坩堝下降法晶體生長(zhǎng)

定　價(jià)：￥59.00

作　者：	徐家躍，范世（馬豈）著
出版社：	化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	化學(xué) 晶體學(xué) 自然科學(xué)

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ISBN：	9787122218643	出版時(shí)間：	2015-03-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	210	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

《坩堝下降法晶體生長(zhǎng)》對(duì)坩堝下降法的歷史進(jìn)行總結(jié)回顧，并分章節(jié)重點(diǎn)介紹幾種功能晶體的生長(zhǎng)和應(yīng)用，其中包括閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶，四硼酸鋰壓電晶體生長(zhǎng)與應(yīng)用，鹵化物晶體坩堝下降法生長(zhǎng)與閃爍性能，鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學(xué)工程中的應(yīng)用，弛豫鐵電單晶生長(zhǎng)于表征進(jìn)展，鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)研究，中紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長(zhǎng)與表征等。此外，依據(jù)研究對(duì)象和目的的不同，本專(zhuān)著還對(duì)坩堝下降法的一些技術(shù)創(chuàng)新工作進(jìn)行了介紹。

作者簡(jiǎn)介

徐家躍，上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院，教授，博導(dǎo)，工作業(yè)績(jī)：徐家躍教授長(zhǎng)期從事功能晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)研究，先后主持過(guò)包括國(guó)家863項(xiàng)目、中國(guó)科學(xué)院重大項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、上海市青年科技啟明星計(jì)劃項(xiàng)目等多項(xiàng)研發(fā)課題，在壓電晶體LBO、新型弛豫鐵電晶體PZNT、非線(xiàn)性光學(xué)晶體KLN、半導(dǎo)體ZnO及GaAs晶體等研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新方面取得了一些重要研究成果，并在國(guó)際上首創(chuàng)底部籽晶法（BSSG）等新生長(zhǎng)技術(shù)，在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文150余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)，出版專(zhuān)著2部。采用多坩堝下降法研制并生產(chǎn)的新型壓電晶體LBO，被日本、韓國(guó)等多家國(guó)際大公司采用，累計(jì)產(chǎn)值已超過(guò)7000萬(wàn)元，該項(xiàng)目1993年獲得中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、1995年獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、1997年獲得國(guó)家專(zhuān)利局與世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織聯(lián)合頒發(fā)的“中國(guó)專(zhuān)利創(chuàng)造發(fā)明金獎(jiǎng)”。
　　主要社會(huì)兼職：現(xiàn)任中國(guó)能源學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體分會(huì)理事、中國(guó)光學(xué)會(huì)光學(xué)材料分會(huì)理事、國(guó)家人工晶體材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員、全國(guó)頻率器件選擇用壓電材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員、上海市硅酸鹽學(xué)會(huì)理事、上海市新材料協(xié)會(huì)理事以及《無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)》、《硅酸鹽學(xué)報(bào)》、《人工晶體學(xué)報(bào)》等刊物編委。

圖書(shū)目錄

第1章歷史回顧
1.1 早期工作
1.2 下降法生長(zhǎng)鹵化物單晶
1.3 下降法生長(zhǎng)半導(dǎo)體單晶
1.4 下降法生長(zhǎng)氧化物晶體
參考文獻(xiàn)

第2章閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶
2.1 概述
2.2 鍺酸鉍晶體
2.2.1 晶體生長(zhǎng)
2.2.2 晶體缺陷
2.2.3 晶體性能
2.2.4 應(yīng)用舉例
2.3 硅酸鉍晶體
2.3.1 Bi2O3 SiO2贗二元系相圖
2.3.2 原料合成
2.3.3 晶體生長(zhǎng)
2.3.4 生長(zhǎng)缺陷
2.3.5 閃爍性能及摻雜改性
2.3.6 其他物理性能
2.3.7 BSO晶體應(yīng)用
2.4 硅鍺酸鉍混晶
2.4.1 固溶特性
2.4.2 晶體生長(zhǎng)
2.4.3 閃爍性能
參考文獻(xiàn)

