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電子材料實(shí)驗(yàn)

電子材料實(shí)驗(yàn)

定 價(jià):¥26.00

作 者: 宗祥福,李川主編
出版社: 復(fù)旦大學(xué)出版社
叢編項(xiàng): 博學(xué) 材料科學(xué)系列
標(biāo) 簽: 電子其他

ISBN: 9787309040258 出版時(shí)間: 2004-08-01 包裝: 簡(jiǎn)裝本
開(kāi)本: 23cm 頁(yè)數(shù): 228 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  《電子材料實(shí)驗(yàn)》是材料類(lèi)專(zhuān)業(yè)大學(xué)生的一門(mén)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)教材?!峨娮硬牧蠈?shí)驗(yàn)》共編寫(xiě)了24個(gè)實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括:半導(dǎo)體材料基本物理性能參數(shù)測(cè)試,光譜分析技術(shù),電子顯微分析技術(shù),材料制備技術(shù),集成電路解剖分析,ANSYS應(yīng)力模擬分析和集成電路CAD基礎(chǔ)等?!峨娮硬牧蠈?shí)驗(yàn)》可作為材料物理專(zhuān)業(yè)和材料化學(xué)專(zhuān)業(yè)及其相關(guān)專(zhuān)業(yè)的大學(xué)生和研究生的實(shí)驗(yàn)教材或參考書(shū),也可供從事相關(guān)工作的科技人員使用。

作者簡(jiǎn)介

  宗祥福1956年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理系?,F(xiàn)任國(guó)際歐亞科學(xué)院院士,復(fù)旦大學(xué)首席教授,博士生導(dǎo)師,上海交通大學(xué)特聘教授,上海交通大學(xué)制造科學(xué)與技術(shù)研究所所長(zhǎng),曾任復(fù)旦大學(xué)技術(shù)科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)、材料科學(xué)系系主任、材料科學(xué)研究所所長(zhǎng)及國(guó)家微電子材料與元器件微分析中心主任、國(guó)家教育部理科材料科學(xué)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)副主任、亞太地區(qū)微分析協(xié)會(huì)主席、歐洲微束分析委員會(huì)國(guó)際顧問(wèn),是同濟(jì)大學(xué)、香港城市大學(xué)、日本學(xué)習(xí)院大學(xué)、美國(guó)新澤西理工學(xué)院等國(guó)內(nèi)外多所大學(xué)的名譽(yù)教授和訪問(wèn)教授。同時(shí),也是新加坡世界科學(xué)出版公司顧問(wèn)和美國(guó)福特汽車(chē)公司亨利福特汽車(chē)信息電子教授。宗祥福教授的研究領(lǐng)域是材料科學(xué)與工程中的半導(dǎo)體材料與器件關(guān)系、晶體中雜質(zhì)與缺陷、新型電子材料和微分析技術(shù);他的“用于大規(guī)模集成電路的硅內(nèi)吸除技術(shù)”攻關(guān)項(xiàng)目獲電子工業(yè)部科技成果二等獎(jiǎng)(1985年),“光控固態(tài)繼電器研究”項(xiàng)目獲得國(guó)家教委科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(1988年),“優(yōu)化過(guò)程中材料工藝、缺陷分析”攻關(guān)項(xiàng)目獲國(guó)家教委科技進(jìn)步獎(jiǎng)(1991年)。20世紀(jì)90年代,他在復(fù)旦大學(xué)組建了國(guó)家微電子材料與元器件微分析中心,面向產(chǎn)業(yè)為我國(guó)的微電子產(chǎn)業(yè)服務(wù)取得多項(xiàng)成果。“微電子材料與元器件微分析技術(shù)”項(xiàng)目獲上海市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)(1996年)及國(guó)家教委科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)(1995年),“發(fā)展微分析技術(shù)的研究”攻關(guān)項(xiàng)目獲國(guó)家計(jì)委、科委、財(cái)政部聯(lián)合頒發(fā)的國(guó)家“八五”科技攻關(guān)重大科技成果獎(jiǎng)(1996年),“集成電路的工藝材料診斷和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的研究”項(xiàng)目獲上海市優(yōu)秀產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目一等獎(jiǎng)(1997年)、上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(1998年)。宗祥福教授從事高等院校教學(xué)和科研工作四十多年,先后獲上海市、國(guó)家教委和國(guó)家科委授予的上海市先進(jìn)科技工作者稱(chēng)號(hào)(1979年)、國(guó)家教委全國(guó)優(yōu)秀教師稱(chēng)號(hào)(1989年)和全國(guó)高等學(xué)校先進(jìn)科技工作者稱(chēng)號(hào)(1990年)。他的主要著譯作有:《材料質(zhì)量對(duì)器件制作的影響》、《超大規(guī)模集成電路電鏡分析》、《The Chinese ElectroniceIndustry,CRC Press LLC(1999)》、《材料物理基礎(chǔ)》和《電子材料實(shí)驗(yàn)》。另外,在國(guó)內(nèi)外科技期刊上發(fā)表論文70余篇。李川1965年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理系。高級(jí)工程師。在復(fù)旦大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理教研室和材料科學(xué)系材料物理教研室從事電子材料分析測(cè)試教學(xué)和科研工作。他參與的“ZLF-1型直接成像式離子質(zhì)譜儀”攻關(guān)項(xiàng)目獲全國(guó)科技大會(huì)重大科研成果獎(jiǎng)(1978年),“X射線(xiàn)光電子能譜儀數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)”項(xiàng)目獲上海市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步三等獎(jiǎng)(1987年)。1991年,“優(yōu)化過(guò)程中材料、工藝缺陷分析”項(xiàng)目榮獲機(jī)械電子工業(yè)部頒發(fā)的“七五”科技攻關(guān)項(xiàng)目做出突出成績(jī)的榮譽(yù)證書(shū),獲得國(guó)家教委科學(xué)技術(shù)進(jìn)步三等獎(jiǎng)(1992年)。1998年,榮獲復(fù)旦大學(xué)“海德萬(wàn)”教學(xué)獎(jiǎng)。

