本書是作者近年來在對二維化合物材料的電子結構、磁特性以及相變的研究基礎上撰寫而成的,系統(tǒng)地介紹了吸附、摻雜、缺陷等調控方法對二維MoS2和InSe材料的電子性質及磁特性的影響。全書共分七章,前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法。第3章介紹了Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構、電子性質的影響,第4章介紹了反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響,第5章介紹了非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響,第6章介紹了3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響,第7章介紹了小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響。 本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考,也可作為高等院校相關專業(yè)的本科生和研究生的參考書。