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現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理

現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理

定 價:¥48.00

作 者: (美)施敏(S.M.Sze)主編;劉曉彥,賈霖,康晉鋒譯
出版社: 科學(xué)出版社
叢編項:
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787030090591 出版時間: 2002-06-01 包裝:
開本: 24cm 頁數(shù): 428 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  本書是1981年版《半導(dǎo)體器件物理》的續(xù)編。書中詳細介紹了近20年來經(jīng)典半導(dǎo)體器件的新增功能及新型半導(dǎo)體器件的物理機制。全書共八章,內(nèi)容涉及先進的雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)器件,金屬-半導(dǎo)體接觸及各種場效應(yīng)晶體管,功率器件、量子器件、熱電子器件、微波器件、高速光子器件,以及太陽能電池等。各章末除附有習(xí)題外還給出了盡可能多的參考文獻。書后附錄提供了符號表、國際單位制基本單位、物理常數(shù)、晶格常數(shù)最新值,以及元素半導(dǎo)體,二元、三元化合物半導(dǎo)體和絕緣體的特性。本書可作為應(yīng)用物理、電子工程、電機、材料科學(xué)領(lǐng)域大學(xué)本科生及研究生教材,也可供在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域工作的科學(xué)家與工程師參考。

作者簡介

暫缺《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》作者簡介

圖書目錄

1  雙極晶體管                  
 1. 1  引言                  
 1. 2  雙極晶體管的工作原理                  
 1. 3  硅雙極晶體管                  
 1. 4  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管                  
 1. 5  雙極晶體管模型                  
 1. 6  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 2  化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管                  
 2. 1  引言                  
 2. 2  肖特基勢壘和歐姆接觸                  
 2. 3  GaAs MKSFET                  
 2. 4  異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)                  
 2. 5  柵極漏電流                  
 2. 6  新型化合物半導(dǎo)體FET                  
 2. 7  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 3  MOSFET及其相關(guān)器件                  
 3. 1  引言                  
 3. 2  MOSFET的按比例縮小                  
 3. 3  CMOS/BiCMOS                  
 3. 4  可靠性                  
 3. 5  SOI和三維結(jié)構(gòu)                  
 3, 6  存儲結(jié)構(gòu)                  
 3. 7  低壓/低功耗器件                  
 3. 8  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 4  功率器件                  
 4. 1  引言                  
 4. 2  功率整流管                  
 4. 3  功率MOSFET                  
 4. 4  絕緣柵雙極晶體管                  
 4. 5  MOS柵控晶閘管                  
 4. 6  碳化硅功率器件                  
 4. 7  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 5  量子效應(yīng)和熱電子器件                  
 5. 1  引言                  
 5. 2  共振隧穿(RT)結(jié)構(gòu)                  
 5. 3  熱電子結(jié)構(gòu)                  
 5. 4  器件應(yīng)用                  
 5. 5  總結(jié)與展望                  
 附錄5. A  態(tài)密度和費米積分                  
 附錄5. B  在具有散射的超晶格中的漂移速度                  
 附錄5. C  接觸和超品格                  
 附錄5. D  相干晶體管基區(qū)輸運                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 6  有源微波二極管                  
 6. 1  引言                  
 6. 2  渡越時間二極管                  
 6. 3  共振隧穿二極管                  
 6. 4  轉(zhuǎn)移電子器件                  
 6. 5  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 7  高速光子器件                  
 7. 1  引言                  
 7. 2  激光器的設(shè)計及其基本工作原理                  
 7. 3  量子吩和應(yīng)變層量子阱激光器                  
 7. 4  高級激光器結(jié)構(gòu)和光子集成電路(PIC)                  
 7. 5  光接收器和光電集成電路                  
 7. 6  總結(jié)與展望                  
 附錄7. A  線寬公式的推導(dǎo)                  
 附錄7. B  應(yīng)變層單量子阱激光器的透光載流子面密度和微分增益的                  
 近似表達式                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 8  太陽電池                  
 8. 1  引言                  
 8. 2  太陽光輻射和理想的能量轉(zhuǎn)換效率                  
 8. 3  硅太陽電池:單晶. 多品和非晶                  
 8. 4  化合物半導(dǎo)體電池                  
 8. 5  組件                  
 8. 6  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻                  
 附錄A  符號表                  
 附錄B  國際單位制(SI單位)                  
 附錄C  單位詞頭                  
 附錄D  希臘字母                  
 附錄E  物理常數(shù)                  
 附錄F  300K的晶格常數(shù)                  
 附錄G  重要的元素和二元半導(dǎo)體性質(zhì)                  
 附錄H  Si和GaAs在300K的性質(zhì)                  
 附錄I  III-V族三元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì)                  
 附錄J  SiO2和Si3N4在300K的性質(zhì)                  
 索引                  

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