新型電子薄膜材料

第1章 緒論
1．1 薄膜的定義及特性
1．2 薄膜材料研究現(xiàn)狀
1．3 新型薄膜材料發(fā)展前景
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第2章 新型半導(dǎo)體薄膜材料
2．1 概述
2．2 硅基非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜
2．3 多晶硅和微晶硅薄膜
2．4 a-Si:H太陽(yáng)電池
2．5 薄膜晶體管與大面積液晶顯示器
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第3章 金剛石薄膜及相關(guān)材料
3．1 概述
3．2 金剛石薄膜
3．3 類金剛石膜（DLC）
3．4 立方氮化硼薄膜
3．5 B-C3N4薄膜
3．6 BCN薄膜
3．7 其他硬質(zhì)薄膜
3．8 寬帶隙薄膜材料場(chǎng)電子發(fā)射研究的現(xiàn)狀與問題
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第4章 納米薄膜材料與可見光發(fā)射
4．1 概述
4．2 發(fā)光機(jī)理及Si發(fā)光面臨的問題
4．3 Ge/Si超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)材料
4．4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發(fā)光
4．5 多孔硅發(fā)光
4．6 GaN基薄膜材料發(fā)光
4．7 薄膜發(fā)光顯示器（Ⅱ-Ⅵ族化合物）
4．8 硅中摻鉺（Er）的發(fā)光特性及機(jī)理
4．9 ZnO量子點(diǎn)——半導(dǎo)體激光器新材料
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第5章 硫系及其他多元化合物薄膜
5．1 概述
5．2 硫系化合物半導(dǎo)體
5．3 CuInSe2(CIS)薄膜及薄膜太陽(yáng)能電池
5．4 CdTe太陽(yáng)電池
5．5 薄膜靜電成像——復(fù)印鼓
5．6 納米Sn太陽(yáng)能吸熱膜
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第6章 介質(zhì)薄膜材料
6．1 概述
6．2 電介質(zhì)薄膜及應(yīng)用
6．3 鐵電薄膜及應(yīng)用
6．4 壓電薄膜及應(yīng)用
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第7章 高溫超導(dǎo)薄膜材料
7．1 概述
7．2 高溫超導(dǎo)薄膜制備方法
7．3 高溫超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
7．4 高溫超導(dǎo)薄膜材料的應(yīng)用
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第8章 巨磁阻薄膜材料
8．1 概述
8．2 磁性多層模的巨磁阻效應(yīng)
8．3 顆粒膜的巨磁阻效應(yīng)
8．4 自旋閥多層膜的巨磁阻效應(yīng)
8．5 摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應(yīng)
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第9章 其他薄膜材料
9．1 概述
9．2 超晶體和量子阱薄膜材料
9．3 有機(jī)電致發(fā)光薄膜
9．4 透明導(dǎo)電膜（TCO）及其在電子工業(yè)方面的應(yīng)用
9．5 窄帶隙紅外光導(dǎo)薄膜材料（HgCdTe）
9．6 變色薄膜材料
9．7 防偽技術(shù)和光學(xué)防偽膜
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第10章 薄膜制備的新技術(shù)和檢測(cè)手段
10．1 概述
10．2 濺射法
10．3 微波電子加旋共振化學(xué)相沉積
10．4 分子束外延
10．5 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積
10．6 直流電弧等離子體噴射CVD法
10．7 溶膠-凝膠法
10．8 電沉積
10．9 脈沖激光沉積法
10．10 觸媒化學(xué)氣相沉積
10．11 薄膜檢測(cè)手段
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