半導體集成電路制造技術

定　價：￥48.00

作　者：	張亞非
出版社：	高等教育
叢編項：	長江學者論叢
標　簽：	集成電路

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ISBN：	9787040182996	出版時間：	2006-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	390	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《半導體集成電路制造技術》主要講述半導體集成電路的制造技術，既有基本原理和工藝技術的闡述，也有國內(nèi)外近期發(fā)展狀況的介紹。《半導體集成電路制造技術》根據(jù)半導體集成電路的基本原理和內(nèi)部結構以及版圖設計，通過半導體材料制備、化學清洗、薄膜沉積、NP摻雜、光刻、金屬化處理、生產(chǎn)整合與自動化等工藝整合，講解集成電路的制造技術。《半導體集成電路制造技術》可作為高等院校微電子學和半導體專業(yè)本科生的教材，也可供有關專業(yè)本科生、研究生及工程技術人員閱讀參考。

作者簡介

　　張亞非，理學博士。教授，長江學者，優(yōu)秀留學回國人員。1982—1992年任蘭州大學半導體專業(yè)副教授，1995—1997年任香港城市大學研究員。1997—2001年任日本科技廳無機材質(zhì)研究所先端機能材料研究中心高級科學家，2001年以來任上海交通大學微/納科學技術研究院微電子學與固體電子學學科長江學者。長期從事半導體集成電路工藝、納電子材料與器件方向的研究。曾作為中國高科技中心成員[CCAST（世界實驗室）]、美國通用電器公司（GE）特聘講座學者、美國材料學會會員、意大利理論物理研究中心訪問學者等在電子材料與器件國際學術領域進行過多次講學與合作研究。并受邀擔任多家著名國際學術期刊（如Applied Physics Letters等）的特約評審人。承擔和主持完成過多項國家科學基金和橫向應用研究項目，獲科技發(fā)明專利8項，發(fā)表相關論文百余篇，被SCI他人引用數(shù)百次，曾獲得SCI引用單篇論文全國第7名證書、“世界華人重大學術成果”獎、日本表面技術協(xié)會論文賞和2005年國家自然二等獎等多項獎勵。

圖書目錄

第1章緒論
1.1 引言
1.2 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.3 電路集成
1.4 集成電路制造
1.5 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢
1.6 電子時代
第2章集成電路器件物理
2.1 硅半導體的基本物理特性
2.2 金屬一氧化物一半導體二極管
2.3 金屬一氧化物一半導體場效應晶體管
2.4 短溝道效應
2.5 輕摻雜漏極(IDD)MOSFET器件
2.6 器件縮小原理(scaling principle)
2.7 納米MOSFE3器件中的載流子輸運模型及其特性
2.8 發(fā)展硅納電子學集成電路的限制
參考文獻
第3章半導體材料物理化學基礎及加工技術
3.1 相圖和固溶度
3.2 晶體結構和缺陷
3.3 硅片的生長技術
3.4 區(qū)熔法生長單晶
3.5 GaAs單晶體的液封直拉法生長技術
3.6 布氏法生長GaAs
3.7 晶片成形
3.8 晶片的測試分析技術
參考文獻
第4章半導體制備用材料及化學品
4.1 概述
4.2 清洗技術用高純度化學品
4.3 光刻技術用材料及化學品
4.4 刻蝕技術用高純度化學品
4.5 化學氣相沉積工藝用材料及化學品
4.6 平坦化技術用材料及化學品
4.7 結論
參考文獻
第5章硅片清洗工藝
5.1 晶片清洗概論
5.2 晶片清洗的要求
5.3 濕式化學清洗技術
5.4 物理清洗技術
5.5 干式清洗技術
5.6 清洗設備的結構
5.7 總結及對未來清洗技術的展望
參考文獻
第6章氧化工藝
6.1 概述
6.2 SiO，膜的結構、性質(zhì)及其作用
6.3 熱氧化的原理
6.4 氧化方法
6.5 氧化工藝的設備
6.6 氧化膜的質(zhì)量評價
參考文獻
第7章化學氣相沉積技術
7.1 概述
7.2 CVD基本原理簡介
7.3 各種CVD反應簡介
7.4 CVD裝置
7.5 CVD制備工藝
參考文獻
第8章離子注入技術
8.1 概述
8.2 離子注人技術的基本原理
8.3 離子注入設備
8.4 離子注人層特性的測量和分析
參考文獻
第9章金屬沉積技術
9.1 概述
9.2 未來金屬化的展望
9.3 化學氣相沉積金屬制作工藝
9.4 物理氣相沉積金屬的工藝
參考文獻
第10章擴散工藝
10.1 概述
10.2 擴散原理
10.3 硅中雜質(zhì)原子的擴散方式
10.4 擴散設備
10.5 與擴散有關的參數(shù)測量
參考文獻
第11章快速加熱處理工藝
11.1 快速加熱處理工藝簡介
11.2 快速加熱化學氣相沉積
11.3 快速氧化層生長及氮化
11.4 注人離子活化及淺結面的形成
11.5 金屬硅化物的形成
11.6 磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)的緩流及再緩流
11.7 外延生長
11.8 快速升溫系統(tǒng)介紹
參考文獻
第12章刻蝕流程與設備
12.1 概述
12.2 濕法刻蝕
12.3 干法刻蝕
12.4 半導體工藝中常用材料的干法刻蝕
12.5 前瞻
參考文獻
第13章光刻工藝
13.1 概述
13.2 光刻膠及其主要性能
13.3 光刻對準曝光系統(tǒng)
13.4 光刻工藝過程
13.5 光刻質(zhì)量的檢測
13.6 掩模版的制造
參考文獻
第14章金屬化及平坦化工藝
14.1 概述
14.2 金屬化處理技術
14.3 金屬連線的生產(chǎn)技術
14.4 連線制備技術的展望
14.5 介質(zhì)絕緣膜的制備技術
14.6 低介電常數(shù)材料
14.7 高介電常數(shù)材料
14.8 CMP設備及消耗材料
14.9 CMP的工藝控制
參考文獻
第15章微分析技術及缺陷改善工程
15.1 概述
15.2 微分析儀器的分類
15.3 微分析儀器在半導體工業(yè)中的應用
15.4 常用微分析儀器介紹
15.5 失效分析簡介
15.6 缺陷改善工程
15.7 結論
參考文獻
第16章工藝整合與自動化
16.1 概述
16.2 工藝整合技術
16.3 CIM及自動化
16.4 半導體制造廠計算機信息整合制造的實踐
16.5 信息技術/自動化技術顧問公司的支持
參考文獻