理工基礎(chǔ)化學

前言  1熱化學  1.1熱力學基本概念和術(shù)語  1.1.1系統(tǒng)和環(huán)境  1.1.2相  1.1.3狀態(tài)函數(shù)  1.1.4熱力學平衡狀態(tài)  1.1.5過程與途徑  1.2熱力學第一定律  1.2.1熱  1.2.2功  1.2.3熱力學能  1.2.4熱力學第一定律的內(nèi)容  1.3恒容熱、恒壓熱與焓變  1.3.1恒容熱  1.3.2恒壓熱  1.3.3焓與焓變  1.3.4恒容熱與恒壓熱的關(guān)系  1.3.5蓋斯定律  1.4標準摩爾反應(yīng)焓變與標準摩爾生成焓  1.4.1標準摩爾反應(yīng)焓變  1.4.2標準摩爾生成焓  1.4.3利用標準摩爾生成焓計算標準摩爾反應(yīng)焓變  思考題  習題  2反應(yīng)方向、反應(yīng)限度和反應(yīng)速率  2.1化學反應(yīng)的方向  2.1.1自發(fā)過程  2.1.2分散度和混亂度  2.1.3熵  2.1.4熵增原理  2.1.5標準摩爾熵  2.1.6標準摩爾反應(yīng)熵變  2.1.7吉布斯函數(shù)和吉布斯函數(shù)變判據(jù)  2.1.8吉布斯函數(shù)變和標準吉布斯函數(shù)變的關(guān)系  2.1.9反應(yīng)的吉布斯函數(shù)變的計算及應(yīng)用  2.2化學反應(yīng)的限度和化學平衡  2.2.1反應(yīng)限度的判據(jù)與化學平衡  2.2.2化學反應(yīng)平衡常數(shù)  2.2.3化學平衡的有關(guān)計算  2.2.4利用平衡常數(shù)和反應(yīng)商判斷反應(yīng)的自發(fā)性  2.2.5化學平衡的移動  2.3化學反應(yīng)速率  2.3.1濃度的影響和反應(yīng)級數(shù)  2.3.2溫度的影響和阿倫尼烏斯公式  2.3.3反應(yīng)的活化能和催化劑  思考題  習題  3溶液  3.1稀溶液的依數(shù)性及其應(yīng)用  3.1.1液體的飽和蒸氣壓  3.1.2蒸氣壓下降  3.1.3沸點升高  3.1.4凝固點降低  3.1.5滲透壓  3.2弱電解質(zhì)溶液與離子平衡  3.2.1弱酸和弱堿在水溶液中的解離平衡  3.2.2配離子的解離平衡  思考題  習題  4電化學與金屬腐蝕  4.1原電池  4.1.1氧化還原反應(yīng)與原電池  4.1.2原電池熱力學  4.2電極電勢  4.2.1電極電勢的形成和原電池的電動勢  4.2.2標準電極電勢  4.3能斯特方程  4.4電動勢與電極電勢在化學中的應(yīng)用  4.4.1物質(zhì)氧化還原性相對強弱的比較  4.4.2反應(yīng)方向的判斷與反應(yīng)進行程度的衡量  4.5金屬腐蝕與防護  4.5.1金屬腐蝕的起源與分類  4.5.2金屬腐蝕的防護  4.6化學電源  4.6.1一次電池  4.6.2二次電池  4.6.3燃料電池  4.6.4廢棄化學電源與環(huán)境影響  4.7電化學工學  4.7.1電解及電解池中兩極的電解產(chǎn)物  4.7.2電解冶煉與精煉  4.8電解加工  4.8.1電解成型加工  4.8.2電解磨削  4.8.3電解刻蝕  4.8.4電鍍與電鑄  4.8.5電化學拋光  思考題  習題  5電子信息工業(yè)中的化學  5.1引言  5.1.1半導體種類及性質(zhì)  5.1.2集成電路  5.1.3半導體材料的發(fā)展趨勢  5.2半導體晶片的制備  5.2.1硅片的制造  5.2.2石英坩堝的制備技術(shù)  5.2.3硅單晶生長  5.2.4晶片成形  5.2.5晶片的測試分析  5.2.6砷化鎵單晶體生長技術(shù)  5.3晶片清洗  5.3.1概論  5.3.2濕式清洗技術(shù)與化學品  5.3.3干式清洗技術(shù)  5.3.4干燥技術(shù)  5.3.5各類污染物的來源  5.4氧化工藝  5.4.1二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及其作用  5.4.2氧化方法  5.5化學氣相沉積（CVD）工藝及化學品  5.5.1CVD基本原理簡介  5.5.2各種化學氣相沉積法反應(yīng)簡介  5.5.3CVD制備工藝  5.6金屬沉積  5.6.1物理氣相沉積金屬制作工藝  5.6.2化學氣相沉積金屬制作工藝  5.7光刻  5.7.1概述  5.7.2光刻膠及感光機理  5.7.3光刻膠的主要性能  5.7.4光刻工藝過程  5.7.5掩模版的制造  5.7.6光刻用其他化學品  5.7.7光刻曝光系統(tǒng)  5.8刻蝕技術(shù)及其化學品  5.8.1概述  5.8.2濕法刻蝕  5.8.3半導體工藝中常用材料的濕法刻蝕  5.8.4干法刻蝕  5.8.5半導體工藝中常用材料的干法刻蝕  5.9平坦化工藝及相關(guān)化學品  5.9.1旋涂膜層（SOG）技術(shù)  5.9.2旋轉(zhuǎn)涂布用低介電常數(shù)高分子材料  5.9.3化學機械平坦化技術(shù)  5.10印刷電路板  5.10.1電路板的基本組成  5.10.2印刷電路板的制造  5.10.3光化學轉(zhuǎn)移法印制電路板的制作  5.11新型有機電子信息材料  5.11.1導電高分子材料  5.11.2有機納米及分子器件  5.11.3高介電常數(shù)材料  5.11.4有機發(fā)光二極管材料的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢  5.11.5生物芯片的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢  5.12電子信息工業(yè)廢液的回收  5.12.1手機中貴金屬的回收  5.12.2酸性蝕刻廢液中貴金屬的回收  思考題  6理工基礎(chǔ)化學實驗  6.1實驗目的、學習方法及實驗守則  6.2實驗內(nèi)容  6.2.1實驗一：化學反應(yīng)摩爾焓變的測定  6.2.2買驗二：化學反應(yīng)速率的測定  6.2.3買驗三：醋酸解離度與解離常數(shù)的測定  6.2.4實驗四：鋼鐵件表面光亮鍍鋅  6.2.5實驗五：鋁合金表面處理——陽極氧化  6.2.6實驗六：印刷線路板的化學加工  主要參考文獻