射頻和微波混合電路：基礎(chǔ)材料和工藝

定　價：￥42.00

作　者：	（美）布朗
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：	微電子技術(shù)系列叢書
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121033575	出版時間：	2006-11-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：	304	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　近年來，無線通信、汽車電子和國防電子的發(fā)展使電子行業(yè)對高頻系統(tǒng)的需求快速增長。與單片微波集成電路（MMIC）的持續(xù)發(fā)展相呼應(yīng)，混合微波集成電路（HMIC）的新材料和新工藝也有了很大發(fā)展。本書首先對射頻微波的基本概念作了簡要介紹，比較了單片微波集成電路和混合微波集成電路的特點，講述了作為射頻微波基礎(chǔ)元件的傳輸線和混合電路工藝的“波導(dǎo)”結(jié)構(gòu)；然后從射頻微波應(yīng)用的角度對基礎(chǔ)材料（導(dǎo)體、介質(zhì)和基片）及其性能進(jìn)行了討論，包括它們對于阻抗、電路高頻性能的影響；最后探討了混合微波集成電路的各種適用工藝。.本書適合從事混合微波集成電路（HMIC）研發(fā)的設(shè)計工程師、工藝工程師和材料工程師閱讀，也適合作為高等學(xué)校電子工程、微電子和微波工程專業(yè)高年級大學(xué)生和研究生的教學(xué)參考書。...

作者簡介

　　理查德·布朗（Richard Brown）是美國的混合電路技術(shù)和工程咨詢專家，在薄厚膜、電鍍和基板技術(shù)方面有30多年工作經(jīng)驗。他最初在貝爾電話實驗室參加工作。1968年加入美國無線電公司（RCA）固體電路部以后，于1979年轉(zhuǎn)入位于普林斯頓的RCA微波技術(shù)中心。1991年，布朗先生任Alcoa電子封裝技術(shù)團(tuán)隊的項目經(jīng)理，負(fù)責(zé)在多芯片模塊（MCM）的高溫共燒陶瓷表面制作薄膜。他著述頗多，曾為1998年。McGraw—Hill出版社出版的《薄膜技術(shù)手冊》撰寫了“薄膜微波混合電路”一章。1995年，國際混合微電子學(xué)會（ISHM）授予他盛譽(yù)——John A．Wagncm，Jr．技術(shù)成就獎。他開設(shè)了有關(guān)《射頻和微波混合電路——基礎(chǔ)、材料和工藝》的一日課程。1991年他的文章《微波混合電路的材料和工藝》被設(shè)在弗吉尼亞州Reston的國際混合微電子學(xué)會（ISHM）發(fā)表。2002年，Kluwer教育出版社出版了本書《射頻和微波混合電路——基礎(chǔ)、材料和工藝》。理查德·布朗先生的聯(lián)系方法是：Richard Brown Ass