第3章四硼酸鋰壓電晶體生長(zhǎng)與應(yīng)用
3.1 概述
3.1.1 壓電晶體
3.1.2 四硼酸鋰晶體
3.1.3 四硼酸鋰晶體生長(zhǎng)
3.2 坩堝下降法生長(zhǎng)
3.2.1 原料合成
3.2.2 下降法生長(zhǎng)
3.2.3 工業(yè)化生長(zhǎng)
3.3 晶體缺陷
3.3.1 氣泡和包裹物
3.3.2 串芯與云層
3.3.3 開(kāi)裂
3.3.4 孿晶
3.3.5 位錯(cuò)及其他缺陷
3.4 物理性能
3.4.1 基本性能
3.4.2 壓電性能
3.4.3 光學(xué)性能
3.4.4 其他物理性能
3.5 SAW性能及應(yīng)用
3.5.1 SAW性能
3.5.2 晶片加工
3.5.3 SAW器件
3.6 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)

第4章鹵化物晶體坩堝下降法生長(zhǎng)與閃爍性能
4.1 概述
4.2 NaI：Tl晶體
4.2.1 晶體生長(zhǎng)
4.2.2 NaI：Tl晶體的閃爍性能
4.3 碘化銫
4.3.1 晶體生長(zhǎng)
4.3.2 碘化銫晶體的閃爍性能
4.4 BaF2晶體
4.4.1 晶體生長(zhǎng)
4.4.2 晶體性能
4.5 PbF2晶體
4.6 SrI2：Eu晶體
4.6.1 晶體生長(zhǎng)
4.6.2 晶體性能
4.7 稀土鹵化物閃爍晶體——LaCl3：Ce和LaBr3：Ce
4.7.1 晶體生長(zhǎng)
4.7.2 晶體性能
4.8 展望
參考文獻(xiàn)

第5章鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學(xué)工程中的應(yīng)用
5.1 概述
5.2 PWO晶體的結(jié)構(gòu)特性與缺陷
5.2.1 PWO晶體的結(jié)構(gòu)
5.2.2 PWO晶體的缺陷
5.3 PWO晶體生長(zhǎng)
5.3.1 PWO晶體的提拉法生長(zhǎng)
5.3.2 PWO晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)
5.3.3 PWO晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)設(shè)備
5.3.4 PWO晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)工藝及優(yōu)化
5.3.5 PWO晶體定向與加工
5.3.6 PWO晶體生長(zhǎng)工藝參數(shù)總結(jié)
5.4 PWO晶體閃爍性能
5.4.1 PWO晶體的發(fā)光和光輸出
5.4.2 PWO晶體的發(fā)光衰減
5.4.3 PWO晶體的輻照硬度
5.5 PWO晶體的摻雜效應(yīng)
5.5.1 一價(jià)、二價(jià)陽(yáng)離子摻雜
5.5.2 三價(jià)陽(yáng)離子摻雜
5.5.3 高價(jià)（五、六價(jià)陽(yáng)離子）摻雜
5.5.4 一價(jià)陰離子摻雜
5.6 高光輸出PWO晶體研究
5.7 PWO晶體的應(yīng)用與展望
5.7.1 高能物理
5.7.2 醫(yī)用閃爍體
5.7.3 Cherenkov輻射體
5.7.4 光電子應(yīng)用
5.7.5 快離子導(dǎo)體材料
參考文獻(xiàn)

第6章弛豫鐵電單晶生長(zhǎng)與表征的進(jìn)展
6.1 概述
6.2 弛豫鐵電單晶的生長(zhǎng)
6.2.1 PZN PT和PMN PT
6.2.2 高居里溫度的弛豫鐵電 PT二元系晶體
6.2.3 高居里溫度的弛豫鐵電三元系晶體
6.3 弛豫鐵電晶體的表征
6.3.1 晶體取向?qū)π阅艿挠绊?br>6.3.2 電場(chǎng)引發(fā)的相變
6.3.3 外部直流偏壓下的介電性能
6.4 商業(yè)應(yīng)用和未來(lái)展望
6.4.1 單晶壓電驅(qū)動(dòng)器
6.4.2 醫(yī)學(xué)超聲成像換能器
6.4.3 聲吶換能器
參考文獻(xiàn)

