硅片的超精密磨削理論與技術(shù)

第1章 單晶硅的基本性質(zhì)與應(yīng)用 （1）
1.1 晶體幾何學(xué)基礎(chǔ) （1）
1.1.1 晶體結(jié)構(gòu) （1）
1.1.2　晶向指數(shù) （3）
1.1.3 晶面指數(shù) （3）
1.1.4 立方晶體 （4）
1.2 單晶硅結(jié)構(gòu) （6）
1.3 單晶硅的基本性質(zhì) （8）
1.3.1 化學(xué)性質(zhì) （8）
1.3.2 力學(xué)特性 （11）
1.3.3 熱學(xué)性質(zhì) （12）
1.3.4 電學(xué)性質(zhì) （13）
1.3.5 光學(xué)性質(zhì) （13）
1.4 單晶硅的晶體缺陷 （13）
1.4.1 單晶硅的點(diǎn)缺陷 （14）
1.4.2 單晶硅的線缺陷 （15）
1.4.3 單晶硅的面缺陷 （16）
1.4.4 單晶硅的體缺陷 （18）
1.5 單晶硅的應(yīng)用 （18）
參考文獻(xiàn) （19）
第2章 集成電路制造工藝及硅片加工相關(guān)術(shù)語(yǔ) （20）
2.1 集成電路及其發(fā)展 （20）
2.2 集成電路制造流程 （21）
2.2.1 硅片制備 （21）
2.2.2 IC制造 （24）
2.2.3 IC封裝與測(cè)試 （25）
2.3 控制硅片質(zhì)量的主要特征參數(shù)及相關(guān)術(shù)語(yǔ) （25）
2.3.1 表征硅片加工前內(nèi)在質(zhì)量的特征參數(shù) （26）
2.3.2 表征硅片加工后幾何精度的特征參數(shù) （26）
2.3.3 表征硅片加工后面型精度的特征參數(shù) （27）
2.3.4 表征硅片加工后表面狀態(tài)質(zhì)量的特征參數(shù) （34）
2.3.5 表征硅片加工后亞表面損傷的相關(guān)術(shù)語(yǔ) （35）
參考文獻(xiàn) （37）
第3章 硅片的磨削方法與理論分析 （39）
3.1 集成電路制造中的硅片超精密磨削方法 （39）
3.1.1 硅片超精密磨削在集成電路制造中的應(yīng)用 （39）
3.1.2 轉(zhuǎn)臺(tái)式磨削 （40）
3.1.3 硅片旋轉(zhuǎn)磨削 （41）
3.2 硅片旋轉(zhuǎn)磨削的硅片表面磨紋建模、仿真與分析 （42）
3.2.1 硅片表面磨紋建模 （43）
3.2.2 硅片表面磨紋仿真 （44）
3.2.3 硅片表面磨紋分析 （46）
3.3 硅片旋轉(zhuǎn)磨削的磨粒切削深度建模與分析 （49）
3.3.1 磨粒切削深度建模 （49）
3.3.2 磨粒切削深度對(duì)硅片磨削表面質(zhì)量影響的試驗(yàn)分析 （53）
3.4 硅片旋轉(zhuǎn)磨削的硅片磨削面型建模、仿真與分析 （55）
3.4.1 硅片磨削面型建模 （55）
3.4.2 硅片磨削面型仿真 （57）
3.4.3 硅片磨削面型的統(tǒng)一表征方法 （60）
3.4.4 硅片磨削面型的控制 （62）
參考文獻(xiàn) （66）
第4章 硅片超精密磨削機(jī)理 （68）
4.1 單晶硅超精密磨削的材料去除機(jī)理 （68）
4.1.1 單顆粒金剛石磨削試驗(yàn)方法 （68）
4.1.2 單晶硅磨削過程中的脆性—延性轉(zhuǎn)變 （70）
4.1.3 單晶硅延性域磨削的臨界切削深度及其影響因素 （73）
4.2 硅片超精密磨削表面損傷形成機(jī)理 （76）
4.2.1 表面微觀形貌 （76）
4.2.2 表面層微觀組織 （79）
4.2.3 表面相變分析 （82）
4.3 單晶硅納米級(jí)磨削過程的分子動(dòng)力學(xué)仿真 （83）
4.3.1 分子動(dòng)力學(xué)仿真基本理論 （83）
4.3.2 單晶硅納米級(jí)磨削過程的分子動(dòng)力學(xué)仿真分析 （88）
參考文獻(xiàn) （95）
第5章 超精密磨削硅片面型精度的測(cè)量與評(píng)價(jià) （96）
5.1 超精密磨削硅片厚度的測(cè)量與評(píng)價(jià) （96）
5.1.1 單面式測(cè)量 （96）
5.1.2 雙面式測(cè)量 （100）
