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當(dāng)前位置: 首頁(yè)出版圖書(shū)科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)無(wú)線電電子學(xué)、電信技術(shù)超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用

超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用

超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用

定 價(jià):¥260.00

作 者: 韋亞一
出版社: 科學(xué)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

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ISBN: 9787030482686 出版時(shí)間: 2016-06-01 包裝:
開(kāi)本: 32開(kāi) 頁(yè)數(shù): 576 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  光刻技術(shù)是所有微納器件制造的核心技術(shù)。在集成電路制造中,正是由于光刻技術(shù)的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續(xù)。本書(shū)覆蓋現(xiàn)代光刻技術(shù)的重要方面,包括設(shè)備、材料、仿真(計(jì)算光刻)和工藝。在設(shè)備部分,對(duì)業(yè)界使用的主流設(shè)備進(jìn)行剖析,介紹其原理結(jié)構(gòu)、使用方法、和工藝參數(shù)的設(shè)置。在材料部分,介紹了包括光刻膠、抗反射涂層、抗水涂層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結(jié)構(gòu)、使用方法,以及必須達(dá)到的性能參數(shù)。本書(shū)按照仿真技術(shù)發(fā)展的順序,系統(tǒng)介紹基于經(jīng)驗(yàn)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正、基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正、亞曝光分辨率的輔助圖形、光源-掩模版共優(yōu)化技術(shù)和反演光刻技術(shù)。如何控制套刻精度是光刻中公認(rèn)的技術(shù)難點(diǎn),本書(shū)有一章專(zhuān)門(mén)討論曝光對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和控制套刻精度的方法。另外,本書(shū)特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責(zé),以及如何協(xié)調(diào)各方資源保證研發(fā)進(jìn)度。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介

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