現(xiàn)代半導體器件物理

定　價：￥48.00

作　者：	（美）施敏（S.M.Sze）主編；劉曉彥，賈霖，康晉鋒譯
出版社：	科學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787030090591	出版時間：	2002-06-01	包裝：
開本：	24cm	頁數(shù)：	428	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是1981年版《半導體器件物理》的續(xù)編。書中詳細介紹了近20年來經(jīng)典半導體器件的新增功能及新型半導體器件的物理機制。全書共八章，內(nèi)容涉及先進的雙極晶體管和異質(zhì)結器件，金屬-半導體接觸及各種場效應晶體管，功率器件、量子器件、熱電子器件、微波器件、高速光子器件，以及太陽能電池等。各章末除附有習題外還給出了盡可能多的參考文獻。書后附錄提供了符號表、國際單位制基本單位、物理常數(shù)、晶格常數(shù)最新值，以及元素半導體，二元、三元化合物半導體和絕緣體的特性。本書可作為應用物理、電子工程、電機、材料科學領域大學本科生及研究生教材，也可供在半導體器件領域工作的科學家與工程師參考。

作者簡介

暫缺《現(xiàn)代半導體器件物理》作者簡介

圖書目錄

1  雙極晶體管
1. 1  引言
1. 2  雙極晶體管的工作原理
1. 3  硅雙極晶體管
1. 4  異質(zhì)結雙極晶體管
1. 5  雙極晶體管模型
1. 6  總結與展望
習題
參考文獻
2  化合物半導體場效應晶體管
2. 1  引言
2. 2  肖特基勢壘和歐姆接觸
2. 3  GaAs MKSFET
2. 4  異質(zhì)結場效應晶體管(HFET)
2. 5  柵極漏電流
2. 6  新型化合物半導體FET
2. 7  總結與展望
習題
參考文獻
3  MOSFET及其相關器件
3. 1  引言
3. 2  MOSFET的按比例縮小
3. 3  CMOS/BiCMOS
3. 4  可靠性
3. 5  SOI和三維結構
3, 6  存儲結構
3. 7  低壓／低功耗器件
3. 8  總結與展望
習題
參考文獻
4  功率器件
4. 1  引言
4. 2  功率整流管
4. 3  功率MOSFET
4. 4  絕緣柵雙極晶體管
4. 5  MOS柵控晶閘管
4. 6  碳化硅功率器件
4. 7  總結與展望
習題
參考文獻
5  量子效應和熱電子器件
5. 1  引言
5. 2  共振隧穿(RT)結構
5. 3  熱電子結構
5. 4  器件應用
5. 5  總結與展望
附錄5. A  態(tài)密度和費米積分
附錄5. B  在具有散射的超晶格中的漂移速度
附錄5. C  接觸和超品格
附錄5. D  相干晶體管基區(qū)輸運
習題
參考文獻
6  有源微波二極管
6. 1  引言
6. 2  渡越時間二極管
6. 3  共振隧穿二極管
6. 4  轉移電子器件
6. 5  總結與展望
習題
參考文獻
7  高速光子器件
7. 1  引言
7. 2  激光器的設計及其基本工作原理
7. 3  量子吩和應變層量子阱激光器
7. 4  高級激光器結構和光子集成電路(PIC)
7. 5  光接收器和光電集成電路
7. 6  總結與展望
附錄7. A  線寬公式的推導
附錄7. B  應變層單量子阱激光器的透光載流子面密度和微分增益的
近似表達式
習題
參考文獻
8  太陽電池
8. 1  引言
8. 2  太陽光輻射和理想的能量轉換效率
8. 3  硅太陽電池：單晶. 多品和非晶
8. 4  化合物半導體電池
8. 5  組件
8. 6  總結與展望
習題
參考文獻
附錄A  符號表
附錄B  國際單位制(SI單位)
附錄C  單位詞頭
附錄D  希臘字母
附錄E  物理常數(shù)
附錄F  300K的晶格常數(shù)
附錄G  重要的元素和二元半導體性質(zhì)
附錄H  Si和GaAs在300K的性質(zhì)
附錄I  III-V族三元化合物半導體的性質(zhì)
附錄J  SiO2和Si3N4在300K的性質(zhì)
索引