硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)：理論、實(shí)踐與模型

定　價(jià)：￥68.00

作　者：	（美）普盧默（Plummer, J.D.）等著；嚴(yán)利人等譯
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	國(guó)外電子與通信教材系列
標(biāo)　簽：	硅化物應(yīng)用超大規(guī)模集成電路教材

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ISBN：	9787121019876	出版時(shí)間：	2005-12-01	包裝：	膠版紙
開本：	小16開	頁數(shù)：	618	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書是美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程系“硅超大規(guī)模集成電路制造工藝”課程所使用的教材，該課程是為電氣工程系微電子學(xué)專業(yè)的四年級(jí)本科生及一年級(jí)研究生開設(shè)的一門專業(yè)課。本書最大的特點(diǎn)是，不僅詳細(xì)介紹了與硅超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)制造相關(guān)的實(shí)際工藝技術(shù)，而且還著重講解了這些工藝技術(shù)背后的科學(xué)原理。特別是對(duì)于每一步單項(xiàng)工藝技術(shù)，書中都通過工藝模型和工藝模擬軟件，非常形象直觀地給出了實(shí)際工藝過程的物理圖像。同時(shí)全書還對(duì)每一步單項(xiàng)工藝技術(shù)所要用到的測(cè)量方法做了詳細(xì)的介紹，對(duì)于工藝技術(shù)與工藝模型的未來發(fā)展趨勢(shì)也做了必要的分析討論。另外，本書每一章后面都附有相關(guān)內(nèi)容的參考文獻(xiàn)，同時(shí)還附有大量習(xí)題。對(duì)于我國(guó)高等院校微電子學(xué)專業(yè)的教師及學(xué)生，本書是一本不可多得的優(yōu)秀教材和教學(xué)參考書，并可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介

　　JamesD.Plummer，于美國(guó)斯坦福大學(xué)獲得電氣工程博士學(xué)位。目前是斯坦福大學(xué)電氣工程系教授。他已撰寫或與人合作撰寫了300多篇技術(shù)論文，并于1991年獲得了電化學(xué)協(xié)會(huì)頒發(fā)的“固態(tài)科學(xué)與技術(shù)獎(jiǎng)”。1996年，他被選入了美國(guó)國(guó)家工程院。目前致力于硅設(shè)備與技術(shù)方面的研究。

圖書目錄

第1章引言及歷史展望
　1.1 引言
　1.2 集成電路與平面工藝——促成集成電路產(chǎn)生的幾項(xiàng)關(guān)鍵發(fā)明
　1.3 半導(dǎo)體的基本特性
　1.4 半導(dǎo)體器件
　　1.4.1 pn結(jié)二極管
　　1.4.2 mos晶體管
　　1.4.3 雙極型晶體管
　1.5 半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展歷程
　1.6 現(xiàn)代科學(xué)發(fā)現(xiàn)——實(shí)驗(yàn)、理論與計(jì)算機(jī)模擬
　1.7 本書的內(nèi)容安排
　1.8 本章要點(diǎn)小結(jié)
　1.9 參考文獻(xiàn)
　1.10習(xí)題
第2章現(xiàn)代cmos工藝技術(shù)
　2.1 引言
　2.2 cmos工藝流程
　　2.2.1 cmos工藝流程
　　2.2.2 有源區(qū)的形成
　　2.2.3 用于器件隔離的可選工藝方案——淺槽隔離
　　2.2.4 n阱和p阱的形成
　　2.2.5 用于制備有源區(qū)和阱區(qū)的可選工藝方案
　　2.2.6 柵電極的制備
　　2.2.7 前端或延伸區(qū)（ldd）的形成
　　2.2.8 源漏區(qū)的形成
　　2.2.9 接觸與局部互連的形成
　　2.2.10多層金屬互連的形成
　2.3 本章要點(diǎn)小結(jié)
　2.4 習(xí)題
第3章晶體生長(zhǎng)、晶圓片制造與硅晶圓片的基本特性
　3.1 引言
　3.2 歷史發(fā)展和基本概念
　　3.2.1 單晶結(jié)構(gòu)
　　3.2.2 晶體中的缺陷
　　3.2.3 原料與提純
　　3.2.4 直拉和區(qū)熔單晶的生長(zhǎng)方法
　　3.2.5 圓片的準(zhǔn)備和規(guī)格
　3.3 制造方法和設(shè)備
　3.4 測(cè)量方法
　　3.4.1 電學(xué)測(cè)試
　　3.4.2 物理測(cè)量
　3.5 模型和模擬
　　3.5.1 直拉法單晶生長(zhǎng)
　　3.5.2 cz單晶生長(zhǎng)期間的摻雜
　　3.5.3 區(qū)域精煉與區(qū)熔（fz）生長(zhǎng)
　　3.5.4 點(diǎn)缺陷
　　3.5.5 硅中的氧
　　3.5.6 硅中碳
　　3.5.7 模擬
　3.6 技術(shù)和模型的限制及未來趨勢(shì)
　3.7 本章要點(diǎn)小結(jié)
　3.8 參考文獻(xiàn)
　3.9 習(xí)題
第4章半導(dǎo)體制造——潔凈室、晶圓片清洗與吸雜處理
　4.1 引言
　4.2 歷史的發(fā)展與幾個(gè)基本概念
　　4.2.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.2.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.2.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.3 制造方法與設(shè)備
　　4.3.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.3.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.3.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.4 測(cè)量方法
　　4.4.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.4.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.4.3 第二個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.5 模型與模擬（模型化方法與模擬技術(shù)）
　　4.5.1 第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠
　　4.5.2 第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗
　　4.5.3 第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理
　4.6 工藝技術(shù)與模型方面的限制因素及未來的發(fā)展趨勢(shì)
　4.7 本章要點(diǎn)小結(jié)
　4.8 參考文獻(xiàn)
　4.9 習(xí)題
第5章光刻
第6章熱氧化和si-sio2界面
第7章擴(kuò)散
第8章離子注入
第9章薄膜淀積
第10章刻蝕
第11章后端工藝
附錄
術(shù)語表