模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)教程

第1章 半導(dǎo)體二極管及其電路分析
1.1 PN結(jié)及其非線(xiàn)性一伏-安特性
1.1.1 本征半導(dǎo)體
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3 PN結(jié)
1.2 半導(dǎo)體二極管的特性曲線(xiàn)及主要參數(shù)
1.2.1 普通二極管的伏-安特性曲線(xiàn)
1.2.2 普通二極管的主要參數(shù)
1.2.3 穩(wěn)壓二極管
1.3 二極管電路的分析方法
1.3.1 圖解分析法
1.3.2 簡(jiǎn)化模型分析法
1.4 半導(dǎo)體二極管應(yīng)用電路
1.4.1 二極管整流電路
1.4.2 二極管限幅電路
1.4.3 二極管電平選擇電路
1.4.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路
小結(jié)
自學(xué)選讀資料
第一部分 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵理論
第二部分 半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法和國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體二極管主要參數(shù)
思考題與習(xí)題
EWB仿真實(shí)驗(yàn)
第2章 雙極型三極管及其放大電路
2.1 雙極型三極管
2.1.1 BJT的原理懷結(jié)構(gòu)、分類(lèi)及其電路符號(hào)
2.1.2 BJT三極電流關(guān)系
2.1.3 BJT的電流放大作用
2.1.4 BJT的流控開(kāi)頭作用
2.2 BJT的伏-安特性曲線(xiàn)及主要參數(shù)
2.2.1 BJT共射特性曲線(xiàn)
2.2.2 BJT的主要參數(shù)
2.3 BJT的偏置電路與直流分析
2.3.1 BJT的直流模型分析法
2.3.2 BJT直流偏置電路的圖解分析法
2.3.3 BJT的直流電壓傳輸特性
2.4 放大電路的構(gòu)成及其性能指標(biāo)
2.4.1 放大電路組成的基本原則及三種耦合方式放大電路的構(gòu)成
2.4.2 小信號(hào)放大電路分析的基本思路
2.4.3 小信號(hào)放大電路的性能指標(biāo)
2.5 放大電路的交流圖解分析
2.5.1 交流負(fù)載線(xiàn)
2.5.2 放大電路的動(dòng)態(tài)圖解
2.5.3 直流工作點(diǎn)與放大電路非線(xiàn)性一失真的關(guān)系
2.6 放大電路交流模型分析法
2.6.1 BJT低頻小信號(hào)電路模型
2.6.2 典型共射放大電路的交流分析
2.6.3 無(wú)射極旁路電容CE的共射放大電路
2.7 共集電極放大電路與共工極放大電路
2.7.1 共集電極放大電路
2.7.2 共基極放大電路
2.7.3 BJT三種放大組態(tài)的性能比較
2.8 BJT多級(jí)放大電路
2.8.1 級(jí)間耦合
2.8.2 多級(jí)放大電路性能指標(biāo)的計(jì)算
2.9 BJT放大電路的頻率響應(yīng)
2.9.1 關(guān)于小信號(hào)放大電路交流分析的反思
2.9.2 放大電路的頻率特性曲線(xiàn)
2.9.3 頻率失真及不失真?zhèn)鬏敆l件
2.9.4 包含電容元件的共射放大的電路的等效電路
2.9.5 單級(jí)共射放大電路頻率特性的EWB仿真
小結(jié)
自學(xué)選讀資料
第一部分 放大狀態(tài)下BJT內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程及其電流分配關(guān)系第二部分 BJT高頻小信號(hào)電路模型及頻率參數(shù)思考題與習(xí)題
仿真練習(xí)題
第3章 場(chǎng)效應(yīng)管及其模擬電路
3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）
3.1.1 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出牧場(chǎng)生曲線(xiàn)
3.1.2 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移牧場(chǎng)生曲線(xiàn)
3.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
3.2.1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
3.2.2 E-NMOSFET的特性曲線(xiàn)
3.2.3 N溝道耗盡型MOSFET
3.2.4 各種FET的結(jié)構(gòu)符號(hào)與特性曲線(xiàn)的比較
