場效應晶體管射頻微波建模技術

定　價：￥42.00

作　者：	高建軍著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：	“十一五”國家重點圖書出版規(guī)劃項目
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121037542	出版時間：	2007-01-01	包裝：	膠版紙
開本：	16	頁數(shù)：	277	字數(shù)：

內容簡介

　　本書是作者多年來在微波和光通信技術領域工作、學習、研究和教學過程中獲得知識和經驗的總結。本書主要研究內容包括微波信號網(wǎng)絡矩陣技術和噪聲網(wǎng)絡矩陣技術，和依此為基礎的場效應晶體管射頻微波建模和測試技術。其中，微波射頻場效應晶體管小信號等效電路模型，大信號非線性等效電路模型和噪聲模型，以及模型參數(shù)的提取技術是本書的重點。.本書可以作為微波專業(yè)和電路與系統(tǒng)專業(yè)的高年級本科生和研究生教材，也可以供從事集成電路設計的科研人員參考。...

作者簡介

　　高建軍，男，1968年生。1991年畢業(yè)于清華大學，獲工學學士學位，1994年獲電子工業(yè)部十三所碩士學位，留所工作，任工程師。1996年返清華大學攻讀博士學位，1999年獲清華大學電磁場與微波技術專業(yè)工學博士學位，2001年在中國科學院微電子研究所做博士后，評為副研究員。2001~2004年先后到新加坡南洋理工大學、德國柏林工業(yè)大學和加拿大卡爾頓大學做博士后研究工作。2004年12月回國，任東南大學無線電工程系教授。2006年1~9月以訪問教授赴德國柏林工業(yè)大學、烏爾姆大學訪問。是國際權威雜志和多種國內期刊的審稿人，中國電子學會高級會員，IEEE 會員。在《IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques》等國際權威刊物上發(fā)表論文30多篇，被《SCI》收錄24篇，《EI》收錄31篇。1本專著被選為十一五國家重點圖書。2005年入選教育部“新世紀人才支持計劃”，和“長江學者創(chuàng)新團隊”骨干成員。

圖書目錄

第1章　緒論
　1.1　III-V族化合物半導體器件及集成電路應用背景
　1.2　射頻微波器件和電路的計算機輔助設計
　1.3　本書的目標和結構
　參考文獻
第2章　微波網(wǎng)絡信號和噪聲矩陣技術
　2.1　二端口網(wǎng)絡的信號參數(shù)矩陣
　2.2　微波網(wǎng)絡S參數(shù)和T參數(shù)矩陣
　2.3　微波網(wǎng)絡噪聲矩陣技術
　2.4　二端口網(wǎng)絡的互聯(lián)
　2.5　三端口網(wǎng)絡和二端口網(wǎng)絡之間的關系　
　2.6　二端口網(wǎng)絡的信號流程圖
　2.7　典型的Π型和T型網(wǎng)絡　
　本章小結
　參考文獻
第3章　場效應晶體管小信號等效電路模型和參數(shù)提取技術
　3.1　HEMT器件工作原理
　3.2　FET器件小信號等效電路模型
　3.3　典型的PHEMT器件結構
　3.4　PAD電容提取技術
　3.5　寄生電感提取技術
　3.6　寄生電阻提取技術
　3.7　本征元件提取技術
　3.8　改進的反向截止方法
　3.9　小信號等效電路模型參數(shù)和器件柵寬的比例關系
　3.10　半分析模型參數(shù)提取技術
　本章小結
　參考文獻
第4章　場效應晶體管非線性等效電路模型及參數(shù)提取技術
第5章　場效應晶體管噪聲等效電路模型及參數(shù)提取技術
第6章　FET器件神經網(wǎng)絡建模技術