微電子器件基礎

第1章 PN結二極管
第1節(jié) PN結雜質濃度分布
1 突變結
2 緩變結
第2節(jié) 平衡PN結
1 空間電荷區(qū)
2 能帶圖
3 接觸電勢差
4 載流子濃度
第3節(jié) PN結空間電荷區(qū)電場和電位分布
1 突變結
2 線性緩變結
3 耗盡層近似討論
第4節(jié) PN結勢壘電容
1 突變結勢壘電容
2 線性緩變結勢壘電容
第5節(jié) PN結直流特性
1 PN結非平衡載流子注入
2 PN結反向抽取
3 準費米能級和載流子濃度
4 直流電流電壓方程
5 影響PN結直流特性的其他因素
6 溫度對PN結電流電壓的影響
第6節(jié) PN結小信號交流特性與開關特性
1 小信號交流特性
2 開關特性
第7節(jié) PN結擊穿特性
1 基本擊穿機構
2 雪崩擊穿電壓
3 影響雪崩擊穿電壓的因素
習題一
第2章 特殊二極管
第1節(jié) 變容二極管
1 PN結電容和變容二極管
2 電容電壓特性
3 變容二極管基本特性
4 特殊變容二極管
第2節(jié) 隧道二極管
1 隧道過程的定性分析
2 隧道幾率和隧道電流
3 等效電路及特性
4 反向二極管
第3節(jié) 雪崩二極管
1 崩越二極管工作原理
2 崩越二極管的特性
3 幾種崩越二極管
4 俘越二極管
5 勢越二極管
習題二
第3章 晶體管的直流特性

第1節(jié) 晶體管基本結構與放大機理
1 晶體管結構與雜質分布
2 晶體管放大機理
第2節(jié) 晶體管直流電流電壓方程
1 均勻基區(qū)晶體管
2 緩變基區(qū)晶體管
第3節(jié) 晶體管電流放大系數(shù)與特性曲線
1 電流放大系數(shù)
2 特性曲線
3 電流放大系數(shù)理論分析
4 影響電流放大系數(shù)的其他因素
第4節(jié) 晶體管反向電流與擊穿電壓
1 晶體管反向電流
2 晶體管擊穿電壓
第5節(jié) 晶體管基極電阻
1 梳狀晶體管基極電阻
2 圓形晶體管基極電阻
習題三
第4章 晶體管頻率特性與開關特性
第1節(jié) 晶體管頻率特性理論分析
1 晶體管頻率特性參數(shù)
2 共基極電流放大系數(shù)與截止頻率
3 共射極電流放大系數(shù)與頻率參數(shù)
第2節(jié) 晶體管高頻參數(shù)與等效電路
1 交流小信號電流電壓方程
2 晶體管y參數(shù)方程及其等效電路
3 晶體管^參數(shù)方程及其等效電路
4 晶體管高頻功率增益和最高振蕩頻率
第3節(jié) 晶體管的開關過程
1 開關晶體管靜態(tài)特性
2 晶體管的開關過程
3 晶體管的開關參數(shù)
第4節(jié) Ebers—Moll模型和電荷控制方程
1 Ebers—Moll模型及等效電路
2 電荷控制方程
第5節(jié) 晶體管開關時間
1 延遲時間
2 上升時間
3 存儲時間
4 下降時間
習題四
第5章 晶體管的功率特性
第1節(jié) 基區(qū)電導調制效應
1 注入對基區(qū)栽流子分布的影響
2 大注入對電流放大系數(shù)的影響
3 大注入對基區(qū)渡越時間的影響
4 大注入臨界電流密度
第2節(jié) 有效基區(qū)擴展效應
1 注入電流對集電結空間電荷區(qū)電場分布的影響
2 基區(qū)擴展

第3節(jié) 發(fā)射極電流集邊效應
1 基區(qū)橫向壓降
2 發(fā)射極有效條寬
3 發(fā)射極單位周長電流容量
4 發(fā)射極金屬條長
第4節(jié) 晶體管最大耗散功率
1 耗散功率和最高結溫
2 晶體管的熱阻
3 晶體管最大耗散功率
第5節(jié) 品體管二次擊穿和安全工作區(qū)
1 二次擊穿現(xiàn)象
2 二次擊穿的機理和防止二次擊穿的措施
3 晶體管的安全工作區(qū)(SOA)
習題五
第6章 晶閘管
第1節(jié) 晶閘管基本結構與工作原理
1 基本結構及靜態(tài)分析
2 工作原理
3 電流電壓特性
第2節(jié) 晶閘管導通特性
1 定性描述
2 導通特性曲線的不同區(qū)域
3 影響導通特性的其他因素
第3節(jié) 晶閘管阻斷能力
1 反向阻斷能力
2 正向阻斷能力
3 表面對阻斷能力的影響
第4節(jié) 晶閘管關斷特性
1 載流子存儲效應
2 改善關斷特性的措施
第5節(jié) 雙向晶閘管
1 二極晶閘管
2 控制極結構及觸發(fā)
習題六
第7章 MOS場效應晶體管
第l節(jié)MOSFET的結構、分類和特性曲線
1 MOSFET的結構
2 MOSFET的類型
3 MOSFEF的特性曲線
第2節(jié) MOSFET的閾值電壓
1 閡值電壓的定義
2 理想MOSFET閡值電壓
3 MOSFET閾值電壓
第3節(jié) MOSFET電流電壓特性
1 線性工作區(qū)電流電壓特性
2 飽和工作區(qū)電流電壓特性
3 擊穿區(qū)
4 亞閾值區(qū)的電流電壓關系
第4節(jié) MOSFET的二級效應
1 遷移率變化效應

2 襯底偏置效應
3 體電荷變化效應
第5節(jié) MOSFET的頻率特性
1 增量參數(shù)
2 小信號特性與等效電路
3 截止頻率
第6節(jié) MOSFET的功率特性
1 MOSFET的極限參數(shù)
2 功率MOSFET的結構
第7節(jié) MOSFET的溫度特性
1 溫度對載流子遷移率的影響
2 溫度對閾值電壓的影響
3 溫度對漏源電流的影響
4 溫度對跨導和漏導的影響
第8節(jié) MOSFET的小尺寸特性
1 短溝道效應
2 窄溝道效應
3 等比例縮小規(guī)則
習題七
第8章 光電器件與電荷耦合器件
第1節(jié) 光電效應
1 半導體的光吸收
2 半導體光電效應
第2節(jié) 光電池
1 基本結構和主要參數(shù)
2 PN結光電池
3 異質結光電池
4 金屬一半導體結光電池
5 太陽能電池
第3節(jié) 光敏晶體管
1 光敏二極管
2 光敏三極管
3 光敏場效應管
4 光控可控硅
第4節(jié) 電荷耦合器件
1 工作原理
2 輸入與輸出
3 基本特性
4 CCD攝像器件
習題八
附錄
一、常用物理常數(shù)表
二、鍺、硅、砷化鎵、二氧化硅的重要性質(300K)
三、硅與幾種金屬的歐姆接觸系數(shù)RC
四、鍺、硅電阻率與雜質濃度的關系
五、遷移率與雜質濃度的關系
六、擴散結勢壘寬度和結電容曲線
參考文獻