圖書目錄

第1章混合微波集成電路與單片微波集成電路
參考文獻(xiàn)
第2章基本概念
2.1 引言
2.2 麥克斯韋定律
2.3 介電常數(shù)與磁導(dǎo)率
2.4 自由空間波長
2.5 傳播速度
2.6 分貝（dB）
2.7 Q值測量
2.8 小信號（S參數(shù)）
參考文獻(xiàn)
第3章平面波導(dǎo)
3.1 阻抗
3.2 微帶
3.2.1 波導(dǎo)波長（λg）
3.3 共面波導(dǎo)
3.4 帶狀線
參考文獻(xiàn)
第4章電流及損耗
4.1 介質(zhì)損耗
4.1.1 tanδ
4.1.2 各向異性
4.2 導(dǎo)體損耗
4.2.1 波導(dǎo)波長損耗
4.2.2 衰減
4.2.3 回波損耗
4.2.4 電壓駐波比（VSWR）
4.2.5 趨膚深度
4.2.6 附著層
4.2.7 表面粗糙度
參考文獻(xiàn)
第5章基片
5.1 玻璃
5.2 單晶
5.3 多晶陶瓷
5.3.1 制造
5.3.2 基片的特性
5.4 低溫共燒陶瓷(LTCC)
5.5 覆銅板材料
5.5.1 玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg
5.5.2 材料性能
5.5.3 制造
5.5.4 機(jī)械刻圖
5.6 清洗
5.6.1 濕法清洗工藝
5.6.2 干法清洗工藝
5.7 安全事項
參考文獻(xiàn)
第6章厚膜
6.1 絲網(wǎng)印刷
6.2 金屬箔掩模
6.3 光刻厚膜
6.3.1 光刻厚膜
6.3.2 光敏厚膜
6.4 加法工藝
6.4.1 金屬有機(jī)物
6.4.2 直接繪圖
6.4.3 直接鍵銅（DBCu）
參考文獻(xiàn)
第7章薄膜
7.1 物理氣相沉積
7.1.1 蒸發(fā)沉積
7.1.2 濺射
參考文獻(xiàn)
第8章介質(zhì)沉積
8.1 等離子增強(qiáng)低壓化學(xué)氣相沉積（PELPCVD）
8.2 陽極化
參考文獻(xiàn)
第9章聚合物
9.1 材料性能
9.1.1 吸濕性
9.1.2 機(jī)械性能
9.1.3 玻璃轉(zhuǎn)化溫度（Tg)
9.1.4 平坦化
9.2 沉積
9.2.1 旋涂
9.2.2 噴涂
9.2.3 絲網(wǎng)印刷
9.2.4 其他沉積方法
9.3 圖形化
9.3.1 濕法刻蝕
9.3.2 干法刻蝕
9.3.3 光敏聚合物
參考文獻(xiàn)
第10章加工方法
第11章光刻
11.1 光刻膠
11.1.1 旋涂
11.1.2 噴涂
11.1.3 輥涂
11.1.4 半月涂覆
11.1.5 電沉積
11.1.6 干膜
11.1.7 浸涂
11.2 原圖和掩模
11.3 曝光
11.3.1 非準(zhǔn)直光光源
11.3.2 大泛光光源
11.3.3 短泛光光源
11.3.4 準(zhǔn)直光光源
11.3.5 激光曝光
參考文獻(xiàn)
第12章電鍍
12.1 綜述
12.2 無機(jī)添加劑
12.3 有機(jī)添加劑
12.4 波形
12.4.1 非均衡直流
12.4.2 脈沖
12.5 電場密度
12.6 化學(xué)鍍
參考文獻(xiàn)
第13章刻蝕
13.1 濕法刻蝕
13.2 干法刻蝕
13.2.1 濺射刻蝕
13.2.2 離子束研磨
13.2.3 反應(yīng)刻蝕技術(shù)
13.3 刻蝕對阻抗的影響
參考文獻(xiàn)
第14章元件
14.1 無源元件
14.1.1 電阻
14.1.2 衰減器
14.1.3 電容器
14.1.4 電感器
14.2 傳輸線元件
14.2.1 互易功分器/功合器
14.2.2 濾波器
參考文獻(xiàn)
第15章封裝
15.1 集成化
15.2 互連
15.2.1 圓線
15.2.2 條帶
15.2.3 修正的載帶自動鍵合（TAB）
15.2.4 集成的跨接線
15.2.5 外殼
15.2.6 熱膨脹
15.2.7 基板貼裝
15.2.8 接地
15.2.9 通孔
15.2.10 可電鍍性
15.2.11 時域反射計（TDR）
參考文獻(xiàn)
第16章超導(dǎo)
16.1 高轉(zhuǎn)變溫度（Tc）材料的性質(zhì)
16.2 材料因素
16.3 基板材料
16.4 膨脹系數(shù)
16.5 緩沖（阻擋）層
16.6 膜的形成
16.6.1 偏軸（off-axis）濺射
16.6.2 脈沖激光沉積
16.6.3 蒸發(fā)
16.6.4 有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)
16.7 圖形制作
16.7.1 濕法刻蝕
16.7.2 干法刻蝕
參考文獻(xiàn)
第17章微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）
參考文獻(xiàn)
附錄A 符號定義
附錄B 公司名錄
附錄C 單位換算
附錄D 對微帶的w/h和εeff的圖解評估