電子封裝工程

《新材料及在高技術中的應用叢書》序言
前言
第1章電子封裝工程概述
1.1電子封裝工程的定義及范圍
1.1.1定義
1.1.2范圍
1.1.3功能
1.1.4分類
1.2技術課題
1.2.1信號的高速傳輸
1.2.2高效率冷卻
1.2.3高密度化
1.2.4防止電磁波干擾技術
1.3從電子封裝技術到電子封裝工程
1.3.1電子封裝技術的體系與范圍
1.3.2電子封裝工程的主要課題
1.3.2電子封裝材料
1.3.4電子封裝發(fā)展的國內外現(xiàn)狀
1.4工程問題
1.5電子封裝工程的發(fā)展趨勢
1.6我國應該高度重視電子封裝產(chǎn)業(yè)
第2章電子封裝工程的演變與進展
2.120世紀電子封裝技術發(fā)展的回顧
2.1.1電子封裝技術發(fā)展歷程簡介
2.1.2電子管安裝時期(1900-1950年)
2.1.3晶體管封裝時期(1950-1960年)
2.1.4元器件插裝(THT)時期(1960-1975年)
2.1.5表面貼裝(SMT)時期(1975年-)
2.1.6高密度封裝時期(20世紀90年代初-)
2.2演變與進展的動力之一：從芯片的進步看
2.2.1集成電路的發(fā)展歷程和趨勢
2.2.2集成度與特征尺寸
2.2.3MPU時鐘頻率的提高
2.2.4集成度與輸入／輸出(I／O)端子數(shù)
2.2.5芯片功耗與電子封裝
2.2.6半導體集成電路的發(fā)展預測
2.3演變與發(fā)展的動力之二：從電子設備的發(fā)展看
2.3.1便攜電話
2.3.2筆記本電腦
2.3.3攝像一體型VTR
2.4電子封裝技術領域中的兩次重大變革
2.4.1從插入式到表面貼裝--第一次重大變革
2.4.2從四邊引腳的QFP到平面陣列表面貼裝--第二次重大變革
2.4.3電子封裝的第三次重大變革
2.4.4邏輯器件和存儲器件都對電子封裝提出更高要求
2.4.5電子封裝的發(fā)展動向
2.5多芯片組件(MCM)
2.5.1MCM的歷史.種類及其特征
2.5.2MCM的制作工藝--以MCM-D為例
2.5.3MCM的發(fā)展趨勢
2.6SiP與SoC
2.6.1何謂SiP和SoC
2.6.2單芯片路線遇到壁壘
2.6.3SiP和SoC的競爭
2.6.4SiP的發(fā)展過程
2.6.5對SiP提出的疑問
2.6.6SiP面臨的挑戰(zhàn)
2.6.7SiP的標準化動向
2.7半導體封裝技術的發(fā)展預測
2.7.1封裝的作用及電子封裝工程的地位
2.7.2半導體封裝技術的現(xiàn)狀及動向
2.7.3主要半導體封裝技術的發(fā)展趨勢
2.7.4今后的課題
第3章薄膜材料與工藝
3.1電子封裝工程中至關重要的膜材料及膜技術
3.1.1薄膜和厚膜
3.1.2膜及膜電路的功能
3.1.3成膜方法
3.1.4電路圖形的形成方法
3.1.5膜材料
3.2薄膜材料
3.2.1導體薄膜材料
3.2.2電阻薄膜材料
3.2.3介質薄膜材料
3.2.4功能薄膜材料
第4章厚膜材料與工藝
4.1厚膜材料
4.1.1厚膜導體材料
4.1.2厚膜電阻材料
4.1.3厚膜介質材料
4.1.4厚膜功能材料
4.2厚膜工藝
4.2.1厚膜成膜技術
4.2.2絲網(wǎng)印刷方法
4.2.3絲網(wǎng)印刷工藝
4.2.4表面貼裝技術(SMT)中電極焊膏的絲網(wǎng)印刷
4.2.5圖形描畫法
4.3電阻修邊(調阻值)
4.3.1修邊的必要性及其對象
4.3.2考慮修邊需要的厚膜電阻設計
4.3.3單個元件的各種修邊方法
4.3.4激光修邊工藝特性
4.3.5功能修邊
4.3.6噴沙修邊的其他應用
第5章基板技術(I)--有機基板
