目 錄第1章 S參數的簡要回顧 11.1 引言 11.2 參數 11.3 波變量 21.4 S參數的測量 61.5 S參數是一種頻譜映射 71.6 疊加 81.7 S參數所描述元件的時不變性 91.8 級聯性 101.9 直流工作點 121.10 非線性器件的S參數 121.11 S參數的附帶優(yōu)勢 151.11.1 S參數適合高頻上的分布參數元件 151.11.2 在高頻上S參數易于測量 151.11.3 二端口S參數的解釋 151.11.4 用S參數進行分層行為設計 161.12 S參數的局限性 161.13 總結 17習題 17參考文獻 18補充閱讀材料 18第2章 X參數的基本概念 192.1 概述 192.2 非線性行為和非線性頻譜映射 192.3 多諧波頻譜映射 212.4 負載和源失配效應 232.5 級聯DUT 242.6 實例:兩個帶有獨立偏置的RF功率放大器的級聯 262.7 與諧波平衡的關系 282.8 交叉頻率相位 282.8.1 同量信號 282.8.2 交叉頻率相位的定義 292.9 多諧波多端口激勵的基本X參數 322.9.1 Fp,k(?)函數的時不變性及相關特性 332.9.2 X參數的定義和行為模型 342.9.3 實例:X參數集 352.10 基本X參數的物理含義 362.10.1 參考激勵和響應 362.10.2 物理含義 372.11 使用X參數行為模型 372.11.1 實例:源和負載失配的放大器 382.12 總結 41習題 41參考文獻 42補充閱讀材料 42第3章 頻譜線性化近似 433.1 微弱失配時基本X參數的簡化 433.1.1 非解析映射(Non-analytic Maps) 443.1.2 大信號工作點(Large-signal Operating Point) 463.2 加入小信號激勵(非線性頻譜映射線性化) 483.2.1 小信號交互:射頻項 493.2.2 小信號交互:直流項 503.3 小信號交互項的物理含義 523.4 討論:X參數和頻譜的雅可比(Jacobian)行列式 573.5 X參數是S參數的超集 573.6 兩級放大器設計 623.7 大信號激勵下的放大器匹配 653.7.1 輸出匹配及hot-S22 653.7.2 輸入匹配 743.8 實例:一個GSM放大器 763.9 總結 79習題 80參考文獻 82補充閱讀材料 82第4章 X參數的測量 834.1 硬件測量平臺 834.1.1 硬件測量要求 834.1.2 基于混頻器的測量系統 834.1.3 基于采樣器的測量系統 864.1.4 激勵信號要求 874.2 校準 884.2.1 標量損耗修正 884.2.2 S參數校準 894.2.3 NVNA校準 904.3 相位參考 914.3.1 相位參考信號 924.3.2 測量注意事項 934.3.3 實際相位參考信號 944.4 測量技術 954.4.1 大信號響應測量 954.4.2 小信號響應測量 964.4.3 實際測量考量 984.4.4 基于仿真的X參數提取 1004.5 X參數文件 1004.5.1 結構 1004.5.2 命名規(guī)則 1014.5.3 文件實例 1024.6 總結 104參考文獻 104補充閱讀材料 104第5章 多音及多端口X參數 1055.1 引言 1055.2 同量信號——大信號A1,1和A2,1:負載相關X參數 1065.2.1 時不變、相位歸一化及同量雙音大信號工作點 1075.2.2 頻譜線性化 1085.3 利用負載調諧器建立大信號工作點:無源負載牽引 1095.4 同量信號的其他考慮事項 1115.4.1 在受控負載下提取X參數函數 1115.4.2 諧波疊加原理 1115.4.3 無源負載牽引下負載相關X參數的局限性 1115.4.4 三射頻自變量空間定義的參考大信號工作點采樣 1125.4.5 負載相關X參數硬件測量平臺 1125.4.6 校準修正不可控諧波阻抗 1135.5 GaAs工藝FET晶體管在任意阻抗下的負載相關X參數 1135.5.1 GaN工藝HEMT的負載相關X參數模型:估計單獨調諧諧波阻抗的影響 1155.6 設計實例:Doherty功率放大器的設計與有效性檢驗 1215.6.1 Doherty功率放大器 1215.6.2 晶體管的X參數表征 1225.6.3 X參數模型的有效性檢驗 1235.6.4 利用X參數設計Doherty功率放大器 1265.6.5 設計結果 1285.7 非同量信號 1295.7.1 非同量雙音(two-tone)X參數的符號 1295.7.2 非同量雙音X參數的時不變性 1305.7.3 參考大信號工作點 1325.7.4 頻譜線性化 1325.7.5 討論 1345.7.6 負頻率互調成分 1345.7.7 混頻器的X參數模型 1355.8 總結 137習題 138參考文獻 138補充閱讀材料 139第6章 記憶效應和動態(tài)X參數 1406.1 引言 1406.2 已調信號:包絡域 1406.3 在包絡域中的準靜態(tài)X參數的估計 1416.3.1 從靜態(tài)單音X參數模型描述準靜態(tài)雙音(two-tone)互調失真 1426.3.2 利用準靜態(tài)法估計ACPR 1476.3.3 靜態(tài)法的一些局限性 1496.3.4 數字調制中準靜態(tài)X參數的優(yōu)點 1496.4 記憶效應的表現 1506.5 記憶效應的起因 1516.5.1 自熱 1516.5.2 偏置調制 1526.6 記憶效應的重要性 1556.6.1 調制引入的基帶記憶和載波記憶 1556.6.2 動態(tài)X參數 1566.6.3 記憶核辨識:概念的起因 1596.6.4 記憶核的階躍響應 1606.6.5 應用于真實放大器 1616.6.6 記憶模型的有效性檢驗 1636.6.7 動態(tài)X參數的解釋 1676.6.8 寬帶X參數(XWB) 168參考文獻 173補充閱讀材料 174附錄A 符號和通用定義 175A.1 集合 175A.2 矢量和矩陣 175A.3 信號表示 176A.3.1 時域信號(實信號) 176A.3.2 復表示(復包絡信號) 176A.4 傅里葉分析 177A.5 波定義 178A.5.1 廣義功率波 178A.5.2 電壓波 180A.6 線性網絡矩陣描述 180A.6.1 S參數 181A.6.2 Z參數 181A.6.3 Y參數 181附錄B X參數和Volterra理論 182B.1 引言 182B.2 數學符號與問題定義 182B.3 Volterra理論的應用 183B.4 麥克勞林級數的推導 184B.5 直流輸出的麥克勞林級數 185B.6 結論 186附錄C 并行Hammerstein 模型的對稱性 187附錄D 寬帶記憶近似 189附錄E 習題解答 191