算放大器
第10章穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償
第11章納米設(shè)計(jì)分析
第12章帶隙基準(zhǔn)
第13章開(kāi)關(guān)電容電路導(dǎo)論
第14章非線性與不匹配
第15章振蕩器
第16章鎖相環(huán)
第17章短溝道效應(yīng)與器件模型
第18章 CMOS工藝技術(shù)
第19章版圖與封裝
索引