5.2 超精密磨削硅片面型精度的測(cè)量方法與儀器 （102）
5.2.1 電容式傳感器測(cè)量 （102）
5.2.2 光學(xué)式測(cè)量 （103）
5.3 超薄硅片面型精度的測(cè)量技術(shù)及儀器 （107）
5.3.1 超薄硅片面型精度測(cè)量的技術(shù)需求 （107）
5.3.2 超薄硅片面型精度測(cè)量面臨的問題及技術(shù)現(xiàn)狀 （109）
5.3.3 超薄硅片面型精度測(cè)量新方法研究 （111）
5.3.4 超薄硅片面型精度測(cè)量?jī)x器的開發(fā) （115）
參考文獻(xiàn) （120）
第6章 超精密磨削硅片表面層質(zhì)量及其檢測(cè)和評(píng)價(jià)方法 （122）
6.1 超精密磨削硅片表面層質(zhì)量的檢測(cè)方法 （122）
6.1.1 超精密磨削硅片表面粗糙度的檢測(cè)方法 （123）
6.1.2 超精密磨削硅片表面缺陷的檢測(cè)方法 （125）
6.1.3 超精密磨削硅片亞表面損傷的檢測(cè)方法 （126）
6.2 超精密磨削硅片表面層微裂紋 （132）
6.2.1 單顆粒金剛石磨削硅片表面/亞表面微裂紋的研究 （133）
6.2.2 超精密磨削硅片表面/亞表面微裂紋的研究 （134）
6.3 超精密磨削硅片表面層相變 （137）
6.4 超精密磨削硅片表面層殘余應(yīng)力 （139）
6.4.1 單顆粒金剛石磨削硅片表面殘余應(yīng)力的分布 （139）
6.4.2 磨削硅片表面微觀應(yīng)力與表面層殘余應(yīng)力 （142）
6.5 超精密磨削硅片表面層損傷模型 （147）
6.6 磨削參數(shù)對(duì)硅片表面層質(zhì)量的影響分析及控制策略 （149）
參考文獻(xiàn) （153）
第7章 硅片超精密磨削工藝 （156）
7.1 金剛石砂輪超精密磨削工藝 （156）
7.1.1 金剛石砂輪的結(jié)構(gòu)與組織特性 （156）
7.1.2 金剛石砂輪的制備與修整技術(shù) （160）
7.1.3 金剛石砂輪磨削工藝參數(shù)的選擇與優(yōu)化 （163）
7.2 軟磨料砂輪機(jī)械化學(xué)磨削新工藝 （170）
7.2.1 軟磨料砂輪機(jī)械化學(xué)磨削原理 （170）
7.2.2 軟磨料砂輪的制備與修整技術(shù) （171）
7.2.3 軟磨料砂輪的磨削性能 （175）
7.2.4 軟磨料砂輪磨削硅片的材料去除機(jī)理 （180）
7.3 硅片高效低損傷磨削工藝 （185）
7.3.1 高效低損傷磨削工藝方案 （185）
7.3.2 高效低損傷磨削工藝方案的應(yīng)用試驗(yàn) （186）
參考文獻(xiàn) （189）
第8章 硅片超精密磨床 （191）
8.1 硅片超精密磨削對(duì)硅片磨床的要求 （191）
8.2 硅片超精密磨床的結(jié)構(gòu)形式和發(fā)展趨勢(shì) （192）
8.2.1 硅片超精密磨床的結(jié)構(gòu)形式 （192）
8.2.2 硅片超精密磨床的發(fā)展趨勢(shì) （195）
8.3 300mm硅片超精密磨床的開發(fā) （196）
8.3.1 硅片超精密磨床的總體方案 （196）
8.3.2 硅片超精密磨床的關(guān)鍵系統(tǒng) （200）
8.3.3 硅片超精密磨床的主要結(jié)構(gòu)件設(shè)計(jì)與特性分析 （211）
8.3.4 硅片超精密磨床的性能 （217）
參考文獻(xiàn) （231）
第9章 硅片磨削技術(shù)新發(fā)展 （234）
9.1 雙面磨削 （234）
9.1.1 雙面磨削的特點(diǎn) （234）
9.1.2 雙面磨床 （234）
9.1.3 雙面磨削的加工效果 （235）
9.1.4 磨痕 （235）
9.1.5 硅片面型 （236）
9.2 磨拋一體化工藝 （237）
9.2.1 磨拋一體化工藝的特點(diǎn) （237）
9.2.2 磨拋一體化加工的工具 （238）
9.2.3 磨拋一體化加工的設(shè)備 （238）
9.3 行星盤磨削 （238）
9.3.1 行星盤磨削的特點(diǎn) （239）
9.3.2 行星盤磨削的工具與設(shè)備 （239）
參考文獻(xiàn) （240）