納電子學導論

前言
第1章 時空尺度和輸運范圍
1.1 引言
1.2 納米尺度
1.3 介觀尺度
1.4 電子輸運范圍
參考文獻
第2章 納米結構和低維性
2.1 2D納米結構
2.2 1D納米結構
2.3 0D納米結構
2.4 低維性和態(tài)密度
參考文獻
第3章 納米結構中的介觀現(xiàn)象
3.1 Bloch定理和有效質量
3.2 電導量子化
3.3 熱導量子化
3.4 單電子現(xiàn)象
3.5 人造原子
3.6 量子環(huán)
3.7 量子圍環(huán)和量子攝影
3.8 普適電導漲落
參考文獻
第4章 單電子器件和電路
4.1 納米器件
4.2 單電子研究簡史
4.3 性能的理論極限
4.4 測控條件和電源影響
4.5 理論背景
4.6 單電子隧道結
4.7 單電子箱
4.8 單電子晶體管
4.9 單電子陷阱
4.10 單電子旋轉門和單電子泵
4.11 單電子振蕩器
4.12 單電子電路概論
4.13 單電子計量學電路
4.14 單電子邏輯電路
參考文獻
第5章 納米MOS器件和電路
5.1 實驗型納米MOS哭件
5.2 按比例縮小法則
5.3 納米MOS電路設計分析中的器件模型
5.4 納米MOS邏輯電路
5.5 納米MOS模擬電路
參考文獻
第6章 分子器件和電路
6.1 背景
6.2 分子器件
6.3 聚亞苯基分子邏輯電路
6.4 交叉納米線電路
6.5 碳基納米電路
6.6 卟啉納米電路
第7章 未來可能的發(fā)展
7.1 納米CMOS器件的發(fā)展極限
7.2 自展開神經網絡
7.3 混合型納米ULSI
參考文獻