5.1封裝基板概述
5.1.1發(fā)展動向
5.1.2性能要求
5.2封裝基板分類
5.2.1按基材分類
5.2.2按結構分類
5.2.3通用PWB--單面板.雙面板和多層板
5.2.4多層印制線路板的結構
5.3多層印制線路板的電氣特征
5.3.1導體電阻
5.3.2絕緣電阻
5.3.3特性阻抗及傳輸速度
5.3.4交調噪聲
5.3.5電磁波屏蔽(EMI)及其他特性
5.4電鍍通孔多層印制線路板
5.4.1制作方法概述
5.4.2減成法
5.4.3加成法
5.4.4盲孔(blindvia).埋孔(buriedvia)層間連接(IVH)
5.4.5順次積層法
5.5積層多層印制線路板
5.5.1發(fā)展過程
5.5.2電鍍方式各種積層法的比較
5.5.3涂樹脂銅箔(RCC)方式
5.5.4熱固性樹脂方式
5.5.5感光性樹脂方式
5.5.6其他采用電鍍的積層方式
5.5.7采用導電漿料的積層方式
5.5.8一次積層工藝
5.5.9芯板及表面的平坦化
5.5.10多層間的連接方式
5.5.11積層多層印制線路板用絕緣材料
5.5.12各種激光制孔方式對比
5.5.13可靠性試驗
第6章基板技術(II)--陶瓷基板
6.1陶瓷基板概論
6.1.1陶瓷基板應具備的條件
6.1.2陶瓷基板的制作方法
6.1.3陶瓷基板的金屬化
6.2各類陶瓷基板
6.2.1氧化鋁基板
6.2.2莫來石基板
6.2.3氮化鋁基板
6.2.4碳化硅基板
6.2.5氧化鈹基板
6.3低溫共燒陶瓷多層基板(LTCC)
6.3.1LTCC基板應具有的性能
6.3.2玻璃陶瓷材料
6.3.3LTCC的制作方法及燒結特征
6.3.4LTCC多層基板的應用
6.3.5LTCC多層基板的發(fā)展動向
6.4其他類型的無機基板
6.4.1液晶顯示器(LCD)用玻璃基板
6.4.2等離子體顯示板(PDP)用玻璃基板
6.5復合基板
6.5.1復合基板(I)--功能復合
6.5.2復合基板(II)--結構復合
6.5.3復合基板(III)--材料復合
第7章微互聯(lián)技術
7.1微互聯(lián)技術與封裝
7.2釬焊材料及其浸潤性
7.2.1各種釬焊材料及其浸潤性
7.2.2焊料浸潤性的定義及評價方法
7.3插入實裝及表面貼裝技術(微釬焊技術)
7.3.1流焊技術(插入實裝／單面.雙面混載實裝技術)
7.3.2整體回流焊技術(雙面表面貼裝技術)
7.3.3局部回流焊技術
7.3.4封裝裂紋問題及曼哈頓現(xiàn)象(墓碑現(xiàn)象)
7.3.5焊劑應用及清洗技術
7.4表面貼裝技術(微釬焊技術)的發(fā)展動向
7.4.1窄節(jié)距QFP及TCP實裝技術的發(fā)展動向
7.4.2面陣列CSP／BGA實裝技術
7.4.3無鉛焊料及相關技術
7.5裸芯片微組裝技術
7.5.1各種裸芯片微組裝技術及其特征
7.5.2MCM中裸芯片微組裝的成品率及電氣性能檢測
7.5.3引線連接(WB)技術
7.5.4帶載自動鍵合(TAB)技術
7.6倒裝焊微互聯(lián)(FCB)技術
7.6.1倒裝焊微互聯(lián)技術的必要性
7.6.2金凸點和焊料凸點的形成--硅圓片電鍍凸點技術
7.6.3各種倒裝微互聯(lián)技術
7.6.4倒裝焊的主要類型：C4和DCA
7.7壓接倒裝互聯(lián)技術
7.7.1各種壓接倒裝互聯(lián)技術
7.7.2釘頭凸點互聯(lián)(SBB)技術
7.7.3多層基板上形成凸點的倒裝壓接技術(B2it+FCA)
7.7.4微互聯(lián)電阻的測量方法(四端子測量法)
第8章封裝技術
8.1封裝技術簡介
8.1.1封裝的必要性
8.1.2各種封裝技術及其特征