第7章閃爍晶體鎢酸鎘坩堝下降法生長(zhǎng)研究
7.1 閃爍晶體鎢酸鎘的研究進(jìn)展
7.1.1 概述
7.1.2 晶體結(jié)構(gòu)
7.1.3 基本性能
7.1.4 晶體生長(zhǎng)方法
7.2 閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長(zhǎng)
7.2.1 多晶料制備
7.2.2 晶體生長(zhǎng)
7.2.3 若干生長(zhǎng)技術(shù)問(wèn)題
7.2.4 晶體缺陷
7.2.5 性能表征
7.2.6 摻雜晶體的研究
7.3 總結(jié)
參考文獻(xiàn)

第8章中紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長(zhǎng)與表征
8.1 概述
8.2 ZnGeP2晶體
8.2.1 ZnGeP2晶體的結(jié)構(gòu)
8.2.2 ZnGeP2晶體的生長(zhǎng)
8.2.3 ZnGeP2晶體的缺陷
8.2.4 ZnGeP2晶體性能與應(yīng)用
8.3 CdGeAs2晶體
8.3.1 CdGeAs2晶體的結(jié)構(gòu)
8.3.2 CdGeAs2晶體的生長(zhǎng)
8.3.3 CdGeAs2晶體的缺陷
8.3.4 CdGeAs2晶體的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)

第9章日本氧化物晶體坩堝下降法生長(zhǎng)研究
9.1 概述
9.2 磁性應(yīng)用Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.1 概述
9.2.2 傳統(tǒng)坩堝下降法生長(zhǎng)Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.3 坩堝下降法連續(xù)進(jìn)料晶體生長(zhǎng)
9.2.4 小結(jié)
9.3 閃爍探測(cè)器用鎢酸鉛PbWO4（PWO）單晶
9.3.1 概述
9.3.2 晶體生長(zhǎng)
9.3.3 生長(zhǎng)方向和坩堝厚度
9.3.4 熔體成分效應(yīng)
9.3.5 X射線(xiàn)衍射分析
9.3.6 小結(jié)
9.4 Bi4Si3O12（BSO）單晶生長(zhǎng)
9.4.1 概述
9.4.2 小尺寸BSO晶體生長(zhǎng)
9.4.3 大尺寸BSO晶體進(jìn)展
9.4.4 Ce摻雜提高BSO晶體輻照硬度
9.4.5 小結(jié)
9.5 Nd摻雜BSO——一種新型的激光晶體
9.5.1 概述
9.5.2 Nd摻雜BSO晶體生長(zhǎng)
9.5.3 光學(xué)性能和壽命測(cè)試
9.5.4 小結(jié)
9.6 聲波器件應(yīng)用大尺寸Li2B4O7（LBO）晶體生長(zhǎng)
9.6.1 概述
9.6.2 LBO主要性能
9.6.3 下降法晶體生長(zhǎng)
9.6.4 小結(jié)
9.7 總結(jié)
參考文獻(xiàn)

第10章坩堝下降法技術(shù)創(chuàng)新
10.1 概述
10.2 改進(jìn)型坩堝下降法
10.3 助熔劑坩堝下降法
10.3.1 通氣誘導(dǎo)成核
10.3.2 ZnO晶體生長(zhǎng)
10.3.3 PZNT晶體生長(zhǎng)
10.4 底部籽晶法生長(zhǎng)技術(shù)
10.4.1 底部籽晶法
10.4.2 PZNT晶體生長(zhǎng)
10.4.3 SLN晶體生長(zhǎng)
10.5 高溫坩堝下降法生長(zhǎng)藍(lán)寶石
10.6 定向凝固生長(zhǎng)大尺寸硅單晶
10.7 冷坩堝法生長(zhǎng)釔穩(wěn)定氧化鋯
10.8 多坩堝下降法生長(zhǎng)GaAs單晶
參考文獻(xiàn)