王陽元文集（第2輯）

編輯出版說明
序一
序二 我國微電子領域的戰(zhàn)略科學家——記我們心目中的王老師
戰(zhàn)略研究
微電子科學技術和集成電路產(chǎn)業(yè)
歷史機遇與我國微電子發(fā)展之路
2020年，把我國建成微電子強國
不到長城非好漢
今日長纓在手，何時縛住蒼龍
建設產(chǎn)前技術研發(fā)聯(lián)盟，自主創(chuàng)新、增強核心競爭力
附錄：知識產(chǎn)權是微電子產(chǎn)業(yè)建設的關鍵
發(fā)展前沿綜述
21世紀的硅微電子學
日新月異的微電子技術
technology innovation and talent cultivation（技術創(chuàng)新與人才培養(yǎng)）
面向產(chǎn)業(yè)需求的21世紀微電子技術的發(fā)展
硅集成電路光刻技術的發(fā)展與挑戰(zhàn)
超深亞微米集成電路中的互連問題
微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求
微機電系統(tǒng)
學術論文
第一部分soi/cmos器件與電路研究
a highperformance soi drivein gate controlled hybrid transistor（一個高性能soi退火推進型柵控混合晶體管）
comprehensive analysis of the short channel effect in the soi gate controlled hybrid transistor （soi柵控混合晶體管短溝效應的全面分析）
the behavior of narrowwidth soi mosfet’s with mesa isolation（采用mesa隔離的窄寬度soi mosfet器件的特性）
采用cosi2 salicide結構cmos/soi器件輻照特性的實驗研究
hot carrier induced degradation in mesaisolated nchannel soi mosfets operating in a bimos mode（工作在bi-mos模式下mesa隔離的n溝soi mosfet的熱載流子導致的退化）
全耗盡soi mosfet輻照導致的閾值電壓漂移模型
一個適用于模擬電路的深亞微米 soi mosfet器件模型
適用于數(shù)?；旌霞傻膕oi mosfet的失真分析
一個解析的適用于短溝soi mosfet s 的高頻噪聲模型
a twodimensional physicallybased current model for deep submicrometer soi dynamic thresholdvoltage mosfet（用于深亞微米soi動態(tài)閾值電壓mosfet的一個基于物理機制的二維電流模型）292
a novel idea: using dtmos to suppress fibl effect in mosfet with highk gate dielectrics（一個新的用dtmos抑制mosfet的fibl效應的方法）
distortion behavior for soi mosfet（soi mosfet的失真行為）
design guideline of an ultrathin body soi mosfet for lowpower andhighperformance applications（高速低功耗超薄體soi mosfet的設計方法）
第二部分 超深亞微米器件研究——模型，tcad，highk effect of grain boundary on minority carrier injection into polysilicon emitter(晶粒邊界對少數(shù)載流子注入多晶硅發(fā)射極的影響)
the influence of tunneling effect and inversion layer quantization effect on threshold voltage of deep submicron mosfet(隧穿效應和反型層量子化效應對深亞微米mosfet的影響)
computer simulation on low energy ion implantation based on moleculardynamics methods（基于分子動力學方法的低能離子注入的計算機模擬）
3～6nm 超薄sio2柵介質的特性
threshold voltage model for mosfets with highk gate dielectrics(高k柵介質mosfets的閾值電壓模型)
interfacial and structural characteristics of ceo2 films on silicon with a nitrided interface formed by nitrogenionbeam bombardment(采用氮離子來轟擊形成的硅上ceo2的氮化物界面層的表面和結構特征)
influences of h+2 and he+ coimplantation into silicon on electric characteristics of mosfets（氫氦聯(lián)合注入硅對mosfet電性能的影響）
atomistic simulation of defects evolution in silicon during annealing after low energy selfion implantation(原子模型模擬硅離子注入硅襯底的退火過程中的缺陷演化)
highly scaled cmos device technologies with new structures and new materials(采用新結構和新材料高度等比例縮小cmos器件技術)
第三部分 微機電系統(tǒng)（mems）研究
siliconglass wafer bonding with silicon hydrophilic fusion bonding technology(采用硅親水熔融鍵合技術實現(xiàn)硅/玻璃鍵合)
a bulk micromachined vibratory lateral gyroscope fabricated with wafer bonding and deep trench etching(利用圓片鍵合和深刻蝕技術制造的體硅橫向振動陀螺)
an improved tmah sietching solution without attacking exposed aluminum(一種不腐蝕al的tmah硅腐蝕液)
a small equipment of q study of microgyroscope(陀螺品質因子小型測試系統(tǒng))
an experimental study on hightemperature metallization for microhotplatebased integrated gas sensors(基于微熱板的集成化學傳感器高溫金屬化實驗研究)
硅基mems加工技術及其標準工藝研究
fabrication of keyholefree ultradeep highaspectratio isolation trench and its applications(無空洞超深高深寬比隔離槽制造技術及應用)
simulation of the bosch process with a stringcell hybrid method(采用線單元混合模型進行bosch仿真)
integrated bulkmicromachined gyroscope using deep trench isolation technology(采用深槽刻蝕技術的集成體硅陀螺)5
第四部分 rf與電路研究
numerical calculation of electromigration under pulse current with joule heating(考慮焦耳熱的脈沖直流下電遷移數(shù)值計算)
dependence of electromigration caused by different mechanisms on current densities in vlsi interconnects(vlsi互連中不同機制下電遷移特性與電流密度的關系)
多晶硅發(fā)射極超高速集成電路工藝
study on a lateralelectricalfield pixel architecture for flc spatial light modulator with continuously tunable grayscales（可連續(xù)調節(jié)灰度的flc光譜調節(jié)器的橫向電場像素結構研究）
基于單元故障模型的樹型加法器的測試
科學研究方法論
貴在執(zhí)著，重在分析，在系統(tǒng)的科學研究工作中必將有所發(fā)現(xiàn)、有所發(fā)明
諾貝爾獎離我們并不遙遠
物理學研究與微電子科學技術的發(fā)展
產(chǎn)業(yè)建設
建設8英寸0.25微米集成電路生產(chǎn)線項目建議書
論信息化與微電子產(chǎn)業(yè)
北京要建設先進的集成電路芯片制造廠
關于建設深圳微電子芯片制造廠的建議
如何把國家集成電路設計上海產(chǎn)業(yè)化基地做強，做大
關于專用設備產(chǎn)業(yè)建設的意見
在中芯國際12英寸投產(chǎn)典禮上的講話
教書育人
從美國加州伯克利大學研究生的培養(yǎng)看我國研究生制度的改革
創(chuàng)新與人才培養(yǎng)
在迎接2002年理科和文科新生會上的講話
立大志，常為新，成大器
學校教育幫助我樹立了一生的抱負