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現(xiàn)代電子線路(上)

現(xiàn)代電子線路(上)

定 價(jià):¥30.00

作 者: 王志剛主編
出版社: 清華大學(xué)出版社
叢編項(xiàng): 國(guó)家電工電子教學(xué)基地系列教材
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787810821223 出版時(shí)間: 2003-04-01 包裝: 平裝
開(kāi)本: 23cm 頁(yè)數(shù): 362 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  《現(xiàn)代電子線路(上)》共9章,分上、下兩冊(cè)。上冊(cè)4章,包括:第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ);第2章放大器基礎(chǔ);第3章集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ);第4章集成運(yùn)算放大器應(yīng)用。本教材大量精簡(jiǎn)了分立元件電路的分析設(shè)計(jì)篇幅,加強(qiáng)了專(zhuān)用新器件和應(yīng)用技術(shù)的介紹。例如,在第3章中介紹了測(cè)量放大器、互導(dǎo)放大器、緩沖放大器、電壓比較器和電源限(rail-to-rail)放大器原理;第4章在經(jīng)典內(nèi)容增加了許多運(yùn)算放大器應(yīng)用的實(shí)際知識(shí)?!冬F(xiàn)代電子線路(上)》上下兩冊(cè)適合總學(xué)時(shí)為120~200(兩個(gè)學(xué)期)的本科教學(xué)用。本教材強(qiáng)調(diào)集成電路,強(qiáng)調(diào)應(yīng)用原理和應(yīng)用技術(shù),增加了一些從事模擬電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的入門(mén)知識(shí),也可供本科畢業(yè)生、研究生和從事實(shí)際電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《現(xiàn)代電子線路(上)》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
1. 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
1. 1. l 本征半導(dǎo)體
1. 1. 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1. 1. 3 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制
1. 2 PN結(jié)
1. 2. l 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
1. 2. 2 PN結(jié)的伏安特性
1. 2. 3 擴(kuò)散電容
1. 2. 4 反向擊穿與穩(wěn)壓二極管
1. 2. 5 PN結(jié)的其他應(yīng)用
**1. 2. 6 肖特基結(jié)和歐姆接觸
**1. 2. 7 PN結(jié)伏安特性方程的推導(dǎo)
1. 3 二極管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 3. 1 二極管伏安特性及其模型
1. 3. 2 二極管大信號(hào)應(yīng)用舉例
1. 3. 3 二極管小信號(hào)應(yīng)用舉例
1. 4 雙極型晶體管原理
1. 4. 1 雙極型晶體管工作原理和Ebers-Moll模型
1. 4. 2 四個(gè)工作區(qū)及伏安特性曲線
1. 4. 3 對(duì)Ebers-Moll模型的修正
**1. 4. 4 Ebers-Moll模型(晶體管伏安特性的解析方程)推導(dǎo)
1. 5 晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 5. 1 開(kāi)關(guān)應(yīng)用
1. 5. 2 晶體管用于線性放大原理
1. 5. 3 晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置
1. 5. 4 小信號(hào)等效電路
1. 6 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1. 6. 1 場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理
1. 6. 2 增強(qiáng)型N溝道MCSFET
1. 6. 3 其他三種MCBFET
1. 6. 4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1. 6. 5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
**l. 6. 6 功率MCBFET. 電可擦寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器
習(xí)題
