半導(dǎo)體器件

第1章 半導(dǎo)體器件的發(fā)展
1.1 電子器件發(fā)展歷程中的“潮流與波浪”
1.2 從體單晶時(shí)代向多層化薄膜器件時(shí)代的發(fā)展
練習(xí)題
第2章 半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)
2.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電率
2.2 晶體中電子的有效質(zhì)量
2.3 電子狀態(tài)密度
2.4 載流子密度與溫度及禁帶寬度的依賴(lài)關(guān)系
2.4.1 載流子密度與溫度的關(guān)系
2.4.2 載流子密度隨禁帶寬度的變化
2.4.3 載流子密度與費(fèi)米能級(jí)位置的關(guān)系
練習(xí)題
第3章 半導(dǎo)體界面的電子現(xiàn)象
3.1 半導(dǎo)體的清潔表面與實(shí)際表面及其電子狀態(tài)
3.2 pn結(jié)
3.3 異質(zhì)結(jié)
3.4 金屬一半導(dǎo)體界面
3.5 半導(dǎo)體一電介質(zhì)界面
3.6 晶粒間界
練習(xí)題
第4章 各種半導(dǎo)體二極管
4.1 pn結(jié)二極管
4.1.1 pn結(jié)二極管的直流電流一電壓特性
4.1.2 pn結(jié)二極管的交流特性
4.1.3 pn結(jié)二極管的直流電壓一電容特性
4.1.4 電壓一電流特性理論的修正
4.2 肖特基二極管的直流電流一電壓特性
4.3 異質(zhì)結(jié)二極管
4.4 江崎二極管與反向二極管的直流電流一電壓特性
4.4.1 電子穿過(guò)薄勢(shì)壘的幾率
4.4.2 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體pn結(jié)的電壓一電流特性
4.4.3 反向二極管的直流電流一電壓特性
練習(xí)題
第5章 雙極型功能器件
5.1 晶體管的作用
5.1.1 雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
5.1.2 接地電路與電流的流動(dòng)
5.1.3 輸入一輸出特性
5.2 雙極晶體管的工作原理
5.2.1 晶體管的放大功能
5.2.2 晶體管內(nèi)部的電流輸運(yùn)機(jī)理
5.3 晶體管的性能參數(shù)（a，B，Y。Fa）
5.3.1 發(fā)射極注入效率70
5.3.2 基區(qū)輸運(yùn)效率80
5.3.3 收集效率
5.3.4 高頻特性
5.4 漂移晶體管
5.4.1 載流子擴(kuò)散的渡越時(shí)間
5.4.2 漂移晶體管的結(jié)構(gòu)和原理
5.5 晶閘管與SCR，GTO
5.5.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
5.5.2 SCR（siliconcontrolledredtifier）
5.5.3 GTO（gateturnoff）
練習(xí)題
第6章 MoS型控制器件
6.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理
6.1.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)與結(jié)構(gòu)
6.1.2 MOS器件的結(jié)構(gòu)
6.2 MOS晶體管的電流一電壓特性
6.2.1 直流輸出特性
6.2.2 小信號(hào)交流特性
6.3 MOS晶體管的種類(lèi)與結(jié)構(gòu)
6.4 MOS存儲(chǔ)器
6.4.1 MOS存儲(chǔ)器的分類(lèi)
6.4.2 DRAM與SRAM
6.5 CCD與BBD及其電荷轉(zhuǎn)移功能
6.5.1 CCD
6.5.2 CCD的原理
6.5.3 CCD的用途
練習(xí)題
第7章 異質(zhì)結(jié)器件
7.1 GaAs系異質(zhì)結(jié)器件的重要性
7.1.1 GaAs系異質(zhì)結(jié)器件是重要的發(fā)展趨勢(shì)
7.1.2 GaAs的特征與物理基礎(chǔ)
7.2 異質(zhì)結(jié)與二維電子氣物理
7.2.1 載流子關(guān)閉引起的二維效應(yīng)
7.2.2 能帶結(jié)構(gòu)
7.3 HEMT的工作原理和電學(xué)特性
7.3.1 HEMT的基本結(jié)構(gòu)與高電子遷移率特性
7.3.2 HEMT的工作原理
7.3.3 電學(xué)特性
7.4 微波HEMT
7.4.1 低噪聲HEMT
7.4.2 高輸出HEMT
7.5 超高速數(shù)字HEMT
7.5.1 基本電路形式和開(kāi)關(guān)特性
7.5.2 計(jì)數(shù)器與可控制性
練習(xí)題
練習(xí)題簡(jiǎn)答
參考文獻(xiàn)