8.2非氣密性樹脂封裝技術
8.2.1傳遞模注塑封技術
8.2.2各種樹脂封裝技術
8.2.3樹脂封裝中濕氣浸入路徑及防止措施
8.2.4樹脂封裝成形缺陷及防止措施
8.2.5樹脂封裝中的故障和損傷
8.3氣密性封裝技術
8.3.1氣密性封裝法中泄漏率的檢測方法
8.3.2釬焊氣密封接技術
8.3.3縫焊封接技術
8.3.4激光熔焊封接技術
8.4封裝模塊的可靠性
8.4.1封裝模塊的初期不良和壽命
8.4.2MCM模塊的故障率分析
8.4.3MCM模塊的各種可靠性試驗
8.5封裝技術要素及封裝材料物性
8.5.1封裝技術要素
8.5.2封裝材料物性
第9章BGA與CSP
9.1球柵陣列封裝(BGA)--更適合多端子LSI的表面貼裝式封裝
9.1.1美國廠家采用BGA的理由
9.1.2塑封BGA的應用現(xiàn)狀
9.1.3塑封BGA的發(fā)展趨勢
9.1.4如何檢驗塑封BGA
9.1.5使用塑封BGA應注意的問題
9.1.6BGA概念的形成
9.2BGA的類型
9.2.1塑封球柵平面陣列封裝(PBGA)
9.2.2陶瓷球柵平面陣列封裝(CBGA)
9.2.3陶瓷柱柵平面陣列封裝(CCGA)
9.2.4帶載球柵平面陣列封裝(TBGA)
9.3CSP--芯片級封裝
9.3.1CSP的定義及特征
9.3.2各具特色的CSP結構
9.3.3CSP的最新進展及發(fā)展動向
9.3.4CSP有待研究和開發(fā)的課題
第10章電子封裝的分析.評價及設計
10.1膜檢測及評價技術
10.1.1膜檢測及評價的必要性
10.1.2膜的互擴散
10.1.3膜的內應力
10.2信號傳輸特性的分析技術
10.2.1布線電氣特性分析基礎
10.2.2各種實裝形態(tài)及電氣信號傳輸特性的比較
10.2.3交叉噪聲(串擾)分析
10.2.4B2it多層板與IVH多層板電氣特性的比較
10.3熱分析及散熱設計技術
10.3.1熱分析及散熱設計基礎
10.3.2搭載奔騰芯片的MCM定常熱分析實例
10.3.3MCM非定常熱分析實例
10.3.4B2it多層板散熱特性的分析實例
10.4結構分析技術
10.4.1結構分析基礎及BGA／CSP／FC封裝中的結構分析實例
10.4.2帶藍寶石窗的MCM結構分析實例
第11章超高密度封裝的應用和發(fā)展
11.1便攜電子設備中的封裝技術
11.1.1移動電話(手機)中采用的封裝技術
11.1.2數(shù)碼攝像照相機中的封裝技術
11.1.3筆記本電腦中的封裝技術
11.1.4便攜電子設備中封裝的技術課題
11.2超級計算機中的封裝技術
11.2.1超級計算機中封裝技術概況
11.2.2回路基板及實裝技術
11.2.3超級計算機封裝的共同特征及發(fā)展前景
11.3高密度封裝技術：ASIC+RA+MCM
11.4極高密度的三維電子封裝技術
11.4.1電子封裝從二維向三維立體封裝發(fā)展
11.4.2裸芯片的三維封裝技術
11.4.3封裝體的三維封裝技術
11.4.4MCM的三維封裝技術
11.4.5硅圓片規(guī)模的三維封裝技術
11.4.6系統(tǒng)封裝構想
11.5實現(xiàn)系統(tǒng)集成的三維模塊封裝
11.5.1三維模塊封裝的發(fā)展背景
11.5.2三維模塊封裝的目標和課題
11.5.3SIMPACT--實現(xiàn)三維模塊封裝的有效方式
11.5.4實現(xiàn)SIMPACT的三大關鍵技術
11.5.5SIMPACT關鍵技術開發(fā)
11.5.6SIMPACT的特點和應用
附錄1電子封裝常用術語注釋
附錄2電子封裝縮略語及常用詞匯集
附錄3(新舊)常用計量單位對照與換算
參考文獻