第2章 放大器基礎(chǔ)
2. 1 放大器基本概念及主要性能指標(biāo)
2. 1. l 放大器主要性能指標(biāo)
2. 1. 2 放大器的四種類(lèi)型
2. 2 分立元件晶體管放大器
2. 2. 1 BJT三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 2 FET三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 3 晶體管基本放大器的缺點(diǎn)及改進(jìn)措施
2. 3 分立元件差分放大器
2. 3. 1 電路結(jié)構(gòu)
2. 3. 2 理想情況下差分放大器特性
2. 3. 3 非理想情況下差分放大器特性
2. 3. 4 FET差分放大器
2. 4 放大器頻率響應(yīng)
2. 4. l 頻率響應(yīng)及其表示方法
2. 4. 2 基本組態(tài)放大器頻率響應(yīng)
2. 4. 3 組合態(tài)放大器的頻率響應(yīng)
2. 5 放大器中的反饋
2. 5. 1 反饋放大器基本概念
2. 5. 2 負(fù)反饋降低靈敏度
2. 5. 3 負(fù)反饋改善失真
2. 5. 4 四種負(fù)反饋
2. 5. 5 負(fù)反饋對(duì)放大器其他性能的影響
習(xí)題
第3章 集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ)
3. l 雙極型晶體管集成運(yùn)放
3. 1. l 集成運(yùn)算放大器基本結(jié)構(gòu)
3. 1. 2 電流鏡和電平移動(dòng)電路
3. 1. 3 典型集成運(yùn)放 A-741電路分析
**3. 1. 4 集成電路中的晶體管知識(shí)
3. 2 CMOS和BIFET集成運(yùn)放
3. 2. 1 MOS電流鏡
3. 2. 2 CMOS差分增益級(jí)
3. 2. 3 恒壓源
3. 2. 4 CMOS反相器
3. 2. 5 輸出級(jí)
3. 2. 6 CMOS集成運(yùn)放的實(shí)例
3. 2. 7 BiFET集成運(yùn)放
3. 3 運(yùn)放的頻率特性及大信號(hào)運(yùn)用
3. 3. 1 放大器的穩(wěn)定性及其指標(biāo)
3. 3. 2 頻率補(bǔ)償
3. 3. 3 大信號(hào)運(yùn)用
3. 4 專(zhuān)用運(yùn)放
3. 4. 1 測(cè)量放大器
3. 4. 2 互導(dǎo)放大器
3. 4. 3 緩沖放大器(電壓跟隨器)
3. 4. 4 電壓比較器
3. 4. 5 電源限放大器
3. 5 寬帶高速放大器
3. 5. 1 電壓反饋運(yùn)放
3. 5. 2 輸人級(jí)發(fā)射極串聯(lián)電阻降低互導(dǎo)
3. 5. 3 場(chǎng)效應(yīng)管輸人級(jí)結(jié)構(gòu)
3. 5. 4 折疊式級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)輸入級(jí)
3. 5. 5 甲乙類(lèi)(AB類(lèi))推挽輸人級(jí)高速放大器
3. 5. 6 電流反饋運(yùn)放
**3. 6 電流模電路
3. 6. 1 引言
3. 6. 2 跨導(dǎo)線性原理
3. 6. 3 電流模電路實(shí)例分析
3. 6. 4 電流模電路舉例
3. 7 模擬集成電路常識(shí)
3. 7. 1 工藝線寬和特征尺寸
3. 7. 2 半導(dǎo)體材料及模擬集成電路工藝發(fā)展現(xiàn)狀
3. 7. 3 環(huán)境溫度. 電源電壓等對(duì)運(yùn)放性能的影響
習(xí)題
第4章 集成運(yùn)算放大器應(yīng)用
引言
4. 1 通用集成運(yùn)放的模型和特性參數(shù)
4. 1. 1 運(yùn)算放大器的電路符號(hào)
4. l. 2 主要特性參數(shù)
4. 1. 3 運(yùn)算放大器的模型
4. 2 信號(hào)運(yùn)算電路
4. 2. 1 運(yùn)算放大器的三種基本輸人形式
4. 2. 2 基本運(yùn)算電路
4. 2. 3 實(shí)際集成運(yùn)算放大器的運(yùn)算特性
4. 3 特殊用途運(yùn)算放大器
4. 3. 1 測(cè)量放大器
4. 3. 2 程控增益放大器
4. 3. 3 采樣/保持器
4. 4 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用
4. 4. l 有源濾波器
4. 4. 2 精密二極管電路
4. 4. 3 電壓-電流變換器
4. 5 比較器
4. 5. l 比較器的基本原理
4. 5. 2 單片集成電壓比較器
4. 5. 3 比較器的應(yīng)用
4. 6 正確使用集成運(yùn)算放大器
4. 6. l 集成運(yùn)放的型號(hào)選擇
4. 6. 2 正確使用性能參數(shù)
4. 6. 3 為輸人偏置電路提供直流通路
4. 6. 4 合理選擇外部電路元件
4. 6. 5 供電電源的去耦問(wèn)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

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