3.3 FET的主要參數(shù)和小信號(hào)模型
3.3.1 FET的主要參數(shù)
3.3.2 FET低頻小信號(hào)模型
3.4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
3.4.1 FET的直流偏置電路
3.4.2 FET放大電路的三種基本放大組態(tài)
3.4.3 FET放大電路的交流分析
3.4.4 FET三種放大組態(tài)的比較
3.5 FET其他基本電路
3.5.1 恒流源電路
3.5.2 有源負(fù)載
3.5.3 微電流模擬
小結(jié)
自學(xué)選讀資料
第一部分 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
第二部分 其他常用半導(dǎo)體器件
思考題與習(xí)題
EWB仿真習(xí)題
第4章 集成運(yùn)算放大器
4.1 集成運(yùn)算放大器的基本組成
4.2 集成電流源電路
4.2.1 鏡像電流源
4.2.2 比例電流源
4.2.3 微電流源
4.2.4 集成源負(fù)載放大電路
4.3 差動(dòng)放大電路
4.3.1 直接耦合放大電路的零點(diǎn)漂移問(wèn)題
4.3.2 差動(dòng)放大電路的工作原理與性能分析
4.3.3 具有電流源的差動(dòng)放大電路
4.4 集成運(yùn)放大的輸出級(jí)電路
4.5 集成運(yùn)算放大器
4.5.1 集成運(yùn)放F007內(nèi)部電路的定性分析
4.5.2 F007電路仿零點(diǎn)分析
4.5.3 專(zhuān)用型集成運(yùn)放簡(jiǎn)介
4.5.4 集成運(yùn)放的電路符號(hào)與簡(jiǎn)化電路模型
4.6 MOS集成運(yùn)算放大器
4.6.1 MOS鏡像電流源
4.6.2 MOS差動(dòng)放大電路
4.6.3 MOS源級(jí)輸出器
4.6.4 MOS集成運(yùn)放5G14573簡(jiǎn)介
4.7 集成運(yùn)算放大器的主要性能指標(biāo)
小結(jié)
自學(xué)選讀資料
寬帶跨導(dǎo)放大器
思考題與習(xí)題
EWB仿真習(xí)題
第5章 負(fù)反饋與集成運(yùn)放的線(xiàn)性應(yīng)用
5.1 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性
5.1.1 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性
5.1.2 集成運(yùn)放的線(xiàn)性工作范圍
5.2 反饋要領(lǐng)與反饋方程式
5.2.1 反饋的基本概念
5.2.2 反饋方程式
5.3 負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響
5.3.1 負(fù)反饋使放大倍數(shù)穩(wěn)定性提高
5.3.2 負(fù)反饋使放大器通頻帶展寬
5.3.3 負(fù)反饋使輸入線(xiàn)性范圍擴(kuò)大，非線(xiàn)性失真減小
5.3.4 負(fù)反饋能夠改善放大器的輸入電阻和輸出電阻
5.3.5 放大電路中引入負(fù)反饋的基本原則
5.4 負(fù)反饋放大器的近似估算分析與設(shè)計(jì)
5.4.1 負(fù)反饋放大器分析方法概述
5.4.2 深度負(fù)反饋條件下電壓增益的近似估算
5.4.3 深度負(fù)反饋放大器的設(shè)計(jì)舉例
5.4.4 設(shè)計(jì)舉例
5.5 集成運(yùn)放基本運(yùn)算電路
5.5.1 集成運(yùn)放工作狀態(tài)的基本判據(jù)與應(yīng)用概述
5.5.2 集成運(yùn)放基本運(yùn)算電路
5.6 集成運(yùn)放線(xiàn)性工作狀態(tài)下構(gòu)成的非線(xiàn)性應(yīng)用電路
5.6.1 反相對(duì)數(shù)運(yùn)算
5.6.2 反對(duì)數(shù)（指數(shù)）運(yùn)算電路
5.6.3 絕對(duì)值電路
5.6.4 最大值選擇（峰值檢波）電路
5.7 集成運(yùn)放有源濾波器
5.7.1 RC有源濾波器的基本類(lèi)型
5.7.2 集成運(yùn)放作為有限增益放大器的有源濾波器
5.7.3 運(yùn)放作為無(wú)限增益放大器的多重反饋有源濾波器
5.7.4 有源帶陰濾波器
5.8 集成運(yùn)放應(yīng)用中的幾個(gè)實(shí)際問(wèn)題
5.8.1 集成運(yùn)放的選擇
5.8.2 集成運(yùn)放的參數(shù)測(cè)量
5.8.3 集成運(yùn)放使用時(shí)可能出現(xiàn)的異?，F(xiàn)象小結(jié)
自學(xué)選讀資料
第一部分 負(fù)反饋放大電路的框圖分析法
第二部分 集成運(yùn)放非理想?yún)?shù)對(duì)電路性能的影響
思考題與習(xí)題
EWB仿零點(diǎn)習(xí)題
第6章 信號(hào)發(fā)生電路
6.1 正弦振蕩電路的一般組成