圖書(shū)目錄

實(shí)驗(yàn)一 四探針?lè)y(cè)量電阻率
實(shí)驗(yàn)二 擴(kuò)展電阻法測(cè)量硅片微區(qū)電阻率變化及其深度分布
實(shí)驗(yàn)三 范德堡-霍耳效應(yīng)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)四 硅單晶雜質(zhì)補(bǔ)償度的測(cè)量
實(shí)驗(yàn)五 MOS電容-電壓特性測(cè)量
實(shí)驗(yàn)六 用準(zhǔn)靜態(tài)技術(shù)測(cè)量硅-二氧化硅界面態(tài)密度分布
實(shí)驗(yàn)七 深能級(jí)瞬態(tài)譜法(DLTS)測(cè)定硅中深能級(jí)中心
實(shí)驗(yàn)八 砷化鎵的光致發(fā)光(PL)譜
實(shí)驗(yàn)九 激光測(cè)定硅單晶晶軸
實(shí)驗(yàn)十 橢偏法測(cè)量薄膜折射率及厚度
實(shí)驗(yàn)十一 掃描電子顯微鏡
實(shí)驗(yàn)十二 半導(dǎo)體集成電路的解剖分析
實(shí)驗(yàn)十三 掃描電鏡X射線(xiàn)能譜分析
實(shí)驗(yàn)十四 透射電子顯微術(shù)
實(shí)驗(yàn)十五 傅里葉變換紅外光譜法(FTR)測(cè)定硅中雜質(zhì)氧的含量
實(shí)驗(yàn)十六 原子吸收光譜分析
實(shí)驗(yàn)十七 X射線(xiàn)光電子能譜分析
實(shí)驗(yàn)十八 低壓化學(xué)氣相淀積多晶硅
實(shí)驗(yàn)十九 用SiH4-NH3淀積氮化硅
實(shí)驗(yàn)二十 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積氧化硅
實(shí)驗(yàn)二十一 金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)鈦酸鉛
實(shí)驗(yàn)二十二 多孔硅材料的制備
實(shí)驗(yàn)二十三 通用有限元軟件ANSYS推焊球應(yīng)力分析
實(shí)驗(yàn)二十四 集成電路CAD基礎(chǔ)

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