薄膜晶體管物理、工藝與SPICE建模

定　價(jià)：￥39.00

作　者：	雷東
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	電子通信電子元件/組件工業(yè)技術(shù)

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ISBN：	9787121293948	出版時(shí)間：	2016-07-01	包裝：	平塑
開本：		頁數(shù)：	10	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書以顯示面板設(shè)計(jì)和制造過程中的經(jīng)驗(yàn)為依據(jù)，詳細(xì)分析并闡述了TFT的器件物理、制造工藝以及SPICE建模的相關(guān)內(nèi)容。全書分為6章。第1章闡述了TFT用于平板顯示的技術(shù)原理，以及針對TFT進(jìn)行SPICE建模前所需要掌握的基礎(chǔ)知識。第2章、第3章內(nèi)容主要是針對a-Si TFT進(jìn)行的分析和闡述。其中，第2章分析了目前產(chǎn)業(yè)界常用的a-Si TFT的結(jié)構(gòu)、相關(guān)的工藝過程、材料以及器件的物理性質(zhì)。第3章則詳細(xì)分析了a-Si TFT的SPICE模型，并對每個(gè)模型參數(shù)的物理意義及其在TFT特性曲線上的作用進(jìn)行了分析。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工藝及SPICE模型。第6章針對目前新型的IGZO工藝進(jìn)行了闡述，主要介紹了IGZO材料及器件的物理性質(zhì)，以及業(yè)界廣泛采用的IGZO TFT的結(jié)構(gòu)和工藝過程。

作者簡介

　　雷東，內(nèi)蒙古包頭市人，畢業(yè)于浙江大學(xué)材料系硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，獲工學(xué)科學(xué)碩士學(xué)位，研究領(lǐng)域?yàn)榘雽?dǎo)體硅材料。 2012年4月至2015年3月，曾分別就擔(dān)任北京京東方科技集團(tuán)移動(dòng)顯示產(chǎn)品開發(fā)中心研究員、北京博達(dá)微科技有限責(zé)任公司SPICE器件建模高級工程師、華大九天軟件公司研發(fā)部產(chǎn)品工程師。2015年3月至今，任香港Vendorchain國際有限公司產(chǎn)品經(jīng)理。

圖書目錄

第1章薄膜晶體管（TFT）用于平板顯示 1 1.1 TFT用于液晶平板顯示 1 1.1.1 LCD顯示技術(shù)原理 1 1.1.2 矩陣顯示 6 1.1.3 AMLCD顯示技術(shù)對TFT特性的要求 9 1.2 TFT用于OLED平板顯示 11 1.2.1 有機(jī)發(fā)光二極管（OLED） 11 1.2.2 OLED顯示 13 1.2.3 AMOLED顯示對TFT特性的要求 15 1.3 TFT的SPICE建模與仿真 16 1.3.1 SPICE仿真與建模 16 1.3.2 TFT的SPICE建模 18 1.3.3 模型的質(zhì)量驗(yàn)證 24 參考文獻(xiàn) 25 第2章 a-Si:H TFT的結(jié)構(gòu)、工藝與器件物理 26 2.1 平板顯示用a-Si:H TFT的結(jié)構(gòu)與工藝 26 2.1.1 平板顯示用a-Si TFT的常見結(jié)構(gòu) 26 2.1.2 柵極（Gate）金屬 27 2.1.3 a-SiNx:H薄膜 27 2.1.4 a-Si:H薄膜 30 2.1.5 n+ a-Si:H薄膜 36 2.1.6 源漏（S/D）極金屬 37 2.1.7 鈍化層 37 2.2 a-Si:H TFT器件的電學(xué)特性 38 2.2.1 柵極（Gate）正向偏置 38 2.2.2 a-Si:H TFT的漏電流 44 參考文獻(xiàn) 45 第3章 a-Si:H TFT的SPICE模型 47 3.1 DC模型 47 3.1.1 a-Si:H TFT開啟前 47 3.1.2 a-Si:H TFT開啟后 53 3.1.3 漏電流區(qū) 63 3.1.4 DC溫度模型 65 3.2 AC模型 66 參考文獻(xiàn) 68 第4章低溫多晶硅（LTPS）TFT的結(jié)構(gòu)、工藝與器件物理 70 4.1 緩沖層以及a-Si層 71 4.1.1 薄膜的沉積 71 4.1.2 去氫 72 4.2 LTPS層 74 4.2.1 準(zhǔn)分子激光退火（ELA） 74 4.2.2 LTPS薄膜的表面 77 4.3 LTPS薄膜的電學(xué)特性 78 4.3.1 晶界簡介 78 4.3.2 晶界勢壘 80 4.3.3 載流子的輸運(yùn) 82 4.4 傳統(tǒng)的固相結(jié)晶技術(shù)（SPC） 84 4.5 金屬誘導(dǎo)結(jié)晶（MIC） 85 4.6 TFT溝道與N-TFT源/漏的形成 86 4.7 柵絕緣（GI）層 87 4.8 p型TFT源/漏與n型TFT LDD的形成 90 4.8.1 輕摻雜漏極 (Lightly Doped Drain，LDD) 90 4.8.2 注入離子的活化 91 4.9 層間介質(zhì)層（Interlayer Dielectric Film，ILD） 92 4.10 信號線（Data line） 92 4.11 LTPS TFT器件的電學(xué)性質(zhì) 93 4.11.1 柵極正向偏置 93 4.11.2 LTPS TFT的漏電流 98 參考文獻(xiàn) 99 第5章 LTPS TFT的SPICE模型 102 5.1 DC模型 102 5.1.1 TFT有效開啟電壓的表達(dá)式 102 5.1.2 亞閾值區(qū) 107 5.1.3 輸出電流 110 5.1.4 遷移率模型 112 5.1.5 漏電流模型 117 5.1.6 Kink效應(yīng) 122 5.1.7 溝道長度調(diào)制效應(yīng) 125 5.1.8 方程的統(tǒng)一 126 5.1.9 DC溫度模型 131 5.2 AC模型 132 參考文獻(xiàn) 135 第6章 IGZO TFT的結(jié)構(gòu)、工藝與器件物理 136 6.1 IGZO工藝概述 136 6.2 平板顯示用IGZO TFT的結(jié)構(gòu) 137 6.2.1 柵極（Gate）金屬 137 6.2.2 柵絕緣層（GI） 138 6.2.3 IGZO薄膜材料 139 6.2.4 刻蝕阻擋層（ESL） 149 6.2.5 S/D金屬 150 6.3 IGZO TFT的電學(xué)特性 150 6.3.1 柵極正向偏置 150 6.3.2 IGZO TFT的漏電流 152 參考文獻(xiàn) 152