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二維化合物的吸附特性

二維化合物的吸附特性

定 價:¥48.00

作 者: 琚偉偉 著
出版社: 化學工業(yè)出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787122352729 出版時間: 2020-01-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數: 106 字數:  

內容簡介

  本書是作者近年來在對二維化合物材料的電子結構、磁特性以及相變的研究基礎上撰寫而成的,系統(tǒng)地介紹了吸附、摻雜、缺陷等調控方法對二維MoS2和InSe材料的電子性質及磁特性的影響。全書共分七章,前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法。第3章介紹了Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構、電子性質的影響,第4章介紹了反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響,第5章介紹了非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響,第6章介紹了3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響,第7章介紹了小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響。 本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考,也可作為高等院校相關專業(yè)的本科生和研究生的參考書。

作者簡介

暫缺《二維化合物的吸附特性》作者簡介

圖書目錄

第1章緒論/ 001
1.1單層二硫化鉬(MoS2) 研究進展/ 001
1.1.1石墨烯/ 001
1.1.2二硫化鉬(MoS2)/ 002
1.1.3單層MoS2缺陷吸附摻雜研究/ 005
1.2單層硒化銦(InSe) 研究進展/ 007
1.2.1InSe簡介/ 007
1.2.2InSe電子結構及性質/ 008
參考文獻/ 009

第2章理論方法/ 015
2.1能帶理論的三大近似/ 015
2.1.1絕熱近似/ 016
2.1.2單電子近似(密度泛函理論)/ 017
2.1.3周期性勢場近似(布洛赫定理)/ 020
2.2勢與波函數的處理/ 021
2.2.1平面波方法/ 022
2.2.2原子軌道線性組合法/ 023
2.2.3贗勢方法/ 024
2.2.4投影綴加波法/ 025
2.3Kohn-Sham方程的自洽求解/ 026
參考文獻/ 027

第3章Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構和電子性質的影響/ 029
3.1概述/ 030
3.2計算模型和方法/ 031
3.3結構及電子性質/ 033
3.3.1Aun團簇吸附于非缺陷單層MoS2/ 033
3.3.2Au團簇在單S空位MoS2上的吸附/ 038
3.3.3Au團簇在反位缺陷MoS2上的吸附/ 043
參考文獻/ 047

第4章反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響/ 051
4.1概述/ 051
4.2計算方法和模型/ 052
4.3電子及磁學性質/ 054
4.3.1反位缺陷MoS2的電子性質/ 054
4.3.23d過渡金屬原子吸附對反位缺陷MoS2的電子及磁學性質的影響/ 056
參考文獻/ 060

第5章非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響/ 063
5.1概述/ 063
5.2計算模型和方法/ 064
5.3吸附位置及磁學性質/ 065
5.3.1非金屬原子的吸附位置/ 065
5.3.2非金屬原子吸附對MoS2磁學及電子性質的影響/ 066
參考文獻/ 071

第6章3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 074
6.1概述/ 074
6.2計算模型和方法/ 076
6.3穩(wěn)定性、電學及磁學性質/ 077
6.3.1幾何結構和穩(wěn)定性/ 077
6.3.2電子結構/ 079
6.3.3磁性/ 079
6.3.4能帶結構/ 084
參考文獻/ 087

第7章小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 091
7.1概述/ 091
7.2計算模型和方法/ 093
7.3吸附對電學及磁學性質的影響/ 094
7.3.1CO吸附/ 094
7.3.2H2O吸附/ 096
7.3.3NH3吸附/ 097
7.3.4N2吸附/ 098
7.3.5NO2吸附/ 099
7.3.6NO吸附/ 101
7.3.7O2吸附/ 102
參考文獻/ 103

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