6.1.1 自激振蕩條件
6.1.2 正弦振蕩電路的一般組成
6.1.3 振蕩的建立與穩(wěn)幅過(guò)程
6.2 RC正弦振蕩電路
6.2.1 RC串-并聯(lián)正弦振蕩電路
6.2.2 RC移相式正弦振蕩電路
6.2.3 全通相移RC振蕩電路
6.3 LC正弦振蕩電路
6.3.1 LC振蕩回路的選頻特性
6.3.2 變壓器反饋式LC正經(jīng)緯度振蕩電路
6.3.3 LC三點(diǎn)式正弦振蕩電器
6.3.4 石英晶體振蕩電路
6.4 方波-三角波發(fā)生電路
6.4.1 方波發(fā)生電路的一般組成
6.4.2 集成運(yùn)放的開(kāi)環(huán)應(yīng)用——比較器
6.4.3 方波-三解波發(fā)生電路
6.4.4 矩形波-鋸齒波發(fā)生器
6.5 集成電壓比較器與集成函數(shù)發(fā)生器
6.5.1 集成電壓比較器
6.5.2 集成函數(shù)發(fā)生器8038簡(jiǎn)介
小結(jié)
自學(xué)選讀資料
集成定時(shí)器555思考題與習(xí)題
第7章 功率電路
7.1 功率放大電路概述
7.1.1 功率放大電路與電壓放大電路的主要區(qū)別
7.1.2 功率放大電路的分類(lèi)
7.2 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
7.2.1 甲類(lèi)共射放大電路的輸出功率與效率
7.2.2 乙互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功放的圖解分析
7.2.3 管耗功率與功率管的選用原則
7.2.4 甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
7.3 集成功率放大電路
7.3.1 集成功率放大器LM380
7.3.2 功率放大器PA12
7.3.3 橋式功率放大電路
7.4 單相整流與濾波電路
7.4.1 單相整流電路
7.4.2 整流濾波電路
7.4.3 橋式整流與電容濾波電路的設(shè)計(jì)
7.5 串聯(lián)型邊疆調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電路
7.5.1 穩(wěn)壓要領(lǐng)及其主要技術(shù)
7.5.2 串聯(lián)型邊疆調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電路
7.5.3 集成三端穩(wěn)壓器
7.6 開(kāi)頭型穩(wěn)壓電源
7.6.1 開(kāi)頭型穩(wěn)壓電源的組成和基本工作原理
7.6.2 實(shí)用開(kāi)頭穩(wěn)壓電源電路簡(jiǎn)介
7.7 功率器件
7.7.1 雙極型大功率三極管
7.7.2 功率MOS器件
7.7.3 功率模塊
7.7.4 晶閘管
小結(jié)
思考題與習(xí)題
第8章 模擬電路的計(jì)算機(jī)仿真教學(xué)
8.1 EWB仿零點(diǎn)軟件的使用方法
8.1.1 EWB簡(jiǎn)介
8.1.2 EWB的主窗口
8.1.3 應(yīng)用舉例
8.2 模擬電路EWB仿
8.2.1 BJT的電流分配關(guān)系及電流控制作用
8.2.2 簡(jiǎn)化的BJT非線(xiàn)性模型仿真
8.2.3 BJT的電壓傳輸特性仿真
8.2.4 放大電路的飽和失真與截止失真
8.2.5 耦合電容的“通交隔直”作用
8.2.6 單級(jí)共射放大電路的頻率特性
8.2.7 FET的轉(zhuǎn)移電導(dǎo)特性和電壓傳輸特性
8.2.8 集成電流源有源負(fù)載放大電路
8.2.9 差動(dòng)放大電路
8.2.10 BJT高頻混合∏模型與密勒近似模型析比較
8.2.11 乙類(lèi)經(jīng)補(bǔ)對(duì)稱(chēng)輸出電路的交越失真
8.2.12 跨導(dǎo)放大呂“共基”放大與電壓傳輸特性
8.2.13 集成運(yùn)放F007內(nèi)部電路仿真
8.2.14 集成運(yùn)放LM741的電壓輿特性與開(kāi)環(huán)頻率特性
8.2.15 多級(jí)直耦放大器仿真測(cè)量
8.2.16 CMOS跨導(dǎo)運(yùn)算放大器（OTA）
8.2.17 RC電路不失真?zhèn)鬏敆l件
8.2.18 負(fù)反饋能夠擴(kuò)展放大器的通頻帶
8.2.19 集成運(yùn)放741的開(kāi)環(huán)懷閉環(huán)幅頻牧場(chǎng)生的比較
8.2.20 負(fù)反饋放大器方塊圖分析法的驗(yàn)證
8.2.21 負(fù)反饋放大器高頻自激問(wèn)題的研究
8.2.22 無(wú)限增益多重反饋二階低通濾波器
8.2.23 LC諧振回路與LC正弦振蕩電路的起振過(guò)程
8.2.24 RC串-并聯(lián)正弦振蕩電路
8.2.25 方波-三角波發(fā)生器
8.2.26 OTL功率放大器中自舉電路的作用
8.2.27 模擬電感
8.2.28微分方程的電路模擬
自學(xué)選讀資料
參考文獻(xiàn)