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當前位置: 首頁出版圖書科學技術自然科學物理學半導體的電子結構與性能(第4卷)

半導體的電子結構與性能(第4卷)

半導體的電子結構與性能(第4卷)

定 價:¥73.00

作 者: (英)W.施羅特爾(Wolfgang Schroter)主編;甘駿人,夏冠群等譯;甘駿人譯
出版社: 科學出版社
叢編項: 材料科學與技術叢書
標 簽: 超導電性

ISBN: 9787030075253 出版時間: 2001-02-01 包裝: 精裝
開本: 27cm 頁數(shù): 530 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  本卷主要介紹半導體的電子結構與性能。本卷共11章。第1章至第4章主要闡述半導體中的能帶理論、光學性質(zhì)和電荷輸送,本征點缺陷及深中心;第5章至第8章敘述平衡、非平衡,擴散"和淀積,位錯,半導體中的晶界及界面;第9章至第11章介紹量子線中的霍爾效應,氫化無定形硅的材料特性,硅中3d過渡元素的高溫特性。本卷可供材料科學、物理、金屬學、電子、機械、航空、航天等研究、教學及生產(chǎn)的科學技術工作者閱讀、參考。

作者簡介

暫缺《半導體的電子結構與性能(第4卷)》作者簡介

圖書目錄

1半導體中的能帶理論
2光學性質(zhì)和電輸運
3半導體中的本征點缺陷
4半導體中的深中心
5平衡.非平衡.擴散和沉淀
6位錯
7半導體中的晶界
8界面
9量子線中的霍爾效應
10氫化無定形硅的材料特性
11硅中3d過渡元素的高溫特性
索引

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