功率半導(dǎo)體器件：理論及應(yīng)用

1 半導(dǎo)體的性質(zhì)
　1.1 帶電載流子和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
　1.2 自由載流子濃度
　1.3 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率
　　1.3.1 決定電導(dǎo)率的因素
　　1.3.2 決定硅中載流子遷移率的因素
　1.4 過剩載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
　　1.4.1 平衡和非平衡條件
　　1.4.2 通過局域陷阱中心的復(fù)合
　　1.4.3 其他復(fù)合過程
　1.5 載流子的擴散和漂移
　1.6 非均勻摻雜的影響
　總結(jié)
　參考文獻
2 基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
　2.1 pn結(jié)及其基本性質(zhì)
　　2.1.1 電流電壓特性
　　2.1.2 反向偏置
　　2.1.3 電擊穿
　　2.1.4 熱擊穿和熱奔
　　2.1.5 光照對pn結(jié)特性的影響
　　2.1.6 pn結(jié)的瞬態(tài)特性
　2.2 nn+和pp+結(jié)
　2.3 表面效應(yīng)和MOS結(jié)構(gòu)
　2.4 金屬半導(dǎo)體接觸
　　2.4.1 整流（肖特基）接觸
　　2.4.2 歐姆接觸
　總結(jié)
　參考文獻
3 器件、制造和模擬
　3.1 各類功率半導(dǎo)體器件
　　3.1.1 功率二極管
　　3.1.2 常規(guī)的雙極功率晶體管
　　3.1.3 晶閘管結(jié)構(gòu)
　　3.1.4 結(jié)型場效應(yīng)（靜電感應(yīng)）器件
　　3.1.5 功率MOS結(jié)構(gòu)1：功率MOSFET
　　3.1.6 功率MOS結(jié)構(gòu)2：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　　3.1.7 功率MOS結(jié)構(gòu)3：MOS控制晶閘管（MCT）
　　3.1.8 器件特性總結(jié)
　3.2 制造工藝
　　3.2.1 高純度單晶硅的制備
　　3.2.2 硅片制備
　　3.2.3 外延生長
　　3.2.4 熱氧化
　　3.2.5 光刻
　　3.2.6 刻蝕工藝
　　3.2.7 雜質(zhì)的引入及再分布1：擴散
　　3.2.8 雜質(zhì)的引入及再分布2：離子注入
　　3.2.9 化學(xué)氣相淀積技術(shù)
　　3.2.10 接觸的制備
　3.3 載流子壽命控制
　　3.3.1 獲得長載流子壽命的技術(shù)
　　3.3.2 減小載流子壽命的技術(shù)
　3.4 高壓結(jié)構(gòu)
　3.5 計算機模擬及仿真技術(shù)
　總結(jié)
　參考文獻
4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用
　4.1 不控整流
　4.2 可控整流
　4.3 交流到交流的變換
　4.4 逆變器
　4.5 非隔離型直流到直流變換器
　4.6 變壓器隔離型直流到直流變換器
　4.7 功率因數(shù)校正
　4.8 諧振電路
　總結(jié)
　參考文獻
5 功率二極管
6 雙極結(jié)型功率晶體管
7 晶閘管：基本工作原理
8 各類晶閘管及其應(yīng)用
9 靜電感應(yīng)功率器件
10 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)功率晶體管
11 雙極MOS功率器件
12 功率模塊和集成結(jié)構(gòu)
13 可靠工作的條件
14 未來的材料和器件
附錄擴散方程
中英文對照