CMOS集成電路原理與應(yīng)用

第1章 CMOS集成電路工藝流程
　1.1 前言
　1.2 MOS集成電路的基本制造工藝過(guò)程
　　1.2.1 晶圓
　　1.2.2 氧化
　　1.2.3 擴(kuò)散與離子注入
　　1.2.4 淀積
　　1.2.5 光刻與刻蝕
　　1.2.6 隔離技術(shù)
　　1.2.7 連接接觸
　1.3 N阱CMOS制造過(guò)程
　　1.3.1 3種主要的CMOS設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)
　　1.3.2 N阱CMOS制作流程
　1.4 BiCMOS制作工藝
　思考題與習(xí)題
第2章 基本MOS器件
　2.1 MOS晶體管器件
　　2.1.1 MOS晶體管結(jié)構(gòu)與幾何參數(shù)
　　2.1.2 MOS管的閾值電壓VGS（th）
　　2.1.3 MOS晶體管的工作原理
　　2.1.4 二階效應(yīng)
　2.2 MOS器件模型
　　2.2.1 MOS晶體管的小信號(hào)模型（Spice Level 1）
　　2.2.2 MOS晶體管的大信號(hào)模型（Spice Level 2）
　　2.2.3 MOS晶體管的（Spice Level 3）模型
　　2.2.4 MOS場(chǎng)效應(yīng)管Pspice模型參數(shù)
　2.3 電阻與電容
　　2.3.1 電阻
　　2.3.2 電容
　2.4 短溝道效應(yīng)
　　2.4.1 等比例縮小理論
　　2.4.2 短溝道效應(yīng)
　2.5 閂鎖效應(yīng)
　思考題與習(xí)題
第3章 MOS集成電路
　3.1 MOS單級(jí)放大電路
　　3.1.1 共源極放大器
　　3.1.2 共漏極放大器
　　3.1.3 共柵極放大器
　3.2 MOS差分放大電路
　　3.2.1 MOS差分對(duì)管的直流轉(zhuǎn)換特性
　　3.2.2 MOS差分對(duì)管的跨導(dǎo)
　　3.2.3 MOS差分對(duì)管的失調(diào)特性
　3.3 CMOS單級(jí)放大電路
　　3.3.1 輸入一輸出電壓傳輸特性
　　3.3.2 交流小信號(hào)電壓增益
　3.4 CMOS差分放大電路
　　3.4.1 電路類(lèi)型
　　3.4.2 CMOS差分放大器的主要性能
　3.5 CMOS互補(bǔ)輸出電路
　3.6 電流源電路
　　3.6.1 基本鏡像電流源
　　3.6.2 比例電流源電路
　3.7 CMOS模擬集成電路
　　3.7.1 概述
　　3.7.2 CMOS運(yùn)放基本電路
　　3.7.3 CMOS模擬集成電路的PSpice宏模型
　3.8 BiCMOS電路
　　3.8.1 BiCMOS基本放大電路
　　3.8.2 BiCMOS差分放大電路
　　3.8.3 BiCMOS集成運(yùn)算放大器
　3.9 頻率特性
　　3.9.1 基本概念
　　3.9.2 基本分析方法——復(fù)頻域分析法
　　3.9.3 用開(kāi)路、短路法確定轉(zhuǎn)折頻率
　　3.9.4 反饋放大器的頻率響應(yīng)與穩(wěn)定性
　思考題與習(xí)題
第4章 CMOS集成電路應(yīng)用
　4.1 CMOS集成運(yùn)算放大器
　　4.1.1 CMOS集成運(yùn)算放大器
　　4.1.2 CMOS集成運(yùn)算放大器應(yīng)用電路舉例
　4.2 CMOS集成電壓比較器
　　4.2.1 CMOS自穩(wěn)零電壓比較器工作原理
　　4.2.2 5G14574四電壓比較器
　4.3 CMOS集成乘法器
　　4.3.1 模擬乘法器的基本概念及其主要特性
　　4.3.2 MOS模擬集成乘法器的工作原理
　4.4 D／A與A／D轉(zhuǎn)換電路的基本原理及其特性
　　4.4.1 D／A轉(zhuǎn)換電路
　　4.4.2 A/D轉(zhuǎn)換電路
　思考題與習(xí)題
第5章 開(kāi)關(guān)電流電路
　5.1 模擬開(kāi)關(guān)電路
　　5.1.1 概述
　　5.1.2 NMOS開(kāi)關(guān)電路
　　5.1.3 CMOS開(kāi)關(guān)電路
　5.2 開(kāi)關(guān)電容電路的工作原理
　　5.2.1 并聯(lián)開(kāi)關(guān)電容模擬電阻
　　5.2.2 串聯(lián)開(kāi)關(guān)電容模擬電阻
　5.3 開(kāi)關(guān)電容電路的基本模塊
　　5.3.1 開(kāi)關(guān)電容分壓器
　　5.3.2 開(kāi)關(guān)電容濾波器
　　5.3.3 開(kāi)關(guān)電容積分器
　　5.3.4 開(kāi)關(guān)電容放大器
　5.4 開(kāi)關(guān)電流技術(shù)
　　5.4.1 電流存儲(chǔ)與延遲
　　5.4.2 開(kāi)關(guān)電流積分器
　　5.4.3 開(kāi)關(guān)電流微分器
　　5.4.4 開(kāi)關(guān)電流濾波器
　思考題與習(xí)題一
第6章 CMOS數(shù)字集成電路
　6.1 概述
　6.2 CMOS集成門(mén)電路
　　6.2.1 CM0S門(mén)電路
　　6.2.2 CMOS門(mén)電路的特性
　　6.2.3 高速和超高速CMOS電路
　　6.2.4 使用CMOS門(mén)電路應(yīng)注意的問(wèn)題
　　6.2.5 PSpice軟件在CMOS門(mén)電路仿真中的應(yīng)用
　6.3 BiCMOS邏輯電路
　　6.3.1 BiCMOS門(mén)電路
　　6.3.2 BiCMOS門(mén)電路的外部特性
　　6.3.3 BiCMOS門(mén)電路的PSpice仿真
　6.4 數(shù)字CMOS組合邏輯電路
　　6.4.1 編碼器
　　6.4.2 譯碼器
　　6.4.3 數(shù)據(jù)選擇器
　　6.4.4 運(yùn)算器
　　6.4.5 數(shù)字組合邏輯電路的PSpice仿真
　6.5 CMOS集成觸發(fā)器和集成時(shí)序邏輯電路
　　6.5.1 集成觸發(fā)器
　　6.5.2 集成電路計(jì)數(shù)器
　　6.5.3 寄存器和移位寄存器
　思考題與習(xí)題
附錄 PSpice簡(jiǎn)明手冊(cè)
　附錄1 概述
　附錄2 電路輸入文件中的語(yǔ)句
參考文獻(xiàn)